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SF8GZ47,SF8JZ47
东芝THYRISITOR硅平面型
SF8GZ47,SF8JZ47
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
隔离电压
: V
DRM
= 400, 600V
: V
RRM
= 400, 600V
: I
T（ AV ）
= 8A
: V
ISOL
=
1500V
AC
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
和重复Peak6
反向电压
非重复性峰值
反向电压
（不重复<5ms ，
T
j
= 0~125°C)
SF8GZ47
SF8JZ47
SF8GZ47
SF8JZ47
V
RSM
符号
V
DRM
V
RRM
等级
400
600
500
720
8
12.6
120（ 50赫兹）
132（ 60赫兹）
72
100
5
0.5
10
5
2
40~125
40~125
1500
V
V
单位
平均通态电流
（半正弦波TC = 72 ° C）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
隔离电压（交流，吨= 1分钟）
2
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
A
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
V
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：1.7g
―
―
1310H1B
注1 ： di / dt的测试条件，
V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
25A ，T
gw
≥
10s,
t
gr
≤
为250ns ，我
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
闭锁电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
I
L
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 25 A
V
D
= 6 V ，R
L
= 10
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定， TC = 125°C
指数上升
V
D
= 6 V，I
TM
= 1 A
V
D
= 6 V ， F = 50Hz时，
t
gw
= 50微秒，我
G
= 30毫安
结到外壳
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
50
―
―
―
最大
10
1.5
1.0
10
―
―
40
50
3.7
单位
A
V
V
mA
V
V / μs的
mA
mA
C / W
记号
*1
TYPE
F8GZ47
F8JZ47
TYPE
名字
SF8GZ47
SF8JZ47
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年Febrary
8L ： 1998年12月
2
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
3
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
4
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
5
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
东芝THYRISITOR硅平面型
SF8GZ47,SF8JZ47
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
l
平均通态电流
l
隔离电压
: V
DRM
= 400, 600V
: V
RRM
= 400, 600V
: I
T（ AV ）
= 8A
: V
ISOL
=
1500V
AC
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
和重复Peak6
反向电压
非重复性峰值
反向电压
（不重复<5ms ，
T
j
= 0~125°C)
SF8GZ47
SF8JZ47
SF8GZ47
SF8JZ47
V
RSM
符号
V
DRM
V
RRM
等级
400
600
500
720
8
12.6
120（ 50赫兹）
132（ 60赫兹）
72
100
5
0.5
10
5
2
40~125
40~125
1500
V
V
单位
平均通态电流
（半正弦波TC = 72 ° C）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
隔离电压（交流，吨= 1分钟）
2
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
A
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
V
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：1.7g
―
―
1310H1B
注1 ： di / dt的测试条件，
V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
25A ，T
gw
≥
10s,
t
gr
≤
为250ns ，我
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
闭锁电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
I
L
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 25 A
V
D
= 6 V ，R
L
= 10
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定， TC = 125°C
指数上升
V
D
= 6 V，I
TM
= 1 A
V
D
= 6 V ， F = 50Hz时，
t
gw
= 50微秒，我
G
= 30毫安
结到外壳
民
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
50
―
―
―
最大
10
1.5
1.0
10
―
―
40
50
3.7
单位
A
V
V
mA
V
V / μs的
mA
mA
C / W
记号
*1
TYPE
F8GZ47
F8JZ47
TYPE
名字
SF8GZ47
SF8JZ47
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年Febrary
8L ： 1998年12月
2
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
3
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
4
2001-07-13
SF8GZ47,SF8JZ47
5
2001-07-13
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