【数据表半导体SF1AS THRU SF1JS表面贴装反向电压 - 50至6 00伏SUP ER快速整】,IC型号SF1AS,SF1AS PDF资料,SF1AS经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

半导体

SF1AS THRU SF1JS

表面贴装反向电压 - 50至6 00伏

SUP ER快速整流二极管正向电流 - 1.0安培

特点

？玻璃

钝化芯片

·超

快速开关的高效率

ULOW

正向压降和高的电流能力

ULOW

反向漏电流

●塑料

材料具有UL可燃性分类94V- 0

高温焊接： 260

C / 10秒码头

无铅产品，在可供选择：以上符合ROHS环境99 ％的锡

物质指令的要求

For

表面安装应用程序

SOD-123S

：无卤

：无铅

单位：英寸（毫米）

0.067(1.70)

0.055(1.40)

0.112(2.85)

0.100(2.55)

机械数据

=案例

：模压塑料

极性

：由阴极频带指示

Weight

： 0 0.01克

0.152(3.85)

0.140(3.55)

0.014(0.35)

民

最大额定值和电气特性

在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％

符号

最大的经常峰值反向电压

最大RMS电压

最大直流阻断电压

最大正向平均整流电流，

在TL = 120 ℃

峰值正向浪涌电流8.3ms单半

正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

在1.0A最大正向电压

最大直流反向电流TA = 25

在额定阻断电压DC TA = 100

最大反向恢复时间（注1 ）

典型结电容（注2 ）

典型热阻（注3 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

1.反向恢复测试条件： IF = 0.5A ， IR = 1.0A ， IRR = 0.25A

2.测得1 MHz和4.0伏施加的反向电压

3. 8.0mm2

（ 0.013毫米厚）土地面积

0.006(0.15)

典型值

SF1AS

SF1BS

100

SF1CS

150

105

150

SF1DS

200

140

200

1.0

30.0

SF1ES

300

210

300

SF1GS

400

280

400

SF1JS

600

420

600

单位

伏

安培

VRRM

VRMS

VDC

伏

IFSM

TRR

RΘJA

TSTG

0.95

1.25

5.0

100

35.0

10.0

-55to 150

1.7

伏

C / W

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.037(0.94)

典型值

0.047(1.20)

最大

额定值和特性曲线

SF1AS THRU SF1JS

平均正向

安培电流

+0.5A

2.0

-0.25

单相半波

电阻或电感

P.C.B安装

0.315×0.315"(8.0×8.0mm)

焊盘区

1.0

注： 1.Rise时间= 7ns的最大值。

输入阻抗= 1兆欧。 22pF的

2.Rise时间= 10ns的最大值。

源阻抗为50欧姆

-1.0

设定时间

基地

50纳秒/厘米

1cm

100 125 150 175

焊接温度，

图。 1 ，反向恢复时间特性和

测试电路图

IR-反向漏电流，微安

1000

图。 2 ，最大正向平均

额定电流

正向电流安培

SF1AS

SF1ES

100

= 125

SF1JS

0.1

= 25

= 75J

= 25

0.01

0.1

100

120

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

％ PIV的。伏

正向电压伏

图。 3 ，典型的反向特性

峰值正向浪涌电流，安培

图。 4 ，典型正向特性

结电容， pF的

8.3ms单半正弦波

JEDEC的方法

8.0

6.0

4.0

2.0

TJ = 25美分

F = 1.0MHz的

VSIG = 50mVp -P

100

循环次数在60Hz

反向电压，伏

图。 5 - MAXIMUM不重复浪涌

当前

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图。 6 ，典型结电容

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贴装焊盘布局

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