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SF10G41A,SF10J41A
东芝晶闸管硅平面型
SF10G41A,SF10J41A
中功率控制中的应用
l
重复峰值断态电压： V
DRM
= 400,600V
重复峰值反向电压： V
RRM
= 400,600V
l
平均通态电流
l
门极触发电流
: I
T（ AV ）
=
10A
: I
GT
=
15mA
（ MAX 。 ）
单位：mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
非重复性峰值
反向电压
(Non-Repetitive<5ms,
T
j
= 0~125°C)
SF10G41A
SF10J41A
SF10G41A
V
RSM
SF10J41A
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
符号
V
DRM
V
RRM
等级
400
单位
V
600
500
V
720
10
16
160 （ 50赫兹）
176 （ 60赫兹）
125
100
5
0.5
10
5
2
40~125
40~125
A
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
V
A
°C
°C
2
平均通态电流
（半正弦波TC = 79 ° C）
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
对国家崛起的临界速度
Curret
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：2g
TO220AB
SC46
1310G1B
1
2001-07-10
SF10G41A,SF10J41A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
断态电压临界上升率
保持电流
闭锁电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt的
I
H
I
L
R
日（J -C ）
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定
I
TM
= 30A
V
D
= 6V ，R
L
= 10
V
D
=额定×三分之二，TC = 125°C
V
DRM
=额定×三分之二，TC = 125°C
指数上升
V
D
= 6V ，我
TM
= 1A
V
D
= 6V ， F = 50Hz的，T
gw
= 50μS ，我
G
= 30毫安
结到外壳
民
―
―
―
―
0.2
100
―
―
―
最大
10
1.6
1.0
15
―
―
40
60
2.0
单位
A
V
V
mA
V
V / μs的
mA
mA
C / W
记号
数
*1
*2
符号
SF10G41A
TYPE
SF10J41A
SF10G41A ， SF10J41A
标志
SF10G41
SF10J41
A
*3
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
2001-07-10
SF10G41A,SF10J41A
3
2001-07-10
SF10G41A,SF10J41A
4
2001-07-10
SF10G41A,SF10J41A
5
2001-07-10
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厂家
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