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SF0R5G43,SF0R5J43
东芝晶闸管硅平面型
SF0R5G43,SF0R5J43
小功率开关和控制应用
l
重复峰值断态电压: V
DRM
= 400,600V
反向重复峰值电压
: V
RRM
= 400,600V
l
平均通态电流
l
塑料模具类型。
: I
T( AV )
= 500毫安
单位:mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
(R
GK
= 1k)
非重复性峰值
反向电压
(不重复<为5ms ,
R
GK
= 1k,
T
j
= 0~110°C)
SF0R5G43
SF0R5J43
SF0R5G43
SF0R5J43
V
RSM
V
DRM
V
RRM
符号
等级
400
600
500
720
V
V
单位
平均通态电流
(半正弦波TC = 30 ° C)
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流(不重复)
余吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
余吨
P
GM
P
G( AV )
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
500
800
7 ( 50赫兹)
8 ( 60赫兹)
0.25
1
0.01
8
5
500
65~125
65~125
mA
mA
A
A S
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.2克
TO92
SC43
135A1D
注意:
应与栅极电阻如下使用。
1
2001-07-10
SF0R5G43,SF0R5J43
电气特性
( TA = 25°C )
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
保持电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
I
H
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定,
R
GK
= 1kΩ的,T
j
= 125°C
I
TM
= 1A
V
D
= 6V ,R
L
= 100, R
GK
= 1k
V
D
=额定,R
GK
= 1k,
T
a
= 125°C
R
L
= 100, R
GK
= 1k
结到外壳
结到环境
0.2
典型值。
最大
50
1.5
0.8
200
5
125
230
单位
A
V
V
A
V
mA
C / W
记号
*1
TYPE
符号
SF0R5G43
SF0R5J43
标志
F0R5G
F0R5J
*2
例子
8A : 1998年1月
8B : 1998年2月
8L : 1998年12月
2
2001-07-10
SF0R5G43,SF0R5J43
3
2001-07-10
SF0R5G43,SF0R5J43
4
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SF0R5G43,SF0R5J43
5
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SF0R5G43,SF0R5J43
东芝晶闸管硅平面型
SF0R5G43,SF0R5J43
小功率开关和控制应用
l
重复峰值断态电压: V
DRM
= 400,600V
反向重复峰值电压
: V
RRM
= 400,600V
l
平均通态电流
l
塑料模具类型。
: I
T( AV )
= 500毫安
单位:mm
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
(R
GK
= 1k)
非重复性峰值
反向电压
(不重复<为5ms ,
R
GK
= 1k,
T
j
= 0~110°C)
SF0R5G43
SF0R5J43
SF0R5G43
SF0R5J43
V
RSM
V
DRM
V
RRM
符号
等级
400
600
500
720
V
V
单位
平均通态电流
(半正弦波TC = 30 ° C)
R.M.S通态电流
峰值一个周期浪涌通态
电流(不重复)
余吨限值
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
结温
存储温度范围
2
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
TSM
余吨
P
GM
P
G( AV )
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
英镑
2
500
800
7 ( 50赫兹)
8 ( 60赫兹)
0.25
1
0.01
8
5
500
65~125
65~125
mA
mA
A
A S
W
W
V
V
mA
°C
°C
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.2克
TO92
SC43
135A1D
注意:
应与栅极电阻如下使用。
1
2001-07-10
SF0R5G43,SF0R5J43
电气特性
( TA = 25°C )
特征
重复峰值断态电流和
反向重复峰值电流
峰值通态电压
门极触发电压
门极触发电流
GATE非触发电压
保持电流
热阻
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
I
H
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
测试条件
V
DRM
= V
RRM
=额定,
R
GK
= 1kΩ的,T
j
= 125°C
I
TM
= 1A
V
D
= 6V ,R
L
= 100, R
GK
= 1k
V
D
=额定,R
GK
= 1k,
T
a
= 125°C
R
L
= 100, R
GK
= 1k
结到外壳
结到环境
0.2
典型值。
最大
50
1.5
0.8
200
5
125
230
单位
A
V
V
A
V
mA
C / W
记号
*1
TYPE
符号
SF0R5G43
SF0R5J43
标志
F0R5G
F0R5J
*2
例子
8A : 1998年1月
8B : 1998年2月
8L : 1998年12月
2
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4
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5
2001-07-10
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联系人:李
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