FM120-M
SESDBV5V0WB
THRU
FM1200-M
瞬态电压抑制器ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低
描述
功率损耗，效率高。
高电流能力，低正向电压降。
该
SESDBV5V0WB
旨在保护电压敏感
高浪涌能力。
Guardring为
出色的钳位
元器件免受ESD 。
过电压保护。
能力，低泄漏，
超高速开关。
和快速响应
外延平面芯片，金属硅交界处。
在设计，
硅
及时为您提供一流的保护
暴露在静电放电。由于其小
标准
无铅零件符合环保
尺寸，这是适合于在使用中
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
蜂窝电话，
产品
播放器，数字
后缀"G"
和许多其它便携式
RoHS指令
MP3
包装代码
相机
应用
无卤素产品的包装代号后缀"H"
电路板空间非常珍贵。
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
WBFBP-02C
(1.0*0.6*0.5)
单位：mm
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
特点
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
反向
工作
（对峙）电压： 5.0 V
方法2026
低漏
：由阴极频带指示
尺寸以英寸（毫米）
极性
响应时间通常< 1纳秒
安装位置：任意
ESD
等级3类（ >
0.011克
人体模型
重量：的逼近
10千伏）
每
IEC61000-4-2 4级ESD保护
最大额定值和电气特性
无铅封装可用
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
符合RoHS的产品
60HZ ，阻性
后缀“ G”
单相半波，
包装CODE
感性负载。
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
无卤素产品包装
对于容性负载，减免电流20 ％
代码后缀“H”的
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大额定值@ TA = 25 ℃
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
56
80
1.0
极限
30
40
±5
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
IEC6100042(ESD)
（ JEDEC的方法）
参数
符号
单位
典型热阻（注2 ）
ESD
电压
工作温度范围
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
空气
联系
±5
kV
-55
kV
+150
to
℃
100
mW
总
功耗
FR- 5上
板
（注1 ）
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
P
D
特征
符号
-55到+125
每
J
T
人体模型
TSTG
机器型号
每
10
-
65
到+175
400
V
0.85
0.9
0.92
U
热阻结到环境
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
最大正向电压在1.0A DC
V
F
I
R
0.50
R
Θ
JA
T
L
T
j,
T
英镑
0.70
0.5
1250
℃/W
℃
℃
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
无铅焊锡温度
最大（ 10秒持续时间）
10
260
m
结存储
温度范围
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
-55 ~ +150
应力超过
最大额定值
可能会损坏设备。最大
评级
只是应力额定值。
2-热阻结点到环境
上面的功能操作
推荐使用。
操作
条件
是不是暗示。长时间暴露在
上面讲
推荐工作条件
可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-09
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
SESDBV5V0WB
THRU
瞬态电压抑制器ESD保护
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
符号
高速开关。
参数
超
外延平面芯片，金属硅交界处。
I
PP
硅
最大反向峰值脉冲电流
无铅零件符合环保标准
V
C
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
钳位电压@ I
PP
V
RWM
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
工作峰值反向电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
I
R
最大反向
机械数据
漏电流@ V
RWM
0.040(1.0)
0.024(0.6)
V
BR
环氧树脂：
击穿电压@ I
T
UL94 -V0额定阻燃
I
T
案例：模压塑料， SOD- 123H
测试电流
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
,
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
和电气特性
最大额定值
（ TA = 25℃除非另有说明）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
BR
（五） @I
T
V
RWM
I
R
(μA)
V
设备
感性负载。
单相半波， 60赫兹，电阻
(V)
(Note2)
设备*
@V
RWM
对于容性负载，减免电流20 ％
记号
SESDBV5V0WB
标识代码
评级
I
T
（MA ）
-
1
14
40
40
V
C
(V)
@I
PP
=5A
-
典型值
2
C（ pF）的@
V
R
=0V,f=1MHz
最大
-
最大
5
HB
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大
1
民
最大
8
13
30
30
最大的经常
可根据要求提供。
*其他电压
峰值反向电压
V
RRM
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
5.6
12
20
20
15
10
50
50
16
60
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
2. V
BR
测量
最大RMS电压
同
一个脉冲测试电流I
T
at
RMS
在25 ℃的环境温度。
35
14
21
28
V
an
V
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
1.0
30
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
I
R
m
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
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