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SES系列
双向ESD保护阵列
SES5VT323-3
RoHS指令
描述
在SES
5V
T323-3是瞬态电压抑制器阵列的设计
为了保护被连接到数据和传输线组件
防止静电放电（ ESD ） ，电快速瞬变（ EFT ） ，和
闪电。
所有引脚的额定使用IEC 61000-4-2承受20KV ESD脉冲
接触放电方法，它可满足4级的要求，
“人体模型”空气和接触放电。
特征
300瓦峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS ）
低钳位电压
保护一个双向或两个单向行
工作电压： 5V
ESD保护> 20千伏
符合
61000-4-2 （ ESD ） ：空气具有±15kV ，接触放电± 8kV的
61000-4-4 （ EFT ） ： 40A - 5 / 50ns的
61000-4-5 （浪涌） ： 16A ， 8 / 20US
应用
手机及配件
便携式电子产品
控制&监测系统
服务器，笔记本电脑和台式电脑
机顶盒
通信系统
电气特性
符号
V
RWM
V
BR
V
C
I
R
I
PP
C
j
V
F
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电容
正向电压降
ESD保护
1
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SES系列
双向ESD保护阵列
SES5VT323-3
RoHS指令
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲功率（T
p
=8/20μＳ)
峰值脉冲电流（T
p
=8/20μＳ)
工作温度
储存温度
符号
P
pp
I
pp
T
J
T
英镑
价值
300
16
-55到+150
-55到+150
单位
W
A
℃
℃
电特性@ 25 ℃ （除非另有规定）
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
j
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
V
V
μA
V
V
pF
I
T
= 1毫安
V
RWM
= 5V， T为25 ℃
I
PP
= 1A
t
P
= 8/20μＳ
6.0
7.4
5
9.8
17.5
60
80
I
PP
= 16A吨
P
= 8/20μＳ
V
R
= 0V F = 1MHz的
ESD保护
2
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SES系列
双向ESD保护阵列
SES5VT323-3
RoHS指令
产品的外形尺寸和焊盘尺寸
修订历史
调整
1.0
日期
2008-7-3
变化
-
1 ：添加伊普= 16A ;
2 ：改变从40Kvto 20KV ESD保护;
3 ： 61000-4-5 （浪涌） ：从24A至16A
4 ：增加最大电容80pF
5：从12.5更改的VC到17.5 ，并且条件伊普从5A到16A
1.1
2008-7-12
ESD保护
3
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