SES系列
ESD保护
SES5VN1616-3
RoHS指令
描述
该SES5VN1616-3是TVS阵列,旨在保护I / O或
数据线的ESD的破坏作用。 DFN特征-3是一个
非常小的封装,它允许节省空间的高密度
印刷电路板,也使设计人员的灵活性
提供单向或双向保护。
1
3
2
特征
固态硅雪崩技术
DFN - 3封装
单向或双向保护
保护多达两条数据线
125瓦峰值脉冲功率( TP = 8 /20μS )
工作电压: 5V
低钳位因子
低漏电流
符合以下标准:
IEC 61000-4-2 ( ESD )空气15KV ,联系方式, 8KV
应用
蜂窝手机
PDA
笔记本
数码相机
WiFi手机
每行的电特性@ 25 ℃ (除非另有规定)
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
j
C
j
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
V
V
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V, T为25 ℃
I
PP
= 1A
I
PP
=5A
t
P
= 8/20μS
t
P
= 8/20μS
6
1
15
25
0.6
1.5
1.5
μA
V
V
pF
pF
V
R
= 0V F = 1MHz的引脚1到2脚
V
R
=0V
F = 1MHz的
PIN1码或PIN2码,以PIN3
ESD保护
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