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SENSITRON
半导体
技术数据表4199 , REV 。 -
SEN-R-1050-XXX
瞬态电压抑制器5000 WATT系列
玻璃钝化芯片/ CELL
特点
5000W峰值脉冲功率耗散
玻璃钝化结
低增量浪涌电阻
出色的钳位能力
重复率(占空比) : 0.05%
快速响应时间:通常小于1.0 ps的
标准IR小于1μA ,高于10V
描述
这是一个瞬态电压抑制器系列
扩大从5.0伏到100伏。它是可用
in
单向
or
双向
精读网络gurations 。
小区版本可在1型
配置双标签。 A型2
用硅酮边缘保护配置
保护管芯的边缘和模腔
也可作为一个双标签之间
自定义的选项。
应用
ü
ü
ü
ü
电源浪涌保护
数据链路浪涌保护
雷电瞬变抑制
静电防护
电气特性
参数
峰值脉冲功率
电气参数
最大焊接温度
操作&存储
温度
TMAX
10秒曝光
TJ , TSTG
-55
符号
PPPM
测试条件
TA = 25
8C,
TP = 1毫秒(注1 )
5000
典型值
请参阅表
最大
单位
8C
8C
250
175
注1:不重复的电流脉冲,每个图3及以上的TA降额= 25
8C
每图。 2 。
B
D
G
A
C
F
E
芯片
TVS T1细胞
TVS T2细胞
A
B
C
D
E
F
G
220
13.5
277
98
305
277
98
注1: MIL所有维度
注2:尺寸为低电压部件( <40V )只。尺寸B , D和G将是更大的
高压部分( >40V ) 。
221西工业苑
鹿园,NY 11729-4681
电话( 631 ) 586-7600
传真:( 631 ) 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术数据表4199 , REV 。 -
SEN-R-1050-XXX
注2 :模具只配置需要的用户提供充足的能量吸收。
SEN-R-1050-XXX
产品型号
V
r
(V)
SEN-R-1050-001
SEN-R-1050-002
SEN-R-1050-003
SEN-R-1050-004
SEN-R-1050-005
SEN-R-1050-006
SEN-R-1050-007
SEN-R-1050-008
SEN-R-1050-009
SEN-R-1050-010
SEN-R-1050-011
SEN-R-1050-012
SEN-R-1050-013
SEN-R-1050-014
SEN-R-1050-015
SEN-R-1050-016
SEN-R-1050-017
SEN-R-1050-018
SEN-R-1050-019
SEN-R-1050-020
SEN-R-1050-021
SEN-R-1050-022
SEN-R-1050-023
SEN-R-1050-024
SEN-R-1050-025
SEN-R-1050-026
SEN-R-1050-027
SEN-R-1050-028
SEN-R-1050-029
SEN-R-1050-030
SEN-R-1050-031
SEN-R-1050-032
SEN-R-1050-033
SEN-R-1050-034
SEN-R-1050-035
SEN-R-1050-036
SEN-R-1050-037
SEN-R-1050-038
SEN-R-1050-039
SEN-R-1050-040
SEN-R-1050-041
SEN-R-1050-042
SEN-R-1050-043
SEN-R-1050-044
SEN-R-1050-045
SEN-R-1050-046
SEN-R-1050-047
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
22.0
24.0
26.0
28.0
30.0
33.0
36.0
40.0
43.0
45.0
48.0
51.0
54.0
58.0
60.0
64.0
70.0
75.0
78.0
85.0
90.0
100.0
110.0
120.0
130.0
150.0
160.0
170.0
180.0
5000瓦TVS系列
IR最大
Iz
(MA )
50
50
50
50
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
VZ敏
@ IZ
(V)
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.00
11.10
12.20
13.30
14.40
15.60
16.70
17.80
18.90
20.00
22.20
24.00
26.70
28.90
31.10
33.30
36.70
40.00
44.40
47.80
50.00
53.30
56.70
60.00
64.40
66.70
71.10
77.80
83.30
86.70
94.40
100.00
110.00
122.00
133.00
144.00
167.00
178.00
189.00
200.00
VZ最大
@ IZ
(V)
7.00
7.37
7.98
8.60
9.21
9.83
10.40
11.10
12.30
13.50
14.70
15.90
17.20
18.50
19.70
20.90
22.10
24.50
26.90
29.50
31.90
34.40
36.80
40.60
44.20
49.10
52.80
55.30
58.90
62.70
66.30
71.20
73.70
78.60
86.00
92.10
95.80
104.00
111.00
123.00
135.00
147.00
159.00
185.00
197.00
209.00
233.00
VCC
(V)
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103.0
113.0
121.0
126.0
137.0
146.0
162.0
177.0
193.0
209.0
243.0
259.0
275.0
289.0
Ip
(A)
544.0
486.0
447.0
417.0
388.0
368.0
348.0
325.0
295.0
275.0
252.0
233.0
216.0
205.0
193.0
181.0
172.0
154.0
141.0
129.0
119.0
110.0
103.0
93.9
86.1
77.6
72.1
68.8
64.7
60.7
57.5
53.5
51.7
48.6
44.3
41.4
39.7
36.5
34.3
30.9
28.3
26.0
24.0
20.6
19.3
18.2
17.3
@ V
r
( UA)
10000
10000
4000
2000
500
300
100
40
30
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
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鹿园,NY 11729-4681
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半导体
技术数据表4199 , REV 。 -
PPPM -Peak脉冲功率(kW )
100
非重复脉冲
波形所示。
图3 TA = 25°C
SEN-R-1050-XXX
100
PPPM -Peak脉冲功率(kW )
75
10
50
1
25
0.1
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
10000.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TD - 脉冲宽度(秒)。
TA - 环境温度( ° C)
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
150
图2 - 脉冲降额曲线
CJ ,结电容
100000
IPPM - 峰值脉冲电流, %
100
TR = 10微秒。
峰值
IPPM
TJ = 25°C
脉冲宽度( TD )
被定义为点
在峰值电流
衰减到我的50 %
PPM
TJ = 25°C
F = 1MHz的
VSIG = 50mVp -p
在测
零偏压
在测
对峙电压
VWM
10000
50
td
10/1000sec.Waveform
界定的R.E.A.
1000
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
100
1
10
100
VBR - 击穿电压( V)
1000
吨 - 时间(ms )
图3 - 脉冲波形
8
图。 4 - 典型结电容
IFSM ,峰值正向浪涌Currnet ( A)
500
450
400
350
300
250
200
1
10
100
PPM ( AV ) ,稳定状态功率
耗散(W)的
60Hz的电阻或
感性负载
6
8.3ms单半
正弦波
( JEDEC的方法)
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TL - 引脚温度( ℃)
循环次数在60赫兹
图。 5 - 稳态功率降额曲线
图6 - 最大非重复正向
浪涌电流
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半导体
技术参数
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1本文提供的信息,包括规格和尺寸,如有更改,恕不另行通知,以提高产品
的特点。订货前,买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表(S ) 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下(如核电控制,航空航天,交通设备的使用,
医疗设备和安全设备),安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段,用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下, Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元,根据所述数据表(多个)操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息,产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下, Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表(S ) 。
6数据表(S )不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,未经明确的书面许可,
Sensitron半导体。
7-产品(技术)中的数据表(S )描述不提供给任何一方,其目的在他们的应用程序将
妨碍维护国际和平与安全,也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品(技术) ,必要的程序都将采取符合有关法律,
的规定。
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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