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SEMiX303GD12Vc
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 600 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
448
342
300
900
-20 ... 20
T
j
= 125 °C
10
-40 ... 175
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
327
244
300
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
1485
-40 ... 175
T
终奌站
= 80 °C
AC窦50Hz时， T = 1分
600
-40 ... 125
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的33C
V
GES
t
PSC
T
j
I
F
I
fnom的
逆二极管
SEMiX303GD12Vc
特点
齐思
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
T
j
= 175 °C
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 1,0
条件
I
C
= 300 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 300 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 2.1
R
克OFF
= 2.1
的di / dt
on
= 4200 A / μs的
的di / dt
关闭
= 2600 A / μs的
DU / DT
关闭
= 6600 V/
s
每个IGBT
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
1.75
2.2
0.94
0.88
2.7
4.4
马克斯。
2.2
2.5
1.04
0.98
3.9
5.1
6.5
0.3
单位
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
V
GE
=V
CE
, I
C
= 12毫安
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
5.5
6
0.1
18.0
1.77
1.77
3300
2.50
470
72
26.5
665
109
36.3
0.1
K / W
GD
由赛米控
第2版 - 2011年2月16日
1
SEMiX303GD12Vc
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
I
F
= 300 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 4600 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 150 °C
1.1
0.7
2.7
3.5
分钟。
典型值。
2.2
2.2
1.3
0.9
3.0
4.2
283
52
21.4
马克斯。
2.52
2.5
1.5
1.1
3.4
4.6
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 300 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
33c
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
0.19
20
K / W
nH
m
m
K / W
SEMiX303GD12Vc
特点
齐思
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
到终端（ M6）的
2.5
0.7
1
0.014
5
5
900
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
Nm
Nm
Nm
g
K
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
。温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
）]; T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 1,0
GD
2
第2版 - 2011年2月16日
由赛米控
SEMiX303GD12Vc
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第2版 - 2011年2月16日
3
SEMiX303GD12Vc
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第2版 - 2011年2月16日
由赛米控
SEMiX303GD12Vc
SEMiX的33C
引脚
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们的工作人员事先协商。
由赛米控
第2版 - 2011年2月16日
5
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