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SEMiX302KH16s
绝对最大额定值
符号
芯片
I
T（ AV ）
I
TSM
i
2
t
窦180 °
10毫秒
10毫秒
T
c
= 85 °C
T
c
= 100 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 130 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 130 °C
300
230
9300
8000
432000
320000
1700
1600
1600
T
j
= 130 °C
T
j
= 130 °C
130
1000
-40 ... 130
-40 ... 125
AC 50Hz的窦
1分钟
1s
4000
4800
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
V
V
V
A / μs的
V / μs的
°C
°C
V
V
条件
值
单位
SEMiX的
2s
V
RSM
V
RRM
V
DRM
（ di / dt的）
cr
整流器Thyr /二极管模块
SEMiX302KH16s
（ dv / dt的）
cr
T
j
模块
T
英镑
特点
终端高17 mm
芯片直接焊接在隔离
基板
V
ISOL
特征
符号
芯片
V
T
V
T（ TO ）
r
T
I
DD
;I
RD
t
gd
t
gr
t
q
I
H
I
L
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
模块
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
a
w
250
每个芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
0.045
5
5
5 * 9,81
K / W
K / W
Nm
Nm
M / S
2
g
T
j
= 25 ° C，I
T
= 900 A
T
j
= 130 °C
T
j
= 130 °C
T
j
= 130℃ ，V
DD
= V
DRM
; V
RD
= V
RRM
T
j
= 25 ° C，I
G
= 1 ，二
G
/ DT = 1 A / μs的
V
D
= 0.67 * V
DRM
T
j
= 130 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 ° C，R
G
= 33
T
j
= 25 ° C，直流
T
j
= 25 ° C，直流
T
j
= 130℃，直流
T
j
= 130℃，直流
每个晶闸管
每个模块
罪。 180 °
每个晶闸管
每个模块
每个晶闸管
每个模块
0.091
0.091
3
200
0.25
10
1
2
150
150
300
500
1000
1.7
0.85
1.1
75
V
V
m
mA
s
s
s
mA
mA
V
mA
V
mA
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
典型应用*
输入桥式整流器的AC / DC马达
控制
电源
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
KH
由赛米控
牧师34 - 2010年3月25日
1
SEMiX302KH16s
图。 1L ：每个晶闸管功耗/二极管与
通态电流
图。 1R ：每个晶闸管功耗/二极管与
环境温度
图。 2L ：一个模块与电流有效值的功耗
图。 2R ：一个模块与外壳的功耗
温度
图。 3L ：两个模块直接与功耗
当前
图。 3R ：两个模块与功耗情况
温度
2
牧师34 - 2010年3月25日
由赛米控
SEMiX302KH16s
图。 4L ：三个模块直接与功耗
当前
图。 4R ：三个模块与功耗情况
温度
图。 5 ：恢复电荷与电流下降
图。 6 ：瞬态热阻抗随时间变化
图。 7 ：通态特性
图。 8 ：浪涌过载电流与时间的关系
由赛米控
牧师34 - 2010年3月25日
3
SEMiX302KH16s
图。 9 ：门极触发特性
Spring配置
SEMiX的2S
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
4
牧师34 - 2010年3月25日
由赛米控
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数量
封装
单价/备注
操作
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