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SEMiX754GB128Ds

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

SPT IGBT模块

SEMiX754GB128Ds

逆二极管

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

目标数据

特点

典型应用

逆二极管

热特性

温度传感器

机械数据

2005年6月12日GES

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

2005年6月12日GES

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 IGBT的9瞬态热阻抗

图。 FWD的10瞬态热阻抗

图。 11典型。 CAL二极管的正向特性

图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

2005年6月12日GES

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证

明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。

2005年6月12日GES

由赛米控

SEMiX的754GB128Ds

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

SPT IGBT模块

SEMiX的754GB128Ds

模块

初步数据

逆二极管

特点

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的754GB128Ds

特征

符号条件

逆二极管

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

SEMiX的

SPT IGBT模块

模块

SEMiX的754GB128Ds

初步数据

特点

温度传感器

典型应用

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准

IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但不承诺

的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的

交付，性能或适用性。

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的754GB128Ds

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的754GB128Ds

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 9典型。瞬态热阻抗

图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的754GB128Ds

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

CRM

GES

= 150°C

CRM

= 2xI

cnom

= 600V

≤

20V

= 125°C

CES

≤

1200V

= 25°C

= 80°C

1200

680

482

800

-20 ... 20

-40 ... 150

= 25°C

= 80°C

562

385

800

3100

-40 ... 150

600

-40 ... 125

AC窦50Hz的，T = 60

4000

°C

条件

值

单位

SEMiX的

SPT IGBT模块

PSC

逆二极管

= 150°C

FRM

= 2xI

fnom的

= 10毫秒，半正弦波，T

= 25°C

SEMiX754GB128Ds

初步数据

特点

齐思

SPT =软穿通技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工高达20千赫

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（J -C ）

每个IGBT

cnom

= 400A

= 15V

chiplevel

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 15V

= 25°C

= 125°C

4.5

= 25°C

= 125°C

F = 1MHz的

37.7

2.48

1.56

3840

1.00

180

655

120

0.05

1.9

2.10

0.9

2.3

3.0

0.2

2.35

2.55

1.15

1.05

3.0

3.8

6.5

0.6

K / W

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

备注

, I

= 16毫安

= 0V

= 1200V

= 25V

= 0V

= - 8 V...+ 15 V

= 25°C

= 600V

cnom

= 400A

= 125°C

G于

= 2.5

克OFF

= 2.5

由赛米控

03.04.2008

SEMiX754GB128Ds

特征

符号

条件

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 125°C

RRM

日（J -C ）D

模块

fnom的

= 400A

= 125°C

的di / dt

关闭

= 5800A /μs的T = 125°C

= -15V

= 125°C

= 600V

每二极管

0.75

0.5

1.9

2.0

分钟。

典型值。

2.0

1.8

1.1

0.85

2.3

2.4

365

马克斯。

2.5

2.3

1.45

1.2

2.6

2.8

单位

逆二极管

= V

fnom的

= 400A

= 0V

chiplevel

SEMiX的

SPT IGBT模块

0.082

K / W

SEMiX754GB128Ds

初步数据

特点

齐思

SPT =软穿通技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

CC' + EE '

TH （ C- S）

温度传感器

100

100/125

= 100 ° C（R

=5 k)

(T)

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/T

100

)];

T [ K] ;

水库，终端芯片

每个模块

到散热器（M5）

到终端（ M6）的

2.5

= 25°C

= 125°C

0.7

0.03

400

0,493

±5%

3550

±2%

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工高达20千赫

备注

03.04.2008

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

由赛米控

03.04.2008

SEMiX754GB128Ds

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 9典型。瞬态热阻抗

图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

03.04.2008

由赛米控

SEMiX754GB128Ds

SEMiX的4S

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或出示担保明示或

暗示方面取得的交付，性能或适用性。

由赛米控

03.04.2008