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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第171页 > SEMIX703GAL126HDS
SEMiX703GAL126HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 600 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
642
449
450
900
-20 ... 20
10
-40 ... 150
561
384
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
533
367
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX703GAL126HDs
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
案例。温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
不适用于新设计
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
32.3
1.69
1.46
3600
1.67
1.7
2
1
0.9
1.6
2.4
5.8
0.1
2.1
2.45
1.2
1.1
2.0
3.0
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAL
由赛米控
第0版 - 2010年4月16日
1
SEMiX703GAL126HDs
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 450 A
R
G于
= 1.6
R
克OFF
= 1.6
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 8500 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 8500 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
分钟。
典型值。
310
60
32
680
135
68
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX703GAL126HDs
R
日（J -C ）
0.061
1.6
1.6
0.9
0.7
1.1
1.6
1
0.8
1.3
1.8
580
130
60
0.11
1.7
1.7
0.9
0.7
1.3
1.8
1
0.8
1.5
2.1
580
130
60
0.11
20
1.9
1.9
1.1
0.9
1.8
2.3
1.80
1.8
1.1
0.9
1.6
2.0
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
K / W
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
备注
案例。温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
不适用于新设计
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
到终端（ M6）的
2.5
0.7
1
0.04
5
5
300
Nm
Nm
Nm
g
K
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
GAL
2
第0版 - 2010年4月16日
由赛米控
SEMiX703GAL126HDs
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第0版 - 2010年4月16日
3
SEMiX703GAL126HDs
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第0版 - 2010年4月16日
由赛米控
SEMiX703GAL126HDs
SEMiX的3S
Spring配置
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第0版 - 2010年4月16日
5
SEMiX703GAL126HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 600 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
642
449
450
900
-20 ... 20
10
-40 ... 150
561
384
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
561
384
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX703GAL126HDs
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
案例。温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
不适用于新设计
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
32.3
1.69
1.46
3600
1.67
1.7
2
1
0.9
1.6
2.4
5.8
0.1
2.1
2.45
1.2
1.1
2.0
3.0
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAL
由赛米控
启16 - 2009年12月16日
1
SEMiX703GAL126HDs
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 8500 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
K
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.04
5
5
300
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
g
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 8500 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
0.9
0.7
1.1
1.6
0.9
0.7
1.1
1.6
1.6
1.6
1
0.8
1.3
1.8
580
130
60
0.11
1.6
1.6
1
0.8
1.3
1.8
580
130
60
0.11
1.8
1.8
1.1
0.9
1.6
2.0
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 450 A
R
G于
= 1.6
R
克OFF
= 1.6
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
310
60
32
680
135
68
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.061
1.80
1.8
1.1
0.9
1.6
2.0
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX703GAL126HDs
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
备注
案例。温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
不适用于新设计
GAL
2
启16 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX703GAL126HDs
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
启16 - 2009年12月16日
3
SEMiX703GAL126HDs
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
启16 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX703GAL126HDs
SEMiX的3S
Spring配置
由赛米控
启16 - 2009年12月16日
5
SEMiX的703GB126HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX的703GAL126HDs
SEMiX的703GAR126HDs
SEMiX的703GB126HDs
初步数据
模块
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GB
GAL
GAR
1
19-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的703GAL126HDs
SEMiX的703GAR126HDs
SEMiX的703GB126HDs
初步数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
GB
GAL
GAR
2
19-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
19-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
19-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
5
19-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX的703GB126HDs
SEMiX的703GAL126HDs
SEMiX的703GAR126HDs
初步数据
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
特点
典型应用
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
GAL
GAR
1
2006年7月4日GES
由赛米控
SEMiX的703GB126HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
2006年7月4日GES
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图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
图。 FWD的10瞬态热阻抗
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
2006年7月4日GES
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SEMiX的703GB126HDs
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
2006年7月4日GES
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