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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1701页 > SEMIX653GAR176HDS
SEMiX的653GB176HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX的653GB176HDs
SEMiX的653GAL176HDs
SEMiX的653GAR176HDs
初步数据
模块
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GB
GAL
GAR
1
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的653GB176HDs
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的653GB176HDs
SEMiX的653GAL176HDs
SEMiX的653GAR176HDs
初步数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
备注
GB
GAL
GAR
2
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的653GB176HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的653GB176HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的653GB176HDs
5
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX653GAR176HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
619
438
450
900
-20 ... 20
10
-55 ... 150
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX653GAR176HDs
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
39.6
1.65
1.31
4200
1.67
2
2.45
1
0.9
2.2
3.4
5.8
2.45
2.9
1.2
1.1
2.8
4.0
6.4
3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAR
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
1
SEMiX653GAR176HDs
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
条件
V
CC
= 1200 V
I
C
= 450 A
R
G于
= 3.6
R
克OFF
= 3.6
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4200 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4200 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
分钟。
典型值。
290
90
300
975
190
180
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX653GAR176HDs
R
日（J -C ）
0.054
1.7
1.7
0.9
0.7
1.3
1.8
1.1
0.9
1.3
1.8
380
130
73
0.11
1.7
1.7
0.9
0.7
1.3
1.8
1.1
0.9
1.3
1.8
380
130
73
0.11
20
1.9
1.9
1.3
1.1
1.3
1.8
1.90
1.9
1.3
1.1
1.3
1.8
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
K / W
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
到终端（ M6）的
2.5
0.7
1
0.04
5
5
300
Nm
Nm
Nm
g
K
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
GAR
2
第1版 - 2010年6月24日
由赛米控
SEMiX653GAR176HDs
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
3
SEMiX653GAR176HDs
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第1版 - 2010年6月24日
由赛米控
SEMiX653GAR176HDs
SEMiX的3S
Spring配置
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
5
SEMiX653GAR176HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
619
438
450
900
-20 ... 20
10
-55 ... 150
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
545
365
450
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX653GAR176HDs
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
39.6
1.65
1.31
4200
1.67
2
2.45
1
0.9
2.2
3.4
5.8
0.1
2.45
2.9
1.2
1.1
2.8
4.0
6.4
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAR
由赛米控
牧师11日 - 2009年12月16日
1
SEMiX653GAR176HDs
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4200 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
K
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.04
5
5
300
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
g
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 450 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4200 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
0.9
0.7
1.3
1.8
0.9
0.7
1.3
1.8
1.7
1.7
1.1
0.9
1.3
1.8
380
130
73
0.11
1.7
1.7
1.1
0.9
1.3
1.8
380
130
73
0.11
1.9
1.9
1.3
1.1
1.3
1.8
条件
V
CC
= 1200 V
I
C
= 450 A
R
G于
= 3.6
R
克OFF
= 3.6
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
290
90
300
975
190
180
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.054
1.90
1.9
1.3
1.1
1.3
1.8
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX653GAR176HDs
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
GAR
2
牧师11日 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX653GAR176HDs
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
牧师11日 - 2009年12月16日
3
SEMiX653GAR176HDs
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
牧师11日 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX653GAR176HDs
SEMiX的3S
Spring配置
由赛米控
牧师11日 - 2009年12月16日
5
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SLI-325YYT31W
ST62T10LT3/OTP
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S72NS256PE0KJGLC2
SRB-S-229-10X
SK701
SMTBJ120B
SA9102H
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