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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第36页 > SEMIX604GB176HDS
SEMiX604GB176HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
j
= 150°C
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000V
V
GE
≤
20V
T
j
= 125°C
V
CES
≤
1700V
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
1700
567
402
800
-20 ... 20
10
-55 ... 150
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
740
496
800
2700
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz的，T = 60
4000
V
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
j
= 150°C
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，半正弦波，T
j
= 25°C
SEMiX604GB176HDs
初步数据
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
I
cnom
= 400A
V
GE
= 15V
chiplevel
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5.2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
35.3
1.46
1.17
3732
1.88
360
65
215
900
165
165
0.058
2
2.45
1
0.9
2.5
3.9
5.8
0.12
2.45
2.9
1.2
1.1
3.1
4.5
6.4
0.36
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
V
GE
=V
CE
, I
C
= 16毫安
V
GE
= 0V
V
CE
= 1700V
V
CE
= 25V
V
GE
= 0V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25°C
V
CC
= 1200V
I
cnom
= 400A
T
j
= 125°C
R
G于
= 3
R
克OFF
= 3
GB
由赛米控
03.04.2008
1
SEMiX604GB176HDs
特征
符号
条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
r
F
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）D
模块
I
fnom的
= 400A
T
j
= 125°C
的di / dt
关闭
= 6600A /μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15V
T
j
= 125°C
V
CC
= 1200V
每二极管
0.9
0.7
1.0
1.3
分钟。
典型值。
1.5
1.4
1.1
0.9
1.0
1.3
560
131
95
马克斯。
1.7
1.6
1.3
1.1
1.0
1.3
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
fnom的
= 400A
V
GE
= 0V
chiplevel
V
F0
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
0.081
22
K / W
nH
m
m
K / W
SEMiX604GB176HDs
初步数据
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.7
1
0.03
5
5
400
0,493
±5%
3550
±2%
Nm
Nm
g
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
k
K
备注
GB
2
03.04.2008
由赛米控
SEMiX604GB176HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
由赛米控
03.04.2008
3
SEMiX604GB176HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
03.04.2008
由赛米控
SEMiX604GB176HDs
SEMiX的4S
GB
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或出示担保明示或
暗示方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
03.04.2008
5
SEMiX的604GB176HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
SEMiX的604GB176HDs
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
目标数据
特点
典型应用
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
1
2005年6月12日GES
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
2
2005年6月12日GES
由赛米控
SEMiX604GB176HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
567
402
400
800
-20 ... 20
T
j
= 125 °C
10
-55 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
740
496
400
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
800
2700
-40 ... 150
T
终奌站
= 80 °C
AC窦50Hz时， T = 1分
600
-40 ... 125
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的4S
沟道IGBT模块
SEMiX604GB176HDs
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
V
GES
t
PSC
T
j
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
逆二极管
T
j
= 150 °C
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
条件
I
C
= 400 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 1200 V
I
C
= 400 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 3
R
克OFF
= 3
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
2
2.5
1
0.9
2.5
3.9
马克斯。
2.45
2.9
1.2
1.1
3.1
4.5
6.4
4
单位
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
V
GE
=V
CE
, I
C
= 16毫安
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
5.2
5.8
0.12
35.3
1.46
1.17
3732
1.88
360
65
215
900
165
165
0.058
K / W
GB
由赛米控
第2版 - 2011年3月23日
1
SEMiX604GB176HDs
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
T
j
= 25 °C
I
F
= 400 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 6600 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
T
j
= 125 °C
0.9
0.7
1.0
1.3
分钟。
典型值。
1.5
1.4
1.1
0.9
1.0
1.3
560
131
95
马克斯。
1.70
1.6
1.3
1.1
1.0
1.3
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 400 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
SEMiX604GB176HDs
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
0.081
22
K / W
nH
m
m
K / W
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
到终端（ M6）的
2.5
0.7
1
0.03
5
5
400
Nm
Nm
Nm
g
K
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
。温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
）]; T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
GB
2
第2版 - 2011年3月23日
由赛米控
SEMiX604GB176HDs
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第2版 - 2011年3月23日
3
SEMiX604GB176HDs
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第2版 - 2011年3月23日
由赛米控
SEMiX604GB176HDs
SEMiX的4S
Spring配置
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们的工作人员事先协商。
由赛米控
第2版 - 2011年3月23日
5
SEMiX的604GB176HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
SEMiX的604GB176HDs
模块
初步数据
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GB
1
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的604GB176HDs
初步数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
GB
2
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
5
20-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
SEMiX的604GB176HDs
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
目标数据
特点
典型应用
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
1
2005年6月12日GES
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
2
2005年6月12日GES
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
SEMiX的604GB176HDs
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
目标数据
特点
典型应用
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
1
2005年6月12日GES
由赛米控
SEMiX的604GB176HDs
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
2
2005年6月12日GES
由赛米控
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SUU50N10-18P
SR3015330KL
SG3317(B)
SY100S834ZGTR
SN74AVC16374
SL0522101
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SEMIX604GB176HDS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-82539336
联系人：陈
地址：深圳市福田区华强电子世界一店1号楼3楼13C156房间（老华强1号楼21号门的12-13号货梯旁）。
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电话：18913062888
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