【SEMiX604GB12E4s绝对最大额定值符号IGBTVCESICIcnomICRMICRM= 3】,IC型号SEMIX604GB12E4S,SEMIX604GB12E4S PDF资料,SEMIX604GB12E4S经销商,ic,电子元器件-51电子网

SEMiX604GB12E4s

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 3xI

cnom

= 800 V

≤

20 V

CES

≤

1200 V

GES

PSC

逆二极管

SEMiX604GB12E4s

条件

值

1200

单位

°C

= 175 °C

= 25 °C

= 80 °C

916

704

600

1800

-20 ... 20

SEMiX的4S

沟道IGBT模块

= 150 °C

-40 ... 175

= 175 °C

= 25 °C

= 80 °C

707

529

600

1800

3240

-40 ... 175

600

-40 ... 125

fnom的

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

FRM

= 3xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊接

AC窦50Hz时， T = 1分

4000

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（J -C ）

= 600 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

= 15 V

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

F = 1 MHz的

37.2

2.32

2.04

3400

1.25

= 150 °C

374

1277

114

110.4

0.049

1.8

2.2

0.8

0.7

1.7

2.5

5.8

0.12

2.05

2.4

0.9

0.8

1.9

2.7

6.5

0.36

K / W

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

备注

外壳温度限制与T

=125°C

马克斯。

产品可靠性的结果是有效的

=150°C

动态值适用于

以下电阻组合：

坤，主

= 1,0

高夫，主

= 6,2

G，X

= 2,2

E，X

= 0,5

, I

= 24毫安

= 0 V

= 1200 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 600 V

= 600 A

= 150 °C

G于

= 1.7

= 150 °C

克OFF

= 6.9

的di / dt

= 7100 A / μs的牛逼

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 6350 A / μs的牛逼

= 150 °C

每个IGBT

由赛米控

第1版 - 2009年2月20日

SEMiX604GB12E4s

特征

符号

条件

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

RRM

日（J -C ）

SEMiX604GB12E4s

分钟。

典型值。

2.1

马克斯。

2.46

2.4

1.5

1.1

1.6

2.1

单位

逆二极管

= V

= 600 A

= 0 V

芯片

1.1

0.7

1.1

1.7

1.3

0.9

1.4

1.9

430

100

SEMiX的

沟道IGBT模块

= 600 A

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 6000 A / μs的T = 150℃

= -15 V

= 150 °C

= 600 V

每二极管

0.086

K / W

模块

CC' + EE '

水库，终端芯片

每个模块

到散热器（M5）

到终端（ M6）的

2.5

= 25 °C

= 125 °C

0.7

0.03

400

= 100 ° C（R

=5 k)

(T)

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/T

100

)];

T [ K] ;

493 ± 5%

3550

±2%

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

TH （ C- S）

典型应用

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊接

。温度传感器

100

100/125

备注

外壳温度限制与T

=125°C

马克斯。

产品可靠性的结果是有效的

=150°C

动态值适用于

以下电阻组合：

坤，主

= 1,0

高夫，主

= 6,2

G，X

= 2,2

E，X

= 0,5

第1版 - 2009年2月20日

由赛米控

SEMiX604GB12E4s

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

第1版 - 2009年2月20日

SEMiX604GB12E4s

图。 7 ：典型值。开关时间与我

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

第1版 - 2009年2月20日

由赛米控

SEMiX604GB12E4s

SEMiX的4S

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证

方面取得的交付，性能或适用性。

由赛米控

第1版 - 2009年2月20日

SEMiX604GB12E4s

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 3xI

cnom

= 800 V

≤

20 V

CES

≤

1200 V

GES

PSC

逆二极管

= 25 °C

= 80 °C

= 150 °C

= 175 °C

= 25 °C

= 80 °C

1200

916

704

600

1800

-20 ... 20

-40 ... 175

707

529

600

FRM

= 3xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

1800

3240

-40 ... 175

600

-40 ... 125

AC窦50Hz时， T = 1分

4000

°C

条件

值

单位

SEMiX的4S

沟道IGBT模块

SEMiX604GB12E4s

= 175 °C

fnom的

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认证，文件编号。 E63532

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

典型应用*

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊接

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（J -C ）

= 600 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

= 15 V

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

F = 1 MHz的

37.2

2.32

2.04

3400

1.25

= 150 °C

374

1277

114

110.4

0.049

1.8

2.2

0.8

0.7

1.7

2.5

5.8

0.12

2.05

2.4

0.9

0.8

1.9

2.7

6.5

0.36

K / W

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

备注

外壳温度限制与T

=125°C

马克斯。

产品可靠性的结果是有效的

=150°C

动态值适用于

以下电阻组合：

坤，主

= 1,0

高夫，主

= 6,2

G，X

= 2,2

E，X

= 0,5

, I

= 24毫安

= 0 V

= 1200 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 600 V

= 600 A

= 150 °C

G于

= 1.7

= 150 °C

克OFF

= 6.9

的di / dt

= 7100 A / μs的牛逼

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 6350 A / μs的

= 150 °C

每个IGBT

由赛米控

第0版 - 2010年5月5日

SEMiX604GB12E4s

特征

符号

条件

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 150 °C

RRM

日（J -C ）

模块

CC' + EE '

水库，终端芯片

每个模块

到散热器（M5）

到终端（ M6）的

2.5

= 25 °C

= 125 °C

0.7

0.03

400

= 100 ° C（R

=5 k)

(T)

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/T

100

)];

T [ K] ;

493 ± 5%

3550

±2%

K / W

。温度传感器

100

100/125

= 600 A

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 6000 A / μs的T = 150℃

= -15 V

= 150 °C

= 600 V

每二极管

1.1

0.7

1.1

1.7

分钟。

典型值。

2.1

1.3

0.9

1.4

1.9

430

100

马克斯。

2.46

2.4

1.5

1.1

1.6

2.1

单位

逆二极管

= V

= 600 A

= 0 V

芯片

SEMiX的

沟道IGBT模块

SEMiX604GB12E4s

0.086

K / W

特点

齐思

海沟= Trenchgate技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认证，文件编号。 E63532

TH （ C- S）

典型应用*

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊接

备注

外壳温度限制与T

=125°C

马克斯。

产品可靠性的结果是有效的

=150°C

动态值适用于

以下电阻组合：

坤，主

= 1,0

高夫，主

= 6,2

G，X

= 2,2

E，X

= 0,5

第0版 - 2010年5月5日

由赛米控

SEMiX604GB12E4s

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

第0版 - 2010年5月5日

SEMiX604GB12E4s

图。 7 ：典型值。开关时间与我

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

第0版 - 2010年5月5日

由赛米控

SEMiX604GB12E4s

SEMiX的4S

Spring配置

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试

用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是

需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。

由赛米控

第0版 - 2010年5月5日