【SEMiX的553GD128Dc绝对最大额定值符号条件IGBT值单位SEMiX的33cSPT IGB】,IC型号SEMIX553GD128DC,SEMIX553GD128DC PDF资料,SEMIX553GD128DC经销商,ic,电子元器件-51电子网

SEMiX的553GD128Dc

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

33c

SPT IGBT模块

SEMiX的553GD128Dc

逆二极管

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

初步数据

特点

典型应用

逆二极管

热特性

温度传感器

机械数据

15-06-2005 SEN

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

15-06-2005 SEN

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 IGBT的9瞬态热阻抗

图。 FWD的10瞬态热阻抗

图。 11典型。 CAL二极管的正向特性

图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

15-06-2005 SEN

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证

明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。

15-06-2005 SEN

由赛米控

SEMiX553GD128Dc

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 2xI

cnom

= 600 V

≤

20 V

CES

≤

1200 V

GES

PSC

逆二极管

= 25 °C

= 80 °C

= 125 °C

= 150 °C

= 25 °C

= 80 °C

1200

533

379

300

600

-20 ... 20

-40 ... 150

421

289

300

FRM

= 2xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

600

2300

-40 ... 150

600

-40 ... 125

AC窦50Hz时， T = 1分

4000

°C

条件

值

单位

SEMiX的33C

SPT IGBT模块

SEMiX553GD128Dc

= 150 °C

fnom的

特点

齐思

SPT =软穿通技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

典型应用*

特征

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工高达20千赫

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（J -C ）

条件

= 300 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 15 V

= 25 °C

= 125 °C

分钟。

典型值。

1.9

2.1

0.9

3.0

4.0

马克斯。

2.35

2.55

1.15

1.05

4.0

5.0

6.5

0.3

单位

, I

= 12毫安

= 0 V

= 1200 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 600 V

= 300 A

G于

= 3

克OFF

= 3

= 125 °C

每个IGBT

= 25 °C

= 125 °C

F = 1 MHz的

4.5

0.1

28.3

1.86

1.17

2880

1.33

185

635

0.061

K / W

由赛米控

启9 - 2009年12月16日

SEMiX553GD128Dc

特征

符号

条件

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

RRM

日（J -C ）

模块

CC' + EE '

水库，终端芯片

每个模块

到散热器（M5）

到终端（ M6）的

2.5

= 25 °C

= 125 °C

0.7

0.014

900

= 100 ° C（R

=5 k)

(T)

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/T

100

)];

T [ K] ;

493 ± 5%

3550

±2%

K / W

。温度传感器

100

100/125

= 300 A

= 125 °C

的di / dt

关闭

= 5400 A / μs的T = 125°C

= -15 V

= 125 °C

= 600 V

每二极管

0.75

0.5

2.5

2.7

分钟。

典型值。

2.0

1.8

1.1

0.85

3.0

3.2

325

马克斯。

2.50

2.3

1.45

1.2

3.5

3.7

单位

逆二极管

= V

= 300 A

= 0 V

芯片

SEMiX的

33c

SPT IGBT模块

SEMiX553GD128Dc

0.11

K / W

特点

齐思

SPT =软穿通技术

CE （ SAT ）

用正温度

系数

高抗短路能力强

UL认可文件中没有。 E63532

TH （ C- S）

典型应用*

AC逆变器驱动器

UPS

电子焊工高达20千赫

启9 - 2009年12月16日

由赛米控

SEMiX553GD128Dc

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

启9 - 2009年12月16日

SEMiX553GD128Dc

图。 7 ：典型值。开关时间与我

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

启9 - 2009年12月16日

由赛米控

SEMiX553GD128Dc

SEMiX的33C

引脚

*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试

用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是

需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。

由赛米控

启9 - 2009年12月16日

SEMiX的553GD128Dc

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

33c

SPT IGBT模块

SEMiX的553GD128Dc

模块

初步数据

逆二极管

特点

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

特征

符号条件

逆二极管

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

SEMiX的

33c

SPT IGBT模块

模块

SEMiX的553GD128Dc

初步数据

特点

温度传感器

典型应用

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准

IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但不承诺

的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的

交付，性能或适用性。

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

图。 7典型。开关时间与我

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

图。 9典型。瞬态热阻抗

图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

20-04-2007 SCH

由赛米控

SEMiX的553GD128Dc

20-04-2007 SCH

由赛米控