添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1057页 > SEMIX453GD176HDC
SEMiX453GD176HDc
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
444
315
300
600
-20 ... 20
10
-55 ... 150
545
365
300
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
600
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的33C
沟道IGBT模块
SEMiX453GD176HDc
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
I
C
= 300 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
26.4
1.10
0.88
2799
2.50
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
335
70
215
990
150
125
0.071
2
2.45
1
0.9
3.3
5.2
5.8
2.45
2.9
1.2
1.1
4.2
6.0
6.4
3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 12毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 1200 V
I
C
= 300 A
R
G于
= 4.3
R
克OFF
= 4.3
GD
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
1
SEMiX453GD176HDc
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.014
5
5
900
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 300 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4700 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
0.9
0.7
1.3
1.8
分钟。
典型值。
1.5
1.4
1.1
0.9
1.3
1.8
350
115
65
马克斯。
1.70
1.6
1.3
1.1
1.3
1.8
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 300 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX453GD176HDc
0.11
K / W
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
GD
2
第1版 - 2010年6月24日
由赛米控
SEMiX453GD176HDc
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
3
SEMiX453GD176HDc
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第1版 - 2010年6月24日
由赛米控
SEMiX453GD176HDc
SEMiX的33C
引脚
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第1版 - 2010年6月24日
5
SEMiX的453GD176HDc
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX的453GD176HDc
模块
初步数据
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GD
1
18-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的453GD176HDc
初步数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
GD
2
18-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
18-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
18-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
5
18-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX453GD176HDc
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 1000 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1700 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1700
444
315
300
600
-20 ... 20
10
-55 ... 150
545
365
300
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
600
2900
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的33C
沟道IGBT模块
SEMiX453GD176HDc
T
j
= 150 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
I
C
= 300 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
5.2
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
26.4
1.10
0.88
2799
2.50
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
335
70
215
990
150
125
0.071
2
2.45
1
0.9
3.3
5.2
5.8
0.1
2.45
2.9
1.2
1.1
4.2
6.0
6.4
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 12毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 1200 V
I
C
= 300 A
R
G于
= 4.3
R
克OFF
= 4.3
GD
由赛米控
启10 - 2009年12月16日
1
SEMiX453GD176HDc
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.014
5
5
900
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 300 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 4700 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 1200 V
每二极管
0.9
0.7
1.3
1.8
分钟。
典型值。
1.5
1.4
1.1
0.9
1.3
1.8
350
115
65
马克斯。
1.70
1.6
1.3
1.1
1.3
1.8
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 300 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX453GD176HDc
0.11
K / W
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
GD
2
启10 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX453GD176HDc
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
启10 - 2009年12月16日
3
SEMiX453GD176HDc
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
启10 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX453GD176HDc
SEMiX的33C
引脚
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
启10 - 2009年12月16日
5
SEMiX的453GD176HDc
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX的453GD176HDc
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
初步数据
特点
典型应用
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GD
1
15-06-2005 SEN
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
15-06-2005 SEN
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
图。 FWD的10瞬态热阻抗
图。 11典型。 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
15-06-2005 SEN
由赛米控
SEMiX的453GD176HDc
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
15-06-2005 SEN
由赛米控
查看更多SEMIX453GD176HDCPDF信息
推荐型号
SCM6323ATS15A
SCBK05FF
SPT7866SCR
SN74AHCU04PWE4
SN74LVT8996
SKUT85T
SST89E54RD2-40-C-PIE1
STK850
SP3077EMN
SI9136LG
SNJ54HC163W
S71WS256NC0BAWY33
SKCD09C060I3
ST72C314N2T6
SSC-MBT753
SR2040CT
SSB-COB7575GW
SY100EL34LZITR
SN65CML100DGK
S29CD032G0JFAA002
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SEMIX453GD176HDC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
24+
1000
MODULE
全新原装现货
上海传泽电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1989029555 复制
电话：13381567868
联系人：陈
地址：上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
SEMIX453GD176HDC
西门康Semikron
21+
9999
Tray
全新原装，原厂渠道现货
上海统盈电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：83415655 复制

电话：13311626995
联系人：易
地址：上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
SEMIX453GD176HDC
西门康Semikron
22+
8000
Tray
全新原装，原厂渠道现货
昆山隆诚翔电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615943 复制
电话：0512-82613006
联系人：曾小姐
地址：昆山市朝阳东路99号4楼
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
昆山隆诚翔电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615943 复制
电话：0512-82613006
联系人：曾小姐
地址：昆山市朝阳东路99号4楼
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
19+
8800
标准封装
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
24+
1000
MODULE
全新原装现货
安徽纽本科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1229871090 复制
电话：400-15695632345
联系人：薛女士
地址：宣州区麒麟大道11号-102
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON/赛米控
24+
1137
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
24+
2158
公司大量全新正品 随时可以发货
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
24+
2158
公司大量全新正品 随时可以发货
上海传泽电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1989029555 复制
电话：13381567868
联系人：陈
地址：上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
SEMIX453GD176HDC
SEMIKRON
22+
360
原厂封装
代理商渠道
查询更多SEMIX453GD176HDC供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！