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SEMiX的453GD12T4c
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX的453GD12T4c
逆二极管
模块
目标数据
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GD
1
2007年2月10日SCH
由赛米控
SEMiX的453GD12T4c
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的453GD12T4c
目标数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
GD
2
2007年2月10日SCH
由赛米控
SEMiX的453GD12T4c
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
2007年2月10日SCH
由赛米控
SEMiX的453GD12T4c
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
2007年2月10日SCH
由赛米控
SEMiX的453GD12T4c
5
2007年2月10日SCH
由赛米控
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