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SEMiX352GAR128Ds
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 600 V
V
GE
≤
20 V
T
j
= 125 °C
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
= 150 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
377
268
200
400
-20 ... 20
10
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
297
204
200
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
400
2000
-40 ... 150
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
200
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
400
2000
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的2S
SPT IGBT模块
SEMiX352GAR128Ds
T
j
逆二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
T
j
= 150 °C
初步数据
特点
齐思
SPT =软穿通技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
T
j
= 150 °C
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工高达20千赫
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 200 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 8毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
18.9
1.24
0.78
1920
2.00
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
4.5
1.9
2.10
1
0.9
4.5
6.0
5
0.1
2.35
2.55
1.15
1.05
6.0
7.5
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
GAR
由赛米控
启8 - 2008年12月2日
1
SEMiX352GAR128Ds
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
R
日（ J- S）
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 200 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 5350 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
R
日（ J- S）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
0,493
±5%
3550
±2%
k
K
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
18
0.7
1
0.045
5
5
250
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
g
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 200 A
T
j
= 125 °C
的di / dt
关闭
= 5320 A / μs的T = 125°C
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 125 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
每二极管
0.75
0.5
3.8
4.0
2.0
1.8
1.1
0.85
4.5
4.8
240
31
11
0.15
2.5
2.3
1.45
1.2
5.3
5.5
0.75
0.5
3.8
4.0
2.0
1.8
1.1
0.85
4.5
4.8
240
31
11
0.15
2.5
2.3
1.45
1.2
5.3
5.5
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 200 A
T
j
= 125 °C
R
G于
= 3
R
克OFF
= 3
分钟。
典型值。
230
55
20
585
90
21
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.083
K / W
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
K / W
SEMiX的
2s
SPT IGBT模块
SEMiX352GAR128Ds
R
日（ J- S）
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 200 A
V
GE
= 0 V
chiplevel
V
F0
初步数据
特点
齐思
SPT =软穿通技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工高达20千赫
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 200 A
V
GE
= 0 V
chiplevel
V
F0
GAR
2
启8 - 2008年12月2日
由赛米控
SEMiX352GAR128Ds
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
由赛米控
启8 - 2008年12月2日
3
SEMiX352GAR128Ds
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
启8 - 2008年12月2日
由赛米控
SEMiX352GAR128Ds
SEMiX的2S
GAR
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
启8 - 2008年12月2日
5
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