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SEMiX的253GD176HDc

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMiX的

33c

沟道IGBT模块

SEMiX的253GD176HDc

逆二极管

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

初步数据

特点

典型应用

逆二极管

备注

热特性

温度传感器

机械数据

GD

1

2006年1月3日GES

由赛米控

SEMiX的253GD176HDc

图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

C

= F（T

C

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

C

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

G

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

2

2006年1月3日GES

由赛米控

SEMiX的253GD176HDc

图。 7典型。开关时间与我

C

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

G

图。 IGBT的9瞬态热阻抗

图。 FWD的10瞬态热阻抗

图。 11 CAL二极管的正向特性

图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

3

2006年1月3日GES

由赛米控

SEMiX的253GD176HDc

图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证

明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。

4

2006年1月3日GES

由赛米控

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