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SEMiX223GD12E4c
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
333
256
225
675
-20 ... 20
10
-40 ... 175
270
202
225
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
675
1161
-40 ... 175
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的33C
沟道IGBT模块
SEMiX223GD12E4c
T
j
= 175 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
I
C
= 75 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 9毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 225 A
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
13.2
0.87
0.71
1275
3.33
213
60
22
535
113
31.4
0.135
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
1.85
2.25
0.8
0.7
4.7
6.9
5.8
0.1
2.1
2.45
0.9
0.8
5.3
7.3
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
T
j
= 150 °C
R
G于
= 1.5
T
j
= 150 °C
R
克OFF
= 1.5
的di / dt
on
= 3630 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 2235 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
每个IGBT
GD
由赛米控
第2版 - 2009年12月16日
1
SEMiX223GD12E4c
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.014
5
5
900
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 225 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3900 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
1.1
0.7
3.6
4.7
分钟。
典型值。
2.2
2.1
1.3
0.9
3.9
5.4
210
37
17.2
马克斯。
2.49
2.4
1.5
1.1
4.4
5.9
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 225 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
33c
沟道IGBT模块
SEMiX223GD12E4c
0.22
K / W
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
GD
2
第2版 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX223GD12E4c
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第2版 - 2009年12月16日
3
SEMiX223GD12E4c
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第2版 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX223GD12E4c
SEMiX的33C
引脚
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第2版 - 2009年12月16日
5
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