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SEMiX的202GB066HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
2s
沟道IGBT模块
SEMiX的202GB066HDs
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
目标数据
特点
典型应用
备注
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
1
2005年1月12日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
2005年1月12日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
图。 FWD的10瞬态热阻抗
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
2005年1月12日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
2005年1月12日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
2s
沟道IGBT模块
SEMiX的202GB066HDs
模块
初步数据
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GB
1
16-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
2s
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的202GB066HDs
初步数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
备注
GB
2
16-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
16-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
16-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
5
16-04-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
2s
沟道IGBT模块
SEMiX的202GB066HDs
逆二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
目标数据
特点
典型应用
备注
逆二极管
热特性
温度传感器
机械数据
GB
1
2006年5月4日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
2006年5月4日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
图。 FWD的10瞬态热阻抗
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
2006年5月4日GES
由赛米控
SEMiX的202GB066HDs
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
2006年5月4日GES
由赛米控
SEMiX202GB066HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 360 V
V
GE
≤
15 V
T
j
= 150 °C
V
CES
≤
600 V
V
GES
t
PSC
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
600
274
207
200
400
-20 ... 20
6
-40 ... 175
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
291
214
200
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
400
1000
-40 ... 175
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的2S
沟道IGBT模块
SEMiX202GB066HDs
T
j
逆二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
初步数据
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
T
j
= 175 °C
典型应用
矩阵变换器
谐振逆变器
电流源逆变器
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
R
日（ J- S）
每个IGBT
每个IGBT
I
C
= 200 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
12.3
0.77
0.37
1600
1.00
65
80
6
545
95
8
0.21
1.45
1.70
0.9
0.85
2.8
4.3
5.8
0.15
1.9
2.1
1
0.9
4.5
6.0
6.5
0.45
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
K / W
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
短路：软
高夫
推荐
以引起过电压的护理
杂散电感
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 3.2毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 600 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 300 V
I
C
= 200 A
T
j
= 150 °C
R
G于
= 4.2
R
克OFF
= 4.2
GB
由赛米控
启18 - 2008年2月12日
1
SEMiX202GB066HDs
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
SEMiX202GB066HDs
分钟。
典型值。
1.4
1.4
马克斯。
1.6
1.6
1.1
0.95
2.5
3.3
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 200 A
V
GE
= 0 V
chiplevel
V
F0
r
F
0.9
0.75
1.5
2.3
1
0.85
2.0
2.8
205
28
6.5
SEMiX的2S
沟道IGBT模块
I
F
= 200 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3900 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -8 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 300 V
每二极管
每二极管
0.27
K / W
K / W
R
日（ J- S）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
初步数据
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
UL认可文件中没有。 E63532
18
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.7
1
0.045
5
5
250
0,493
±5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
g
典型应用
矩阵变换器
谐振逆变器
电流源逆变器
温度传感器
R
100
B
100/125
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
k
K
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
短路：软
高夫
推荐
以引起过电压的护理
杂散电感
GB
2
启18 - 2008年2月12日
由赛米控
SEMiX202GB066HDs
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
由赛米控
启18 - 2008年2月12日
3
SEMiX202GB066HDs
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷
4
启18 - 2008年2月12日
由赛米控
SEMiX202GB066HDs
SEMiX的2S
GB
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
启18 - 2008年2月12日
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