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SEMiX的151GB12T4s
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMiX的
1s
沟道IGBT模块
SEMiX的151GB12T4s
SEMiX的151GAL12T4s
SEMiX的151GAR12T4s
目标数据
逆二极管
模块
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GB
GAL
GAR
1
16-07-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的151GB12T4s
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMiX的
1s
沟道IGBT模块
模块
SEMiX的151GB12T4s
SEMiX的151GAL12T4s
SEMiX的151GAR12T4s
目标数据
特点
温度传感器
典型应用
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
GB
GAL
GAR
2
16-07-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的151GB12T4s
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
16-07-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的151GB12T4s
图。 9典型。瞬态热阻抗
图。 10典型。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
4
16-07-2007 SCH
由赛米控
SEMiX的151GB12T4s
5
16-07-2007 SCH
由赛米控
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ST722511R6T7
STM8L101F3P6
SN74CBTLV3861_07
SUD35N10-26P-E3
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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