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SEMiX151GAL12E4s
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SEMiX151GAL12E4s
条件
值
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
232
179
150
450
-20 ... 20
SEMiX的1秒
沟道IGBT模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
AC窦50Hz时， T = 1分
600
-40 ... 125
4000
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
9.3
0.58
0.51
850
5.00
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
1.8
2.2
0.8
0.7
6.7
10.0
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
7.7
10.7
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
GAL
由赛米控
第1版 - 2009年2月20日
1
SEMiX151GAL12E4s
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 150 A
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
204
42
16.6
468
91
18.4
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
T
j
= 150 °C
R
G于
= 1
T
j
= 150 °C
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 3900 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 2000 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3400 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3400 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
1.1
0.7
4.3
6.7
1.1
0.7
4.3
6.7
0.19
2.1
2.1
1.3
0.9
5.6
7.8
115
23
8.9
0.31
2.1
2.1
1.3
0.9
5.6
7.8
115
23
8.9
0.31
16
2.5
2.4
1.5
1.1
6.4
8.5
2.46
2.4
1.5
1.1
6.4
8.5
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
K / W
SEMiX的
1s
沟道IGBT模块
SEMiX151GAL12E4s
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
到终端（ M6）的
2.5
0.7
1
0.075
5
5
145
Nm
Nm
Nm
g
K
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
GAL
2
第1版 - 2009年2月20日
由赛米控
SEMiX151GAL12E4s
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第1版 - 2009年2月20日
3
SEMiX151GAL12E4s
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第1版 - 2009年2月20日
由赛米控
SEMiX151GAL12E4s
SEMiX的1秒
GAL
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第1版 - 2009年2月20日
5
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