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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第214页 > SEMH7
BCR119.../SEMH7
NPN硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置电阻器（R
1
=4.7k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR119/F/L3
BCR119T/W
C
3
BCR119S
SEMH7
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
TR1
R
1
TR2
1
B
2
E
EHA07264
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07265
TYPE
BCR119
BCR119F
BCR119L3
BCR119S
BCR119T
BCR119W
SEMH7
记号
周
周
WK
周
周
周
WK
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-17-2004
BCR119.../SEMH7
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功率dissipation-
BCR119,
T
S
≤
102°C
BCR119F,
T
S
≤
128°C
BCR119L3,
T
S
≤
135°C
BCR119S,
T
S
≤
115°C
BCR119T,
T
S
≤
109°C
BCR119W,
T
S
≤
124°C
SEMH7,
T
S
≤
75°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCR119
BCR119F
BCR119L3
BCR119S
BCR119T
BCR119W
SEMH7
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
E
P
合计
价值
50
50
5
15
100
200
250
250
250
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
60
≤
140
≤
165
≤
105
≤
300
°C
单位
K / W
2
May-17-2004
BCR119.../SEMH7
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
50
5
-
120
-
0.4
0.5
3.2
-
-
-
-
-
-
-
4.7
-
-
100
630
0.3
0.8
1.1
6.2
k
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
-
V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
150
3
-
-
兆赫
pF
3
May-17-2004
BCR119.../SEMH7
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
-
mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
10
2
h
FE
10
1
10
1
I
C
10
0
10
0
10
-1 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
-1
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
mA
mA
10
1
10
1
I
E
10
0
I
E
10
0
10
-1 -1
10
0
1
10
-1
10
-2
10
10
V
10
2
10
-3
0
1
2
3
V
5
V
我（上）
V
我（关闭）
4
May-17-2004
BCR119.../SEMH7
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR119
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR119F
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR119L3
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR119S
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
5
May-17-2004
SEMH7
NPN硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（R
1
=4.7k)
C1
6
B2
5
E2
4
4
5
3
6
1
2
R
1
TR1
R
1
TR2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07265
TYPE
SEMH7
最大额定值
参数
记号
WK
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
5
15
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
R
thjs
≤
300
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Feb-25-2004
SEMH7
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3
-
f
T
-
150
-
单位
马克斯。
-
-
-
100
630
0.3
0.8
1.1
6.2
k
nA
-
V
V
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
4.7
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
50
50
5
-
120
-
0.4
0.5
3.2
兆赫
pF
1 ）脉冲测试：吨< 300
S; < 2 ％
2
Feb-25-2004
SEMH7
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
-
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
mA
10
2
h
FE
10
1
10
1
I
C
10
0
10
0
10
-1 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
-1
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
mA
mA
10
1
10
1
I
E
10
0
I
E
10
0
10
-1 -1
10
0
1
10
-1
10
-2
10
10
V
10
2
10
-3
0
1
2
3
V
5
V
我（上）
V
我（关闭）
3
Feb-25-2004
SEMH7
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
300
mW
P
合计
200
150
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
10
2
P
totmax
/
P
totDC
R
thjs
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
4
Feb-25-2004
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推荐型号
SN74AUC126
SN54ALS174
SQS16B1002FQ7
SHA9
S-1133B21-I8T1G
ST92124V2QC
STR720-EVAL
SN74ALS259D
S2012DRP
SSC-MBT6320
SD1530-7
SPX1202R-2.5/TR
SWT805-S
S-1460
SR732BTTD1R00F
SDR0805-100ML
SAFJA41M2VC0Z00R03
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