SEMD2
NPN / PNP硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
内置偏置电阻（R
1
=22k,
R
2
=22k)
磁带加载方向
顶视图
3 2 1
4
5
3
6
1
2
在SOT666封装标记
（例如W R ）
对应引脚1设备
在磁带位置：脚1
相同的饲料孔
SIDE
C1
6
B2
5
E2
4
R
2
R
1
TR1
R
2
1
2
B1
3
C2
EHA07176
TR2
R
1
4 5 6
退绕方向
TYPE
SEMD2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
WR
E1
记号
WP
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
10
30
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
mA
mW
°C
R
thjs
≤
300
K / W
1
Feb-26-2004
SEMD2
PNP型
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
1
10
0
I
C
10
0
I
C
10
-1
10
-1 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-2
0
0.5
1
1.5
2
V
3
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Feb-26-2004
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