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SEMD13
NPN / PNP硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
内置偏置电阻（ R1 = 4.7kΩ上，
R
2 =47k)
磁带加载方向
顶视图
3 2 1
4
5
3
6
1
2
在SOT666封装标记
（例如W R ）
对应引脚1设备
在磁带位置：脚1
相同的饲料孔
SIDE
C1
6
B2
5
E2
4
R
2
R
1
TR1
R
2
1
2
B1
3
C2
EHA07176
TR2
R
1
4 5 6
退绕方向
TYPE
SEMD13
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
WR
E1
记号
W6
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
5
15
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
mA
mW
°C
R
thjs
≤
300
K / W
1
Feb-26-2004
SEMD13
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3
-
f
T
-
130
-
R
1
R
1
/R
2
3.2
0.09
4.7
0.1
6.2
0.11
V
我（上）
0.5
-
1.4
V
我（关闭）
0.4
-
0.8
V
CESAT
-
-
0.3
h
FE
70
-
-
I
EBO
-
-
155
I
CBO
-
-
100
V
（ BR ） CBO
50
-
-
V
（ BR ） CEO
50
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
A
-
V
k
-
兆赫
pF
1 ）脉冲测试：吨< 300
S; < 2 ％
2
Feb-26-2004
SEMD13
NPN型
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-3
0
0.2
0.4
0.6
V
1
V
我（上）
V
我（关闭）
3
Feb-26-2004
SEMD13
PNP型
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-3
0
0.2
0.4
0.6
V
1
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Feb-26-2004
SEMD13
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
300
mW
P
合计
200
150
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
10
2
P
totmax
/
P
totDC
R
thjs
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-1 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Feb-26-2004
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