BCR179.../SEMB4
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动器电路。
内置偏置电阻（R
1
= 10k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR179F/L3
BCR179T
C
3
SEMB4
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
TR1
R
1
TR2
1
B
2
E
EHA07180
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07266
TYPE
BCR179F
BCR179L3
BCR179T
SEMB4
记号
WWS
WW
WWS
WW
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-17-2004
BCR179.../SEMB4
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 °C,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0,3 V
输入电阻
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
f
T
C
cb
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
50
5
-
120
-
0,4
0,5
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
150
1,2
-
-
100
630
0,3
1
1,1
13
-
-
k
nA
-
V
兆赫
pF
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
3
May-17-2004
BCR179.../SEMB4
直流电流增益
h
FE
=
(
I
C
)
V
CE
= 5 V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(
I
C
),
h
FE
= 20
10
-1
A
h
FE
10
-2
10
2
I
C
10
-3
10
1 -4
10
-3
-2
10
10
A
10
-1
10
-4
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(
I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
-1
输入过电压
V
我（关闭）
=
(
I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
-2
A
A
10
-3
10
-2
I
C
I
C
10
-4
10
-3
10
-5
10
-4 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-6
0
0.5
1
V
2
V
我（上）
V
我（关闭）
4
May-17-2004
SEMB4
PNP硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（R
1
=10k)
C1
6
B2
5
E2
4
4
5
3
6
1
2
R
1
TR1
R
1
TR2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07266
TYPE
SEMB4
最大额定值
参数
记号
WW
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗
,
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
50
50
5
20
100
250
150
-65 ... 150
V
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
R
thjs
≤
300
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Mar-01-2004
QQ：2881677436 复制
