威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
超低电容TVS阵列
FM120-M
SEDFN05V4
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
特点
设计，
批量
特点
过程泄漏出色的功耗报价
应用
更好的反
电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
包装设计的高速线路优化
低功耗，高效率。
流动设计，
低正向压降。
高电流能力，
高浪涌能力。
保护四个I / O线
Guardring过电压保护。
低电容： 0.3pF典型（ I / O到I / O）
超高速开关。
硅外延平面
低钳位电压
芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
低工作电压： 5V
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
固态硅雪崩技术
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
高清晰度多媒体接口（HDMI ） 。
0.146(3.7)
数字视频接口
0.130(3.3)
（ DVI）的
DisplayPortTM接口
MDDI端口
LVDS
串行ATA
PCI Express的
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
无铅封装可用
机械数据
0.040(1.0)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
符合下列标准
0.024(0.6)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
IEC61000-4-2
典型值。
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031(0.8)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
4级15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
方法2026
概述
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
安装位置：任意
SEDFN05V4是超低电容TVS阵列
25千伏HBM （人体模型）
重量：的逼近0.011克
设计用于保护高速数据interfaces.This
系列有
最大额定值和电气特性
经过特别设计，以保护
过压
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
to
其连接的敏感元件
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
高速数据和传输线形成
对于容性负载，减免电流20 ％
造成
放电） ， CDE （电缆
标识代码
最大RMS电压
最大直流阻断电压
评级
by
ESD（静电
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
放电
事件） ，并
12
20
14
20
最大的经常
快速瞬变）
EFT （电
峰值反向电压
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
工作原理图
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
价值
0.85
0.9
0.92
绝对最大
在@T A = 25 ℃
最大平均反向电流
评级
额定阻断电压DC
符号
注意事项：
I
R
参数
单位
瓦
A
kV
°C
°C
P PK
我PP
V ESD
TJ
T英镑
峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS ）
峰值脉冲电流（ TP = 8 /20μS ）
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
工作温度
储存温度
150
5
+/- 17
+/- 12
-55到+125
-55到+150
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
威伦
超低电容TVS阵列
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
FM120-M
SEDFN05V4
THRU
FM1200-M
包装外形
SOD-123H
无铅产品
电气参数
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
符号
型材表面安装，以便应用程序
参数
低
优化电路板空间。
反向
最大
峰值脉冲
I
PP
功率损耗，效率高。
低
当前
高电流能力，低正向电压降。
V
C
钳位电压@ I
PP
高浪涌能力。
V
Guardring过电压保护。
工作峰值反向电压
RWM
超高速开关。
最大反向漏电流
I
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
R
@ V
RWM
无铅零件符合环保标准
I
T
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
测试电流
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
BR
击穿电压@ I
无卤素产品包装代码
T
后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
例
特性（环境温度Tamb = 25
℃
)
电动
：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
BR
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
典型特征
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极指示
分钟。
BAND
典型0V偏置
安装位置：任意
V
V
V
μA
pF
重量：的逼近0.011克
SEDFN05V4
6
15
5
1
0.30
最大额定值和电气特性
Vc
V
RWM
I
RWM 。
C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
超低电容TVS阵列
FM120-M
SEDFN05V4
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
m
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
超低电容TVS阵列
FM120-M
SEDFN05V4
THRU
FM1200-M
包装外形
SOD-123H
无铅产品
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
DFN - 10机械数据
和耐热性。
更好的反向漏电流
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
.100(2.55)
低功耗，高效率。
.096(2.45)
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.041(1.05)
.037(0.95)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
.0 02(0.0 5)
.000( 0.00
.000(0 .00 )
.02 6(0.65 )
.022 (0.55 )
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
.000 6(0.152 )
REF 。
.0 006(0. 152)
REF 。
最大额定值和电气特性
.020(0.50)TYP.
.100(2.50)
.006(1.50)
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
.018(0.45)
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.014(0.35)
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
.035(0.90)
.043(1.10)
16
60
42
1.0
30
40
120
60
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
.018(0.45)
.014(0.35)
A
A
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
尺寸以英寸（毫米）
C
J
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
记号
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
V
F
I
R
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
m
注意事项：
类型编号
SEDFN05V4
标识代码
05V4
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-09
2012-06
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