初步
固态器件， INC 。
SED75KB30
SED75KE30
75安培
30伏特
肖特基
整流器器
SEDPACK 2
设计师的数据表
产品特点：
低反向漏
低正向压降
密封功率表面贴装封装
保护环，过电压保护
共晶芯片粘接
175
o
C的工作温度
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
最大额定值
反向重复峰值和直流阻断电压
平均正向电流整流
（阻性负载， 60Hz的正弦波，T
C
= 100
o
C)
峰值浪涌电流
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波叠加木卫一，允许
路口到达脉冲，T之间的平衡
A
= 25
o
C)
工作和存储温度
最大热阻
结到外壳
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
Io
I
FSM
热门& TSTG
R
2JC
价值
30
75
600
-55到+175
0.8
单位
伏
安培
安培
o
C
o
C / W
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ：
SH0019B
固态器件， INC 。
14701凡世通大道。 *拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SED75KB30
SED75KE30
75安培
30 VOLT
肖特基整流器器
产品特点：
低反向漏
低正向压降
密封面电源
贴装封装
保护环，过电压保护
TX ， TXV和空间层次筛选
可用的
2/
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SED75__ 30 __
L
筛选
2/
=无
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
L
CON组fi guration
KB =不含铅
KE =铅
最大额定值
反向重复峰值电压
和阻断电压DC
平均正向电流整流
（阻性负载， 60赫兹，正弦波，T
A
= 100
o
C)
峰值浪涌电流
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波叠加在我
O
，允许结
达到平衡脉冲，T之间
A
= 25
o
C)
工作和存储温度
最大热阻
结到外壳
注意事项：
1 /有关订购信息，价格，工作曲线，和可用性 -
联系工厂。
2 /筛选，以MIL -PRF- 19500 。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
价值
30
75
600
-55到+150
0.7
SEDPACK 2
单位
伏
安培
安培
o
o
C
C / W
KB系列
KE系列
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： SH0019C
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道。 *拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SED75KB30
SED75KE30
符号
I
F
=50 A
DC
I
F
=75 A
DC
最大
单位
电气特性
正向电压降
(T
A
= 25
o
C, 300
微秒
脉冲）
正向电压降
(I
F
=50 A
DC ，
T
A
= +125
o
C, 300
微秒
脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
, 300
微秒
脉冲最小值）
结电容
o
(V
R
= 5 V
DC
, T
A
= 25°C ， F = 1兆赫）
案例外形： SED75KB30
.315±.010
V
F1
V
F2
V
F3
0.52
0.60
0.45
2
450
4600
V
DC
V
DC
mA
pF
T
A
= 25
o
C
o
T
A
= 125 C
I
R1
I
R2
C
J
案例外形： SED75KE30
.315
±.010
.110
最大
.275±.005
平方米。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： SH0019C
DOC
QQ：2880707522 复制
