固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SED70KB30
SED70KE30
70安培
30伏特
低V
F
肖特基
整流器器
SEDPACK 2
设计师的数据表
产品特点：
低反向漏
低正向压降
密封功率表面贴装封装
保护环，过电压保护
共晶芯片粘接
175
o
C的工作温度
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
较低的正向电压降超过SED75KE30
低漏比SED60KE25
最大额定值
反向重复峰值和直流阻断电压
平均正向电流整流
（阻性负载， 60Hz的正弦波，T
C
= 100
o
C)
峰值浪涌电流
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波叠加木卫一，允许
路口到达脉冲，T之间的平衡
A
= 25
o
C)
工作和存储温度
最大热阻
结到外壳
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
Io
价值
30
70
单位
伏
安培
I
FSM
热门& TSTG
R
2JC
600
-55到+175
0.8
安培
o
C
o
C / W
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ：
SH0025A
SED70KB30
SED70KE30
电气特性
正向电压降
(T
A
= 25
o
C, 300
:s
脉冲）
正向电压降
(I
F
= 70A
DC
, T
A
=+125
o
C, 300
:s
脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
, 300
：秒
脉冲最小值）
结电容
(V
R
= 5V
DC
, T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的）
案例外形：
P / N SED70KB30
案例外形：
P / N SED70KE30
T
A
= 25
o
C
T
A
= 125
o
C
I
F
= 30A
DC
I
F
= 70A
DC
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符号
V
F1
V
F2
V
F3
I
R1
I
R2
C
J
价值
0.44
0.53
0.42
5
450
4600
单位
V
DC
V
DC
mA
pF
典型工作曲线
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
％的最大向前
额定电流（ ％ ）
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
1
00
o
C
外壳温度（
o
C)
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