SED1330
CMOS图形LCD控制器
这部分被替换为SED1335 。 SED1330与SED1335之间的某些引脚存在差异。请检查
SED1335的数据表。 S- MOS系统公司，将继续支持使用SED1330现有设计。
s
描述
该SED1330是CMOS低功率点阵液晶显示面板控制器。在该装置中存储
由一个8位微型计算机送到外部RAM的显示数据，并产生所有LCD所需的信号
驱动程序。该LSI集成了一个内部字符发生器ROM ，支持用户自定义字符
（也可外接CGROM可以支持）。
该SED1330可以连接到高速微处理器如Intel家族或Motorola家族。
该控制器支持的一组丰富的命令，这将允许用户创建字符的分层显示
和图形。
另外，控制器作为主控板和显示存储器之间的管线缓冲器，使得低成本，
中速的SRAM可以使用。
s
特点
CMOS低功耗图形和字符显示
调节器
接口是兼容的
可选MPUand摩托罗拉家庭与两个
Intel系列
平滑滚动支持：
水平和垂直滚动
滚动显示的选定区域的
多模式显示：
2层重叠的字符和图形
3层重叠的图形
可选的显示合成：
逆视频
闪烁显示，光标开/关/闪烁
在和酒吧的光标，光标块
简单的动画
可编程光标
内部字符发生器ROM
支持外部字符发生器ROM：
8
×
8或8个
×
16像素字符
允许的ROM和RAM的字符集的混合
支持64K字节的内存：
2 32K
×
8 100ns的SRAM
或8的8K
×
8 100ns的SRAM
显示器责任.................................. 1/2到1/256
低功耗................ 5毫安（典型值）
0.05μA （典型值） ，待机
逻辑电源........................ 4.5 5.5V
包装................塑料QFP5-60引脚（ FBA ）
塑料QFP6-60引脚（ FBB ）
s
系统框图
数据
中央处理器
68xx
80xx
控制
SED1330F
液晶显示
SRAM
125
SED1330
DC电气特性
参数
工作电压
寄存器的数据保持电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
正触发阈值电压
负触发阈值电压
符号
V
DD
V
OH
V
IHT
V
ILT
V
OHT
V
OLT
V
IHC
V
ILC
V
OHC
V
OLC
V
T+
V
T–
I
LI
I
LO
I
DDA
I
DDS
f
OSC
f
CLK
R
f
(V
DD
= 5V±10%, V
SS
= 0V ，T
a
= -20至75° C）
条件
民
4.5
2.0
D0至D7 ， A0 ， CS ， RD ， WR ，
VD0到VD7 ，我
OH
= -5.0mA ，
I
OL
= 5.0毫安， VR / W， VCE ，
REF
I
OH
= 1.6毫安，我
OL
= -1.6mA ，
SEL1 ， 2 ， SYNC ， YD ， XD0到
YSCL ， YDIS ， OSC1 ， OSC2
RES *
V
I
=V
DD
或V
SS
f
OSC
= 10MHz时，无负载
（无需外部V- RAM）
XG = CS = V
DD
典型值
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
5.5
6.0
V
DD
+0.3
0.8
—
0.4
—
0.2V
DD
—
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
兆赫
兆赫
M
T
T
L
C
M
O
S
施密特
2.2
–0.3
2.4
—
0.8V
DD
—
—
XD3 ， XSCL ，的XeCl ， LP ， FR ，V
DD
–0.4
0.5V
DD
0.7V
DD
0.8V
DD
0.2V
DD
0.3V
DD
0.5V
DD
—
—
—
—
1.0
—
0.5
0.05
0.10
8
0.05
—
—
1.0
2.0
5.0
12
20
10.0
10.0
5.0
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
待机电流
振荡频率
外部时钟频率
反馈电阻
AT震荡器
XG ， XD
* RES输入脉冲应当比1.0ms的时间更长。
VL5应关闭时RES为“L” 。
128
SED1330
°
AC特性
系统总线读/写时序I（ 8080 ）
t
AH8
A0 ， CS
t
AW8
t
CYC
t
CC
t
DS8
WR ， RD
t
DH8
D0~D7
（写）
t
ACC8
t
OH8
D0~D7
（READ ）
信号
A0 ， CS
WR ， RD
参数
地址保持时间
地址建立时间
系统循环时间
控制脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
RD访问时间
输出禁止时间
符号
t
AH8
t
AW8
t
CYC
t
CC
t
DS8
t
DH8
t
ACC8
t
OH8
等级
民
最大
10
—
30
—
*1
220
120
10
—
10
—
—
—
—
120
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注
CL = 100 pF的
+ 1TTL
D0到D7
*1. t
CYC
= 2
t
c
+ t
CC
+ t
CEA
+ 75 >吨
ACV
+ 245 ................内存控制/运动控制命令。
= 4t
C
+ t
CC
+ 30 ..............................................所有其他命令。
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SED1330
CMOS图形LCD控制器
这部分被替换为SED1335 。 SED1330与SED1335之间的某些引脚存在差异。请检查
SED1335的数据表。 S- MOS系统公司，将继续支持使用SED1330现有设计。
s
描述
该SED1330是CMOS低功率点阵液晶显示面板控制器。在该装置中存储
由一个8位微型计算机送到外部RAM的显示数据，并产生所有LCD所需的信号
驱动程序。该LSI集成了一个内部字符发生器ROM ，支持用户自定义字符
（也可外接CGROM可以支持）。
该SED1330可以连接到高速微处理器如Intel家族或Motorola家族。
该控制器支持的一组丰富的命令，这将允许用户创建字符的分层显示
和图形。
另外，控制器作为主控板和显示存储器之间的管线缓冲器，使得低成本，
中速的SRAM可以使用。
s
特点
CMOS低功耗图形和字符显示
调节器
接口是兼容的
可选MPUand摩托罗拉家庭与两个
Intel系列
平滑滚动支持：
水平和垂直滚动
滚动显示的选定区域的
多模式显示：
2层重叠的字符和图形
3层重叠的图形
可选的显示合成：
逆视频
闪烁显示，光标开/关/闪烁
在和酒吧的光标，光标块
简单的动画
可编程光标
内部字符发生器ROM
支持外部字符发生器ROM：
8
×
8或8个
×
16像素字符
允许的ROM和RAM的字符集的混合
支持64K字节的内存：
2 32K
×
8 100ns的SRAM
或8的8K
×
8 100ns的SRAM
显示器责任.................................. 1/2到1/256
低功耗................ 5毫安（典型值）
0.05μA （典型值） ，待机
逻辑电源........................ 4.5 5.5V
包装................塑料QFP5-60引脚（ FBA ）
塑料QFP6-60引脚（ FBB ）
s
系统框图
数据
中央处理器
68xx
80xx
控制
SED1330F
液晶显示
SRAM
125
SED1330
DC电气特性
参数
工作电压
寄存器的数据保持电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
正触发阈值电压
负触发阈值电压
符号
V
DD
V
OH
V
IHT
V
ILT
V
OHT
V
OLT
V
IHC
V
ILC
V
OHC
V
OLC
V
T+
V
T–
I
LI
I
LO
I
DDA
I
DDS
f
OSC
f
CLK
R
f
(V
DD
= 5V±10%, V
SS
= 0V ，T
a
= -20至75° C）
条件
民
4.5
2.0
D0至D7 ， A0 ， CS ， RD ， WR ，
VD0到VD7 ，我
OH
= -5.0mA ，
I
OL
= 5.0毫安， VR / W， VCE ，
REF
I
OH
= 1.6毫安，我
OL
= -1.6mA ，
SEL1 ， 2 ， SYNC ， YD ， XD0到
YSCL ， YDIS ， OSC1 ， OSC2
RES *
V
I
=V
DD
或V
SS
f
OSC
= 10MHz时，无负载
（无需外部V- RAM）
XG = CS = V
DD
典型值
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
5.5
6.0
V
DD
+0.3
0.8
—
0.4
—
0.2V
DD
—
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
A
兆赫
兆赫
M
T
T
L
C
M
O
S
施密特
2.2
–0.3
2.4
—
0.8V
DD
—
—
XD3 ， XSCL ，的XeCl ， LP ， FR ，V
DD
–0.4
0.5V
DD
0.7V
DD
0.8V
DD
0.2V
DD
0.3V
DD
0.5V
DD
—
—
—
—
1.0
—
0.5
0.05
0.10
8
0.05
—
—
1.0
2.0
5.0
12
20
10.0
10.0
5.0
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
待机电流
振荡频率
外部时钟频率
反馈电阻
AT震荡器
XG ， XD
* RES输入脉冲应当比1.0ms的时间更长。
VL5应关闭时RES为“L” 。
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SED1330
°
AC特性
系统总线读/写时序I（ 8080 ）
t
AH8
A0 ， CS
t
AW8
t
CYC
t
CC
t
DS8
WR ， RD
t
DH8
D0~D7
（写）
t
ACC8
t
OH8
D0~D7
（READ ）
信号
A0 ， CS
WR ， RD
参数
地址保持时间
地址建立时间
系统循环时间
控制脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
RD访问时间
输出禁止时间
符号
t
AH8
t
AW8
t
CYC
t
CC
t
DS8
t
DH8
t
ACC8
t
OH8
等级
民
最大
10
—
30
—
*1
220
120
10
—
10
—
—
—
—
120
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注
CL = 100 pF的
+ 1TTL
D0到D7
*1. t
CYC
= 2
t
c
+ t
CC
+ t
CEA
+ 75 >吨
ACV
+ 245 ................内存控制/运动控制命令。
= 4t
C
+ t
CC
+ 30 ..............................................所有其他命令。
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