SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
牧师05 - 2009年8月6日
产品数据表
1.概述
恩智浦半导体SE97测量温度
40 °C
+125
°C
同
JEDEC B级
±1 °C
+75之间的精度
°C
和+95
°C
并且还提供了256个字节
的EEPROM存储器通过我沟通
2
C总线/ SMBus的。它通常安装在一个
双列直插内存模块（DIMM ）测量温度DRAM按照
与新的JEDEC （ JC- 42.4 ）
移动平台内存模块温度传感器
部件
特定网络阳离子，也取代了串行存在检测（ SPD ），这是
用于存储内存模块和供应商信息。
在SE97热传感器工作在V
DD
3.6 V和EEPROM范围为3.0 V
在3.0 V至3.6 V的写入和1.7 V至3.6 V的读取范围。
在DIMM放置温度传感器（ TS ）可以实现精确的监测DIMM模块
温度，以更好地估计在DRAM情况下，温度（T
例
） ，以防止它
超过85的最高工作温度
°C.
该芯片组的节流
根据实际的温度，而不是计算出的最坏情况下的存储器TRAF音响
温度或使用温度传感器安装在环境温度
主板。有在轻薄笔记本高达30 ％的改善了在使用
一个或两个1 GB SO- DIMM内存模块。在TS上需要DDR3 RDIMM和RDIMM
ECC 。在TS的未来用途将包括更多的动态控制热节流时，
使用报警窗口创建多个温区的动态能力
节流和节省处理器时间通过缩放内存刷新率。
该TS由一个
Σ
模拟 - 数字转换器（ADC ） ，用于监视并更新其
自身的温度读数的10倍，每秒读数转换成数字数据，并
把它们锁到数据温度寄存器。用户可编程的寄存器，
的上/下限报警和临界温度跳变点特定网络阳离子，事件输出
控制和温度关断时， DIMM温度检测提供了灵活性
应用程序。
当超越了特定网络连接的温度变化编边界限制，在SE97输出
采用开漏输出，可以拉升0.9 V之间的事件信号
3.6 V的用户有事件输出信号的极性设置，要么是的选项
低电平或高电平有效比较器输出用于恒温器操作，或作为
温度事件中断输出，用于基于微处理器的系统。事件输出
甚至可以CON组fi gured作为一个临界温度输出。
EEPROM的设计具体来说用于DRAM的DIMM SPD 。低128字节
（地址从00h到7F ）可永久写保护（ PWP）或可逆写
保护（ RWP ）通过软件。这使得DRAM供应商和产品信息是
存储和写保护。高128字节（地址80H到FFH ）不写
保护，并且可用于一般用途的数据存储。
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
在SE97具有两个温度传感器和EEPROM为更高的可靠性和单一的模
支持业界标准的2线I
2
C总线/ SMBus串行接口。 SMBus接口
超时功能的支持，以防止系统拘留所。制造商和设备ID
寄存器提供精读音响Rm中的设备的身份的能力。三个地址引脚允许
多达8个器件在单个总线控制。
2.特点
2.1一般特点
I
JEDEC （ JC- 42.4 ） TSE 2002B3 DIMM
±
0.5
°C
75间（典型值）。
°C
和95
°C
温度传感器以及256字节的串行EEPROM的串行存在检测（ SPD ）
I
优化电压范围： 3.0 V至3.6 V ，但SPD可以读下来，以1.7 V
I
关断电流： 0.1
A
（典型值）和5.0
A
（ MAX 。 ）
I
2线接口：我
2
C总线/ SMBus兼容， 0 Hz至400 kHz的
I
SMBus报警响应地址和超时（可编程）
I
ESD保护超过每JESD22 - A114 2500 V HBM ， 250 V MM元
JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM
I
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安
I
可用的软件包： TSSOP8 ， HVSON8 ， HXSON8 ， HWSON8 （ JEDEC PSON8
VCED-3)
2.2温度传感器的特点
I
I
I
I
I
11位ADC，温度 - 数字转换器0.125
°C
决议
工作电流： 250
A
（典型值）和400
A
（ MAX 。 ）
可编程迟滞阈值：关， 0
°C,
1.5
°C,
3
°C,
6
°C
上/下/临界温度事件输出
B级精度：
N
±0.5 °C/±1 °C
（典型值/最大值）
→
+75
°C
到+95
°C
N
±1.0 °C/±2 °C
（典型值/最大值）
→
+40
°C
+125
°C
N
±2.0 °C/±3 °C
（典型值/最大值）
→ 40 °C
+125
°C
2.3串行EEPROM功能
I
工作电流：
N
写
→
0.6毫安（典型值）为3.5毫秒（典型值）。
N
读
→
100
A
（典型值）。
I
组织为1块256字节[ （ 256
×
8 ）位]
I
100,000次写/擦除周期和10年数据保存期
I
永久及可逆软件写保护
I
软件写保护的低128个字节
SE97_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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2 54
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
3.应用
I
I
I
I
DDR2和DDR3内存模块
笔记本电脑，个人电脑和服务器
企业网络
硬盘驱动器和其他PC外设
4.订购信息
表1中。
订购信息
顶面
标志
SE97
SE97
97L
S97
包
名字
TSSOP8
HVSON8
HXSON8
HWSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽4.4毫米
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体3
×
3
×
0.85 mm
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.5 mm
塑料的热增强型非常非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.8 mm
VERSION
SOT530-1
SOT908-1
SOT1052-1
SOT1069-1
类型编号
SE97PW
SE97TK
SE97TL
[1]
SE97TP
[1][2]
[1]
[2]
SE97TL和SE97TP报价提高了V
POR
/事件我
OL
.
行业标准2毫米
×
3 mm
×
0.8毫米包JEDEC VCED - 3 PSON8在8毫米
×
4毫米间距带4K的数量卷轴。
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牧师05 - 2009年8月6日
3 54
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
6.管脚信息
6.1钢钉
1号航站楼
索引区
A0
A1
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
002aab805
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
SDA
8
V
DD
EVENT
SCL
SDA
SE97TL
A2
V
SS
3
4
6
5
SE97PW
7
6
5
002aad548
透明的顶视图
图2 。
引脚CON组fi guration为TSSOP8
图3 。
引脚CON组fi guration的HXSON8
1号航站楼
索引区
A0
A1
A2
V
SS
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
A2
4
5
SDA
V
SS
002aab803
1号航站楼
索引区
A0
A1
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
SDA
SE97TK
3
6
SE97TP
3
4
6
5
002aad768
透明的顶视图
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration的HVSON8
图5 。
引脚CON组fi guration的HWSON8
6.2引脚说明
表2中。
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
EVENT
V
DD
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
TYPE
I
I
I
地
I / O
I
O
动力
描述
I
2
C总线/ SMBus从地址位0与内部上拉下来。这
输入过压容限，以支持软件写保护。
I
2
C总线/ SMBus从地址位1带内部上拉下来
I
2
C总线/ SMBus从地址位2带内部上拉下来
接地装置
的SMBus / I
2
C总线串行数据输入/输出（漏极开路） 。必须有
外部上拉电阻。
的SMBus / I
2
C总线串行时钟输入/输出（漏极开路） 。必须有
外部上拉电阻。
热报警输出，用于高/低和临界温度限制
（漏极开路） 。必须有外部上拉电阻。
设备电源（ 3.0 V至3.6 V ） ;支持1.7 V的
只有EEPROM中读取。
SE97_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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牧师05 - 2009年8月6日
5 54
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
牧师07 - 2010年1月29日
产品数据表
1.概述
恩智浦半导体SE97测量温度
40 °C
+125
°C
同
JEDEC B级
±1 °C
+75之间的精度
°C
和+95
°C
并且还提供了256个字节
的EEPROM存储器通过我沟通
2
C总线/ SMBus的。它通常安装在一个
双列直插内存模块（DIMM ）测量温度DRAM按照
与新的JEDEC （ JC- 42.4 ）
移动平台内存模块温度传感器
部件
特定网络阳离子，也取代了串行存在检测（ SPD ），这是
用于存储内存模块和供应商信息。
在SE97热传感器工作在V
DD
3.6 V和EEPROM范围为3.0 V
在3.0 V至3.6 V的写入和1.7 V至3.6 V的读取范围。
在DIMM放置温度传感器（ TS ）可以实现精确的监测DIMM模块
温度，以更好地估计在DRAM情况下，温度（T
例
） ，以防止它
超过85的最高工作温度
°C.
该芯片组的节流
根据实际的温度，而不是计算出的最坏情况下的存储器TRAF音响
温度或使用温度传感器安装在环境温度
主板。有在轻薄笔记本高达30 ％的改善了在使用
一个或两个1 GB SO- DIMM内存模块。在TS上需要DDR3 RDIMM和RDIMM
ECC 。在TS的未来用途将包括更多的动态控制热节流时，
使用报警窗口创建多个温区的动态能力
节流和节省处理器时间通过缩放内存刷新率。
该TS由一个
ΔΣ
模拟 - 数字转换器（ADC ） ，用于监视并更新其
自身的温度读数的10倍，每秒读数转换成数字数据，并
把它们锁到数据温度寄存器。用户可编程的寄存器，
的上/下限报警和临界温度跳变点特定网络阳离子，事件输出
控制和温度关断时， DIMM温度检测提供了灵活性
应用程序。
当超越了特定网络连接的温度变化编边界限制，在SE97输出
采用开漏输出，可以拉升0.9 V之间的事件信号
3.6 V的用户有事件输出信号的极性设置，要么是的选项
低电平或高电平有效比较器输出用于恒温器操作，或作为
温度事件中断输出，用于基于微处理器的系统。事件输出
甚至可以被配置为一个临界温度输出。
该EEPROM是用于DRAM的DIMM SPD设计的。低128字节
（地址从00h到7F ）可永久写保护（ PWP）或可逆写
保护（ RWP ）通过软件。这使得DRAM供应商和产品信息是
存储和写保护。高128字节（地址80H到FFH ）不写
保护，并且可用于一般用途的数据存储。
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
在SE97具有两个温度传感器和EEPROM为更高的可靠性和单一的模
支持业界标准的2线I
2
C总线/ SMBus串行接口。 SMBus接口
超时功能的支持，以防止系统拘留所。制造商和设备ID
寄存器提供精读音响Rm中的设备的身份的能力。三个地址引脚允许
多达8个器件在单个总线控制。
2.特点
2.1一般特点
JEDEC （ JC- 42.4 ） TSE 2002B3 DIMM
±
0.5
°C
75间（典型值）。
°C
和95
°C
温度传感器以及256字节的串行EEPROM的串行存在检测（ SPD ）
优化电压范围： 3.0 V至3.6 V ，但SPD可以读下来，以1.7 V
关断电流： 0.1
μA
（典型值）和5.0
μA
（ MAX 。 ）
2线接口：我
2
C总线/ SMBus兼容， 0 Hz至400 kHz的
SMBus报警响应地址和超时（可编程）
ESD保护超过每JESD22 - A114 2500 V HBM ， 250 V MM元
JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安
可用的软件包： TSSOP8 ， HVSON8 ， HXSON8 ， HWSON8 （ JEDEC PSON8
VCED-3)
2.2温度传感器的特点
11位ADC，温度 - 数字转换器0.125
°C
决议
工作电流： 250
μA
（典型值）和400
μA
（ MAX 。 ）
可编程迟滞阈值：关， 0
°C,
1.5
°C,
3
°C,
6
°C
上/下/临界温度事件输出
B级精度：
±0.5 °C/±1 °C
（典型值/最大值）
→
+75
°C
到+95
°C
±1.0 °C/±2 °C
（典型值/最大值）
→
+40
°C
+125
°C
±2.0 °C/±3 °C
（典型值/最大值）
→ 40 °C
+125
°C
2.3串行EEPROM功能
工作电流：
写
→
0.6毫安（典型值）为3.5毫秒（典型值）。
读
→
100
μA
（典型值）。
组织为1块256字节[ （ 256
×
8 ）位]
100,000次写/擦除周期和10年数据保存期
永久及可逆软件写保护
软件写保护的低128个字节
SE97_7
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年1月29日
2 55
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
3.应用
DDR2和DDR3内存模块
笔记本电脑，个人电脑和服务器
企业网络
硬盘驱动器和其他PC外设
4.订购信息
表1中。
订购信息
上部包
标志
名字
SE97
SE97
97L
S97
S97
TSSOP8
HVSON8
HXSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽4.4毫米
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体3
×
3
×
0.85 mm
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.5 mm
VERSION
SOT530-1
SOT908-1
SOT1052-1
SOT1069-1
SOT1069-2
类型编号
SE97PW
SE97TK
SE97TL
[1]
SE97TP
[1][2][3]
SE97TP/S900
[1][2][3]
HWSON8塑料的热增强型非常非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.8 mm
HWSON8塑料的热增强型非常非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.8 mm
[1]
[2]
[3]
SE97TL和SE97TP报价提高了V
POR
/事件我
OL
.
行业标准2毫米
×
3 mm
×
0.8毫米包JEDEC VCED - 3 PSON8在8毫米
×
4毫米间距带4K的数量卷轴。
SOT1069-1制造在APHK香港SOT1069-2在APB曼谷制造。上部的第三行
标志着将开始与“P”为中SphK和' N'为建业。
SE97_7
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年1月29日
3 55
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
牧师06 - 2009年8月17日
产品数据表
1.概述
恩智浦半导体SE97测量温度
40 °C
+125
°C
同
JEDEC B级
±1 °C
+75之间的精度
°C
和+95
°C
并且还提供了256个字节
的EEPROM存储器通过我沟通
2
C总线/ SMBus的。它通常安装在一个
双列直插内存模块（DIMM ）测量温度DRAM按照
与新的JEDEC （ JC- 42.4 ）
移动平台内存模块温度传感器
部件
特定网络阳离子，也取代了串行存在检测（ SPD ），这是
用于存储内存模块和供应商信息。
在SE97热传感器工作在V
DD
3.6 V和EEPROM范围为3.0 V
在3.0 V至3.6 V的写入和1.7 V至3.6 V的读取范围。
在DIMM放置温度传感器（ TS ）可以实现精确的监测DIMM模块
温度，以更好地估计在DRAM情况下，温度（T
例
） ，以防止它
超过85的最高工作温度
°C.
该芯片组的节流
根据实际的温度，而不是计算出的最坏情况下的存储器TRAF音响
温度或使用温度传感器安装在环境温度
主板。有在轻薄笔记本高达30 ％的改善了在使用
一个或两个1 GB SO- DIMM内存模块。在TS上需要DDR3 RDIMM和RDIMM
ECC 。在TS的未来用途将包括更多的动态控制热节流时，
使用报警窗口创建多个温区的动态能力
节流和节省处理器时间通过缩放内存刷新率。
该TS由一个
Σ
模拟 - 数字转换器（ADC ） ，用于监视并更新其
自身的温度读数的10倍，每秒读数转换成数字数据，并
把它们锁到数据温度寄存器。用户可编程的寄存器，
的上/下限报警和临界温度跳变点特定网络阳离子，事件输出
控制和温度关断时， DIMM温度检测提供了灵活性
应用程序。
当超越了特定网络连接的温度变化编边界限制，在SE97输出
采用开漏输出，可以拉升0.9 V之间的事件信号
3.6 V的用户有事件输出信号的极性设置，要么是的选项
低电平或高电平有效比较器输出用于恒温器操作，或作为
温度事件中断输出，用于基于微处理器的系统。事件输出
甚至可以CON组fi gured作为一个临界温度输出。
EEPROM的设计具体来说用于DRAM的DIMM SPD 。低128字节
（地址从00h到7F ）可永久写保护（ PWP）或可逆写
保护（ RWP ）通过软件。这使得DRAM供应商和产品信息是
存储和写保护。高128字节（地址80H到FFH ）不写
保护，并且可用于一般用途的数据存储。
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
在SE97具有两个温度传感器和EEPROM为更高的可靠性和单一的模
支持业界标准的2线I
2
C总线/ SMBus串行接口。 SMBus接口
超时功能的支持，以防止系统拘留所。制造商和设备ID
寄存器提供精读音响Rm中的设备的身份的能力。三个地址引脚允许
多达8个器件在单个总线控制。
2.特点
2.1一般特点
I
JEDEC （ JC- 42.4 ） TSE 2002B3 DIMM
±
0.5
°C
75间（典型值）。
°C
和95
°C
温度传感器以及256字节的串行EEPROM的串行存在检测（ SPD ）
I
优化电压范围： 3.0 V至3.6 V ，但SPD可以读下来，以1.7 V
I
关断电流： 0.1
A
（典型值）和5.0
A
（ MAX 。 ）
I
2线接口：我
2
C总线/ SMBus兼容， 0 Hz至400 kHz的
I
SMBus报警响应地址和超时（可编程）
I
ESD保护超过每JESD22 - A114 2500 V HBM ， 250 V MM元
JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM
I
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安
I
可用的软件包： TSSOP8 ， HVSON8 ， HXSON8 ， HWSON8 （ JEDEC PSON8
VCED-3)
2.2温度传感器的特点
I
I
I
I
I
11位ADC，温度 - 数字转换器0.125
°C
决议
工作电流： 250
A
（典型值）和400
A
（ MAX 。 ）
可编程迟滞阈值：关， 0
°C,
1.5
°C,
3
°C,
6
°C
上/下/临界温度事件输出
B级精度：
N
±0.5 °C/±1 °C
（典型值/最大值）
→
+75
°C
到+95
°C
N
±1.0 °C/±2 °C
（典型值/最大值）
→
+40
°C
+125
°C
N
±2.0 °C/±3 °C
（典型值/最大值）
→ 40 °C
+125
°C
2.3串行EEPROM功能
I
工作电流：
N
写
→
0.6毫安（典型值）为3.5毫秒（典型值）。
N
读
→
100
A
（典型值）。
I
组织为1块256字节[ （ 256
×
8 ）位]
I
100,000次写/擦除周期和10年数据保存期
I
永久及可逆软件写保护
I
软件写保护的低128个字节
SE97_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年8月17日
2 53
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
3.应用
I
I
I
I
DDR2和DDR3内存模块
笔记本电脑，个人电脑和服务器
企业网络
硬盘驱动器和其他PC外设
4.订购信息
表1中。
订购信息
顶面
标志
SE97
SE97
97L
S97
包
名字
TSSOP8
HVSON8
HXSON8
HWSON8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽4.4毫米
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体3
×
3
×
0.85 mm
塑料的热增强型非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.5 mm
塑料的热增强型非常非常薄小外形封装;
没有线索; 8终端;体2
×
3
×
0.8 mm
VERSION
SOT530-1
SOT908-1
SOT1052-1
SOT1069-1
类型编号
SE97PW
SE97TK
SE97TL
[1]
SE97TP
[1][2]
[1]
[2]
SE97TL和SE97TP报价提高了V
POR
/事件我
OL
.
行业标准2毫米
×
3 mm
×
0.8毫米包JEDEC VCED - 3 PSON8在8毫米
×
4毫米间距带4K的数量卷轴。
SE97_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年8月17日
3 53
恩智浦半导体
SE97
DDR内存模块温度传感器集成社民党， 3.3 V
6.管脚信息
6.1钢钉
1号航站楼
索引区
A0
A1
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
002aab805
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
SDA
8
V
DD
EVENT
SCL
SDA
SE97TL
A2
V
SS
3
4
6
5
SE97PW
7
6
5
002aad548
透明的顶视图
图2 。
引脚CON组fi guration为TSSOP8
图3 。
引脚CON组fi guration的HXSON8
1号航站楼
索引区
A0
A1
A2
V
SS
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
A2
4
5
SDA
V
SS
002aab803
1号航站楼
索引区
A0
A1
1
2
8
7
V
DD
EVENT
SCL
SDA
SE97TK
3
6
SE97TP
3
4
6
5
002aad768
透明的顶视图
透明的顶视图
图4 。
引脚CON组fi guration的HVSON8
图5 。
引脚CON组fi guration的HWSON8
6.2引脚说明
表2中。
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
EVENT
V
DD
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
TYPE
I
I
I
地
I / O
I
O
动力
描述
I
2
C总线/ SMBus从地址位0与内部上拉下来。这
输入过压容限，以支持软件写保护。
I
2
C总线/ SMBus从地址位1带内部上拉下来
I
2
C总线/ SMBus从地址位2带内部上拉下来
接地装置
的SMBus / I
2
C总线串行数据输入/输出（漏极开路） 。必须有
外部上拉电阻。
的SMBus / I
2
C总线串行时钟输入/输出（漏极开路） 。必须有
外部上拉电阻。
热报警输出，用于高/低和临界温度限制
（漏极开路） 。必须有外部上拉电阻。
设备电源（ 3.0 V至3.6 V ） ;支持1.7 V的
只有EEPROM中读取。
SE97_6
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产品数据表
牧师06 - 2009年8月17日
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