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SE97B

DDR内存模块温度传感器集成SPD

版本01 - 2010年1月27日

产品数据表

1.概述

符合JEDEC规格42.4 TSE2002B1 ， 6月3日2009年恩智浦半导体

SE97B测量温度

40 °C

+125

°C

与JEDEC B级

±1 °C

+75之间的最大精度

°C

和+95

°C

临界区，也能提供256个字节

的EEPROM存储器通过我沟通

C总线/ SMBus的。它通常安装在一个

DDR3双列直插内存模块（DIMM ）测量DRAM温度

按照新的JEDEC （ JC- 42.4 ）

移动平台内存模块温度

传感器组件

规范还更换串行存在检测（ SPD ）

这是用来存储数据块和供应商信息。

该SE97B温度传感器和EEPROM工作在V

3.0 V至3.6 V范围

该TS由一个

ΔΣ

模拟到数字转换器（ADC ），用于监视并更新其

自身的温度读数的10倍，每秒读数转换成数字数据，并

把它们锁到数据温度寄存器。用户可编程的寄存器，

的上/下限报警和临界温度跳变点特定网络阳离子，事件输出

控制和温度关断时， DIMM温度检测提供了灵活性

应用程序。

当超过规定的边界限制在温度变化时，输出SE97B

采用开漏输出，可以拉升0.9 V之间的事件信号

3.6 V的用户有事件输出信号的极性设置，要么是的选项

低电平或高电平有效比较器输出用于恒温器操作，或作为

温度事件中断输出，用于基于微处理器的系统。事件输出

也可以被配置为仅一个临界温度输出。

该EEPROM是用于DRAM的DIMM SPD设计的。低128字节

（地址从00h到7F ）可永久写保护（ PWP）或可逆写

保护（ RWP ）通过软件。这使得DRAM供应商和产品信息是

存储和写保护。高128字节（地址80H到FFH ）不写

保护，并且可用于一般用途的数据存储。

该SE97B具有两个温度传感器和EEPROM的高可靠性的单芯片

并支持行业标准的2线I

C总线/ SMBus串行接口。 SMBus接口

超时功能的支持，以防止系统拘留所。制造商和设备ID

寄存器提供精读音响Rm中的设备的身份的能力。三个地址引脚允许

多达8个器件在单个总线控制。

该SE98B可作为唯一的SE97B热传感器。

恩智浦半导体

SE97B

DDR内存模块温度传感器集成SPD

表1中。

特征

SE97中与SE97B特点比较

SE97

老JEDEC规范

没有SMBus超时

SMBus超时25毫秒到35毫秒

400千赫

白细胞介素（最大）

= 0.3

; V

IH（分钟）

= 0.7

设置为0

冻结的

设置为0

是的

设置为0

50纳秒

1010 0010

0000 0001

B级

0.6 V

3.0 V至3.6 V

1.7 V至3.6 V

装配车间香港

3.0 V至3.6 V

装配车间曼谷

（较厚的芯片和引线框）

0000 0011

改进的B级

1.8 V

0.05

设置为1

德断言

设置为1

SE97B

新的JEDEC规范

SMBus超时25毫秒到35毫秒

JEDEC规格

8位“1”温度传感器关闭

8位“0”热传感器活跃

C总线最大频率

SCL和SDA V

电压等级

功能位6 SMBus超时

EVENT引脚操作

功能位7针事件

A0引脚为10 V宽容

功能位5 VHV

尖峰抑制

C输入滞后

SE97设备ID寄存器

修订ID寄存器

温度传感器精度

上电复位（ POR ）

温度传感器的电压范围

EEPROM的写入电压范围

EEPROM读取电压范围

2 mm

3 mm

0.8毫米包

2.特点

2.1一般特点

JEDEC （ JC- 42.4 ） DIMM温度传感器以及256字节的串行EEPROM串行

存在检测（ SPD ）

在分布式多点应用SDA开漏输出设计，最好的操作

关断电流： 0.1

μA

（典型值）和5.0

μA

（ MAX 。）

上电复位（典型值） 1.8 V

2线接口：我

C总线/ SMBus兼容， 0 Hz至400 kHz的

SMBus报警响应地址和超时25毫秒到35毫秒（可编程）

ESD保护超过每JESD22 - A114 2500 V HBM ， 250 V MM元

JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM

闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安

可在HWSON8包

2.2温度传感器的特点

11位ADC，温度 - 数字转换器0.125

°C

决议

电压范围： 3.0 V至3.6 V

工作电流： 250

μA

（典型值）和400

μA

（ MAX 。）

SE97B_1

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DDR内存模块温度传感器集成SPD

可编程迟滞阈值：关， 0

°C,

1.5

°C,

°C

上/下/临界温度事件输出

B级精度：

±0.5 °C/±1 °C

（典型值/最大值）

→

+75

°C

到+95

°C

±1.0 °C/±2 °C

（典型值/最大值）

→

+40

°C

+125

°C

±2.0 °C/±3 °C

（典型值/最大值）

→ 40 °C

+125

°C

2.3串行EEPROM功能

读取和写入电压范围： 3.0 V至3.6 V

工作电流：

写

→

0.6毫安（典型值）为3.5毫秒（典型值）。

读

→

100

μA

（典型值）。

组织为1块256字节（ 256

100,000次写/擦除周期和10年数据保存期

永久及可逆软件写保护

软件写保护的低128个字节

3.应用

DDR2和DDR3内存模块

笔记本电脑，个人电脑和服务器

企业网络

硬盘驱动器和其他PC外设

4.订购信息

表2中。

订购信息

顶面

标志

97B

包

名字

HWSON8

描述

塑料的热增强型非常非常薄小外形封装;

没有线索; 8终端;体2

0.8 mm

VERSION

SOT1069-2

类型编号

SE97BTP

[1]

行业标准2毫米

3 mm

0.8毫米包JEDEC WCE - 3 ， PSON8在8毫米

4毫米间距带4K的数量卷轴。

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SE97B

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5.框图

SE97B

温度寄存器

紧急报警跳闸

上限报警TRIP

下限报警TRIP

能力

制造ID

设备/版本ID

SMBus超时/ ALERT

CON组fi guration

迟滞

SHUTDOWN TEMP SENSOR

锁定保护

EVENT输出ON / OFF

告警输出极性

事件输出状态

清除事件输出状态

FFH

POR

带隙

温度

传感器

11-BIT

ΔΣ

ADC

EVENT

的SMBus / I

C总线

接口

滤波器

SCL

SDA

2 - Kbit的EEPROM

写保护

80h

7Fh

软件

写保护

00h

10 V

过压

30 kΩ到800千欧

指针寄存器

002aae309

图1 。

SE97B的框图

SE97B_1

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SE97B

DDR内存模块温度传感器集成SPD

6.管脚信息

6.1钢钉

1号航站楼

索引区

EVENT

SCL

SDA

SE97BTP

002aae311

透明的顶视图

图2 。

对于HWSON8引脚配置

6.2引脚说明

表3中。

符号

SDA

SCL

EVENT

引脚说明

针

TYPE

地

I / O

动力

描述

C总线/ SMBus从地址位0与内部上拉下来。这

输入过压容限，以支持软件写保护。

C总线/ SMBus从地址位1带内部上拉下来

C总线/ SMBus从地址位2带内部上拉下来

接地装置

的SMBus / I

C总线串行数据输入/输出（漏极开路）。必须有

外部上拉电阻。

的SMBus / I

C总线串行时钟输入/输出（漏极开路）。必须有

外部上拉电阻。

热报警输出，用于高/低和临界温度限制

（漏极开路）。必须有外部上拉电阻。

设备电源（ 3.0 V至3.6 V ）

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