王军（先生） 130288273987
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SE8510
离线隔离型反激式LED控制器与主
侧控制
特点
初级端调节控制，无
光隔离器所需的调节
一次侧电源芯片功耗，简化
变压器设计
8VAC½265VAC wide input voltage
简单的应用程序设计
准确调节LED电流（3％）
芯片使能控制
高线&负载调节
LED短路&开路保护
一次侧OCP ，供应UVLO
保护
ZCD短路保护
CS检测电阻开路保护
OTP保护
使能控制
逐周期的电流控制和
保护
正在申请专利的意识架构
6引脚SOT23 & 8脚SOP封装
其他LED恒流应用
描述
SE8510是一个离线隔离型反激LED
控制器与初级侧控制IC 。
边界模式操作提供了一个小
具有优异的负载磁性解决方案
调节。采用正在申请专利的电流
感测方案中，所述控制器能够
输送到一个井调节电流
次
SIDE
没有
运用
an
光电耦合器。
SE8510采用了坚固耐用的高电压
结分离过程，可承受
高达450V的输入电压浪涌。然后
SE8510可直接通过主供电
线路输入电压源，这简化了
宽输出电压设计的变压器。
也总应用设计变得
比以前更简单。
SE8510具有使能控制功能。
另外
特点
包括
热
关断，电流限制，开& LED短路
负载和VDD欠压锁定。
应用
AC / DC或DC / DC LED驱动器
应用
LED家用电源
典型用途
典型的SE8510 LED驱动器应用电路
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SE8510
引脚配置
引脚说明
名字
VIN
CS
GND
DRV
VDD
ZCD
EN
COMP
SOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
输入电压8V至400V DC
感官初级电流
接地装置
驱动外部MOSFET的栅极
内部稳压电源电压
反馈端子来检测零电流
使能引脚
功补偿
订购信息
TYPE
SE8510
包
SOP8
标志
SE8510
YDD
温度
-40°至85°
磁带和卷轴
3K
SE8510 ， EE-公司的Logo， 5776 - 芯片类型，Y - 年， DD - 生产代码
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SE8510
绝对最大额定值
VIN至GND
CS ， VID ， DRV ， ZCD ， LD ， EN ， COMP到GND
结温
存储温度范围
-0.3V到+ 450V
-0.3V至（VDD + 0.3V ）
+150°
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
注意：绝对最大额定值超出可能会损坏设备的限制。额定工作值是用于条件
该装置旨在是功能性的，但设备参数规格可能无法得到保证。
电气特性
（大
= 25 ° VDD = 7.5V ， VIN = 12V ，除非另有说明otherwi SE ）
C,
符号
V
IN
I
IN
V
DD
I
DD
UVLO
UVLO
V
CS
V
DRV
（ HI ）
V
DRV
（ LO ）
R
EN
V
EN
V
EN -TH
T
空白
T
上升
T
秋天
V
ZCD
V
OVP
I
OCP
T
SD
T
hy
参数
输入直流电源电压范围
电源电流
内部调节电压
VDD电流的外部电路
欠压锁定阈值VDD
欠压闭锁滞后VDD
电流检测门限电压
DRV高输出电压
DRV低输出电压
EN引脚下拉电阻
EN引脚电压范围
2
1
民
8
-
7.0
-
4.5
-
225
V
DD
-0.3
0
典型最大单位
400
2
7.5
-
5.0
1.5
250
-
-
11.0
3
8.0
0.5
6.5
-
275
V
DD
0.3
V
mA
V
mA
V
V
mV
V
V
K
1
0.30
600
50
50
V
V
ns
ns
ns
mV
V
A
°
C
°
C
条件
直流输入电压
V
IN
= 8-400V ，脚DRV开放
V
IN
= 8 - 100V
V
IN
上升
V
IN
秋天
温度= -40 ℃至+ 85 ℃
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= -5mA
对于SE8510
温度
≤
85 °的SE8510
C,
V
CS
≥
300mV,V
LD
=V
DD
C
门
= 500pF的
C
门
= 500pF的
温度
≤
85 °的SE8510
C,
0
0.20
300
-
-
-
0.25
450
30
30
350
1.2
4.8*I
PK
160
70
能阈值电压范围
电流检测消隐期
DRV上升时间
DRV下降时间
ZCD反馈比较器的阈值
ZCD过电压阈值
原边过流门限
热关断温度
热关断迟滞
I
PK
=初级峰值电流
1.同时按封装功耗限制，以较低者为准限制。
2.由于一个内部11K电阻若引脚EN的电压过大时就会有大的电流。
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SE8510
简化内部框图
详细说明
SE8510是一个离线隔离型反激LED
控制器与初级侧控制IC 。它
结合了高性能，低电压
PWM控制芯片和输入电压高
MOSFET能够承受的输入电压
浪涌最高可达450V 。采用已申请专利
电流传感方案中，控制器是能够
提供一个良好调节的电流为
次级侧，而无需使用一个光耦合器。
此外，它保证了安全运行时
发光二极管发生短路或负载开路
电路。
这样的应用系统的设计
变得比以前更加简单。
不连续导电模式
临界导通模式是可变
频率
开关
方案
那
总是
返回次级电流为零以
每个周期。在SE8510依赖于边界
模式或不连续模式来计算
临界电流是因为传感方案
假设次级电流返回到零
与每一个周期。该ZCD引脚使用专利
原理来确定零电流点。
电力供应
如图框图，芯片的电流是
在SE8510内部产生，而无需使用
笨重的启动电阻，通常需要在
中佛罗里达INE
应用程序。
此外，
in
许多
应用的SE8510可连续
利用其内部线性稳压器供电的
提供7.5V的所有调节电压
内部电路。
它的电源是从主线源。通过
原边电流控制
当在CS引脚上的电压超过峰值
电流检测电压的阈值，栅极驱动器
信号终止，并且在功率MOSFET
关闭。阈值内部设定为
为250mV 。初级峰值电流可
计算公式如下：
I
=
............................(1)
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SE8510
启用功能（PIN EN ）
引脚EN可以用来控制芯片。一
11K电阻器被放置在SE8510内部。对
使芯片该管脚应设置为一个水平
超过300mV的大。
输出过压&负载开路
保护（ OVP ）
图1.非连续导通模式
次级侧（负荷）
控制
当前
图2.过电压保护
SE8510控制二次侧的LED
电流从初级侧的信息。该
输出LED的平均电流可以计算出
大致如下：
I
或者，
I
=
×
经过MOSFET关断时， ZCD
比较器检测管脚ZCD的水平。一旦
其电平比为1.2v栅极驱动器较大的将
被关闭。为了避免误触发的OVP
ZCD OVP功能不起作用，直到
空白时间Tzcd （图1） ，典型的间隔是
1us.
过压保护阈值是：
V
= 1.2 × 1 +
=
.
×
............................(2)
............................(3)
N - 打开初级侧比二次
SIDE
R
CS
- 原边电流检测电阻
I
PK1
- 原边峰值电流
.....................(6)
N
美国证券交易委员会
-The二次绕组匝数
N
AUX
-The辅助绕组匝数
下面的波形记录4 OVP事件。
开关频率
SE8510的开关频率可
计算方式为：
F
或者，
F
=
=
............................(4)
............................(5)
原边电流限制
当初级电流超过一个极限，
该芯片将关闭，然后等待
瞬间重新启动。极限是4.8 * I
PK
.
V
OUT
- 输出负载电压
N - 打开初级侧比二次
SIDE
L
美国证券交易委员会
- 二次侧电感
I
PK1
- 原边峰值电流
最好是设定为比频率低
在70KHz 。该建议值是45KHZ 。
输出短路
（ OSCP ）
电路
保护
芯片可以控制输出电流，但
当OSCP更好的办法是禁用PWM
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