威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
P沟道增强型场效应晶体管
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
一般
描述
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
无卤素产品包装
技术
该
SE3407
采用先进沟道
代号后缀"H"
提供
FM120-M
SE3407
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-23
优秀
低栅极电荷。这
R
DS （ ON）
同
机械数据
装置适合于用作负载
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
开关或PWM应用。
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
无铅封装
：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
码头
可用的
方法2026
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
极性：由阴极指示
苏FFI X
无卤素产品包装代码
BAND
“H”
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
1.门
2.源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标记： 3407
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大额定值
负载
=25℃
法）
另有说明）
叠加在额定
(T
a
（ JEDEC
除非
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
参数
工作温度范围
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源电压
存储温度范围
-55到+125
价值
-30
±20
-4.1
350
357
150
-55~+150
40
120
-55到+150
单位
-
65
到+175
V
栅源电压
连续漏电流
特征
V
0.85
0.5
10
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
功耗
反向电流@T A = 25 ℃
最大平均
从结点到环境的热阻
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
结温
最大正向电压在1.0A DC
V
F
I
R
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.50
0.70
A
mW
℃/W
℃
℃
0.9
0.92
储存温度
的4.0伏直流施加反向电压。
1测得1 MHz和
注意事项：
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
测试条件
参数
符号
高浪涌能力。
静态特性
过电压保护。
Guardring为
超高速开关。
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
零门
电压漏电流
环境标准
=-24V,V
GS
= 0V
I
DSS
V
DS
of
无铅零件符合
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
无卤素产品的包装代号后缀"H"
GS
= -10V ，我
D
= -4.1A
FM120-M
SE3407
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
民
-30
典型值
0.146(3.7)
0.130(3.3)
最大
单位
V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-1
±100
60
87
5.5
0.031 （ 0.8 ）典型值。
A
nA
m
0.040(1.0)
0.024(0.6)
漏源导通电阻（注1 ）
机械数据
转发tranconductance （注1 ）
R
DS （ ON）
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3A
-1
m
S
V
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
g
FS
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
案例：模压塑料， SOD- 123H
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
二极管的正向电压
方法2026
（注1 ）
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
I
S
=-1A,V
GS
=0V
极性：由阴极频带指示
动态
特征
（注2 ）
-3
-1
700
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
pF
pF
pF
ns
10
ns
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
尺寸以英寸（毫米）
MOUNTING
输入电容
位置：任意
输出电容
重量：的逼近0.011克
V
DS
=-15V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
120
75
8.6
反向传输电容
额定值和电气特性
C
RSS
最大
评级
特征
（注2 ）
开关
在25 ℃的环境温度，除非另有规定。
导通延迟时间
开启上升时间
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
t
D（上）
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
t
r
t
D（关闭）
t
f
5.0
ns
V
GS
=-10V,V
DS
=-15V,
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
R
L
=3.6,R
根
=3
12
13
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
标识代码
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
最大的经常峰值反向电压
20
14
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
28.2
18
60
80
42
60
1.0
30
注意事项：
最大直流阻断电压
2.
最大RMS电压
13.5
56
80
ns
1.
最大
测试：脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤2%.
O
脉冲
正向平均整流电流
I
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
20
30
这些参数都无从查证。
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
包
批量处理的设计，出色的功耗报价
输出特性
-5
威伦
FM120-M
SE3407
THRU
FM1200-M
特点
典型特征
包装外形
传输特性
SOD-123H
-4
0.146(3.7)
0.130(3.3)
无铅机生产线
-25
-20
-15
-10
更好的反向漏电流和耐热性。
低
V
GS
=-10V
型材表面安装，以便应用程序
V
GS
=-4.5V
优化电路板空间。
-8V
-5V
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
V
GS
=-4V
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
V
GS
=-3.5V
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
Ta=25
℃
0.012 （ 0.3 ）典型值。
(A)
(A)
-3
I
D
I
D
漏电流
漏电流
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-2
-5
机械数据
-0
-1
0.040(1.0)
0.024(0.6)
-0
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
-1
-2
-3
-4
-5
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
漏极至源极电压V
(V)
DS
-0
-0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-1
-2
-3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-4
栅极至源极电压
V
GS
(V)
方法2026
100
极性：由阴极频带指示
R
DS （ ON）
——
安装位置：任意
I
D
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
R
DS （ ON）
—— V
GS
140
Ta=25
℃
Ta=25
℃
120
最大额定值和电气特性
80
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻
V
of
=-4.5V
GS
感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
60
(m
Ω
)
(m
Ω
)
导通电阻
R
DS （ ON）
100
R
DS （ ON）
评级
V
GS
=-10V
导通电阻
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
80
标识代码
最大的经常峰值反向电压
40
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
40
60
14
40
28
40
15
16
I
D
=-4.3A
50
60
35
50
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
20
-0
-2
-4
-6
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
-8
-8
-10
-10
20
-2
-4
-6
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
I ——
存储温度范围
S
漏电流
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
典型结电容（注1 ）
-55到+125
-55到+150
V
SD
-
65
到+175
-10
Ta=25
℃
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
-1
最大正向电压在1.0A DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
源出电流
I
S
(A)
额定阻断电压DC
-0.1
I
R
注意事项：
1-
-0.01
测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
-1E-3
-1E-4
-1E-5
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
2012-06
源极到漏极电压
V
SD
(V)
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
SE3407
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
外形绘图
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
.106(2.70)
案例：模压塑料， SOD- 123H
机械数据
方法2026
.006(0.15)MIN.
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOD-123H
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
,
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
.080(2.04)
最大RMS电压
.070(1.78)
最大直流阻断电压
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
10
.008(0.20)
80
100
.083(2.10)
115
150
105
150
.110(2.80)
120
200
140
200
56
70
.003(0.08)
80
100
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
.004(0.10)MAX.
特征
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
V
F
I
R
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
.020(0.50)
2-热阻结点到环境
.012(0.30)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
注意事项：
尺寸以英寸（毫米）
2012-06
.055(1.40)
.035(0.89)
威伦电子COR
REV.D
2012-10
威伦电子股份有限公司。
QQ：2880707522 复制
