威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
SOD-123
包
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
P沟道
高浪涌能力。
8 -V （D -S ）的MOSFET
Guardring过电压保护。
特征
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
TrenchFET功率MOSFET
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SE2305
THRU
FM1200-M
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
应用
环氧UL94 -V0额定阻燃
负载
开关
:
用于便携式设备
案例：模压
DC / DC转换器
塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
无铅封装可用
方法2026
RoHS指令
极性：由阴极频带指示
后缀“ G”
产品包装代码
MOUNTING
产品
无卤
位置：任意
包装代号后缀为“H”
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
标记： S5
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
V
RRM
V
RMS
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大直流阻断电压
20
V
DC
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
参数
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
-8
单位
漏源电压
（ JEDEC的方法）
叠加在额定负荷
典型热阻（注2 ）
栅源电压
连续漏电流
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
-55到+125
±8
-4.1
-0.8
0.35
0.50
V
-55到+150
A
连续源极 - 漏极二极管电流
存储温度范围
-
65
到+175
最大功率耗散
从结点到环境的热阻（ t≤10s ）
结温
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
存储
阻断电压DC
@T A = 125 ℃
评级
温度
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
W
最大正向电压在1.0A DC
V
F
I
R
357
150
0.70
0.5
10
0.85
℃/W
℃
0.9
0.92
-50 ~+150
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
FM120-M
SE2305
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
优化电路板空间。
参数
符号
测试条件
低功耗，高效率。
STATIC
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
Guardring过电压保护。
栅极 - 源
超高速开关。
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
阈值电压
泄漏
栅极 - 源
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
=0V, V
GS
=±8V
I
GSS
V
DS
无铅零件符合环保标准
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=-8V, V
GS
=0V
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.5A
无卤素产品的包装代号后缀"H"
民
-8
-0.5
典型值
0.146(3.7)
0.130(3.3)
最大
单位
0.012 （ 0.3 ）典型值。
-0.9
±100
-1
0.045
0.060
0.090
V
0.071(1.8)
0.056(1.4)
nA
A
0.040(1.0)
0.024(0.6)
漏源导通电阻
a
机械数据
R
DS （ ON）
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3A
V
GS
=-1.8V,I
D
= -2.0A
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压
a
正向跨导
塑料， SOD- 123H
g
fs
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.1A
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
动态
输入电容
B，C
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
6
740
290
190
0.031 （ 0.8 ）典型值。
S
极性：由阴极频带指示
输出电容
B，C
位置：任意
C
OSS
MOUNTING
反向传输电容
B，C
0.011克
C
RSS
重量：的逼近
总栅极电荷
Q
g
C
国际空间站
尺寸以英寸（毫米）
V
DS
=-4V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=-4V,V
GS
=-4.5V,
pF
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
DS
=-4V,V
GS
=-2.5V,
栅极 - 源电荷
b
减免电流20 ％
Q
对于容性负载，
gs
最大额定值和电气特性
b
I
D
=-4.1A
7.8
4.5
1.2
1.6
7
80
13
56
1.0
32
30
10
18
15
9
nC
栅极 - 漏极电荷
b
标识代码
最大RMS电压
导通延迟时间
B，C
评级
符号
Q
gd
I
D
=-4.1A
FM130-MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
H
FM120-M
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
栅极电阻
B，C
峰值反向电压
最大的经常
最大
上升时间
B，C
阻断电压DC
R
g
V
RRM
F 1MHz的
=
20
V
t
D（上）
RMS
12
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
1.4
60
42
60
16
14
100
20
70
53
100
48
20
10
150
105
115
120
200
140
200
打开-O FF延迟时间
B，C
最大正向平均整流电流
t
r
V
DC
t
D（关闭）
I
O
R
L
=1.2,
I
D
≈-3.3A,
V
根
=-4.5V,Rg=1
V
DD
=-4V,
20
35
80
150
B，C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
下降时间
t
f
I
FSM
ns
导通延迟时间
B，C
典型热阻（注2 ）
B，C
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
t
D（上）
θJA
R
t
r
C
J
t
D（关闭）
t
f
T
J
TSTG
典型
上升时间
结电容（注1 ）
V
DD
=-4V,
打开-O FF延迟时间
B，C
下降时间
B，C
工作温度范围
存储温度范围
R
L
=1.2,
I
D
+125
-55
≈-3.3A,
V
根
=-8V,Rg=1
5
40
120
11
22
16
10
-55到+150
17
33
24
-
65
到+175
漏极 - 源极体
特征
二极管的特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管
阻断电压
a
额定直流
正向电流
身体ciode电压
注意事项：
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
S
V
SD
V
F
I
R
T
C
=25℃
I
F
=-3.3A
0.50
0.70
0.5
10
0.85
-1.4
-10
-1.2
0.9
0.92
@T A = 125 ℃
I
SM
A
V
-0.8
1-
注意：
测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。这些参数都无从查证。
2-热
一。脉冲测试
电阻结点到
占空比
≤2%.
;脉冲宽度
≤300s,
环境
2012-06
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
输出特性
更好的反向漏电流和耐热性。
V
GS
=25
℃
安装应用程序
T
低调的表面
=-4.5V,-4.0V,-3.5V,-3.0V,-2.5V
为了
a
脉冲
优化电路板空间。
V
GS
=-2.0V
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
无卤素产品的包装代号后缀
GS
=-1.5V
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;
FM120-M
SE2305
THRU
FM1200-M
批量处理的设计，出色的功耗报价
特点
包装外形
典型特征
-5
SOD-123
包
无铅机生产线
-16
T
a
=25
℃
脉冲
-4
传输特性
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
(A)
-12
0.012 （ 0.3 ）典型值。
I
D
I
D
(A)
-3
漏电流
-8
漏电流
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-2
-4
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
-0
案例：模压塑料， SOD- 123H
-0
-1
-2
-3
-4
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
漏源极电压
-1
0.040(1.0)
0.024(0.6)
-0
-0.0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-0.5
-1.0
-1.5
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-2.0
方法2026
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
300
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
R
DS （ ON）
—— I
D
T
重量：的逼近0.011克
=25
℃
脉冲
a
尺寸以英寸（毫米）
500
R
DS （ ON）
——
V
GS
T
a
=25
℃
脉冲
(m
Ω
)
240
最大额定值和电气特性
400
R
DS （ ON）
导通电阻
(m
Ω
)
300
R
DS （ ON）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
为
180
容性负载，减免电流20 ％
评级
120
导通电阻
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
V
GS
=-1.8V
V
RRM
V
RMS
V
GS
=-2.5V
V
DC
12
20
14
20
13
200
30
21
30
100
14
40
28
40
15
50
35
50
I
D
=-3.3A
16
60
42
60
1.0
30
-4
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS电压
最大直流阻断电压
60
最大正向平均整流电流
I
O
V
GS
=-4.5V
-9
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
0
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
-0
-3
-6
I
FSM
-6
-8
-12
0
-0
-2
典型热阻（注2 ）
漏电流
I
D
(A)
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
栅极至源极电压
V
GS
(V)
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
I
S
——
-55到+125
-55到+150
-
65
到+175
-20
V
SD
T
a
=25
℃
-10
脉冲
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
最大正向电压在1.0A DC
I
S
(A)
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
评级
-3
阻断电压DC
注意事项：
源出电流
I
R
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
-1
-0.3
-0.1
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
2012-06
源极到漏极电压
V
SD
(V)
威伦电子COR
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
包
SE2305
THRU
FM1200-M
无铅PROD
特点
包装外形
外形绘图
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
更好的反向漏电流和耐热性。
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
.106(2.70)
案例：模压塑料， SOD- 123H
机械数据
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
,
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
.006(0.15)MIN.
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOD-123H
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200
.080(2.04)
最大RMS电压
.070(1.78)
最大直流阻断电压
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
10
.008(0.20)
80
100
.083(2.10)
115
150
105
150
.110(2.80)
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
120
200
140
200
56
70
.003(0.08)
80
100
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
.004(0.10)MAX.
特征
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
V
F
I
R
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
.020(0.50)
2-热阻结点到环境
.012(0.30)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
注意事项：
尺寸以英寸（毫米）
2012-06
.055(1.40)
.035(0.89)
威伦电子有限公司
REV.D
2012-10
威伦电子股份有限公司。
QQ：2880707522 复制
