SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
Guardring过电压保护。
超高速开关。
特征
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件
功率MOSFET
标准
TrenchFET
符合环保
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.门
2.源
3.排水
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械
应用
数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
负载开关，用于便携式设备
案例：模压塑料， SOD- 123H
DC / DC转换器
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
无铅封装可用
方法2026
符合RoHS的产品包装
极性：由阴极频带指示
代号后缀“G”
包装代号后缀为“H”
尺寸以英寸（毫米）
安装位置：任意
无卤素产品
重量：的逼近0.011克
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大额定值和电气特性
标记： S2
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
VOL
VOL
Am
a
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
最大额定值（T = 25℃除非另有说明）
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
单位
V
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
Am
参数
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
符号
V
to
-55
DS
+125
V
GS
I
D
I
S
漏源电压
价值
40
20
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
栅极 - 源
范围
储存温度
电压
-
±8
到+175
65
℃
连续漏电流
特征
最大正向电压在1.0A DC
连续源极 - 漏极电流（二极管传导）
V
F
A
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
0.50
0.70
2.1
0.6
0.85
功耗
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
热阻
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
从结点到环境
(t≤5s)
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
0.35
0.5
357
10
150
-55 ~+150
W
0.9
0.92
VOL
℃/W
℃
MAM
注意事项：
工作结
1测得1
温度
反向的4.0 VDC电压。
存储
MHz和应用
2-热阻结点到环境
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
电动
浪涌能力。
高
特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
Guardring过电压保护。
参数
符号
测试条件
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
STATIC
无铅零件符合环保标准
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=10A
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=50A
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
民
典型值
最大
单位
0.071(1.8)
0.056(1.4)
20
0.65
0.95
1.2
±100
1
0.045
0.070
8
0.040(1.0)
0.024(0.6)
V
nA
A
门体漏
机械
数据
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
环氧树脂： UL94 -V0阻燃评分
零栅极电压漏极电流
阻燃
I
DSS
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.6A
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3.1A
正向跨导
a
方法2026
0.060
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.115
S
V
极性：由阴极频带指示
二极管
MOUNTING
电压
：任何
前锋
位置
动态
重量：的逼近0.011克
总栅极电荷
g
fs
V
SD
V
DS
= 5V ，我
D
=3.6A
I
S
=0.94A,V
GS
=0V
尺寸以英寸（毫米）
0.76
1.2
最大额定值和电气特性
Q
g
4.0
0.65
1.5
300
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
80
56
80
10
nC
V
DS
栅极 - 源电荷
Q
指定的。
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
在25 ℃的环境温度，除非另有评级
gs
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
对于容性负载，减免电流20 ％
b
输入电容
标识代码
输出电容
b
评级
b
C
国际空间站
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
C
OSS
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1MHz
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
反向传输电容
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
开关
b
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
C
RSS
V
RRM
V
RMS
V
DC
t
r
I
O
15
50
35
50
120
10
100
70
100
115
150
105
150
pF
120
200
140
200
伏特
伏特
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
FSM
t
I
D（关闭）
7
15
伏特
V
DD
=10V,
R
L
=5.5,
I
D
≈3.6A,
V
根
=4.5V,Rg=6
AMP
55
16
10
80
60
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
ns
打开-O FF延迟时间
AMP
下降时间
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
注意事项：
工作温度范围
存储温度范围
t
f
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
25
℃/W
PF
a.
b.
脉冲测试：脉冲width≤300μs ，占空比
≤2%.
特征
-
65
到+175
-55到+150
℃
℃
这些参数都无从查证。
V
F
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏特
I
R
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
输出特性
Guardring过电压保护。
15
V
GS
=3.5V,3.0V,2.5V
T
a
=25
℃
超高速开关。
脉冲
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
V
GS
=2.0V
无铅零件符合环保标准
12
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
9
机械数据
威伦
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
典型特征
10
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
传输特性
T
a
=25
℃
脉冲
0.071(1.8)
0.056(1.4)
8
(A)
I
D
漏电流
6
0.040(1.0)
0.024(0.6)
漏电流
I
D
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
6
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
=1.5V
端子：镀金端子，每焊
V
MIL-STD-750
GS
(A)
4
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
方法2026
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
0
重量：的逼近0.011克
0
2
4
6
漏源极电压
V
DS
3
2
尺寸以英寸（毫米）
8
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
R
DS （ ON）
—— I
D
100
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
(m
Ω
)
T
a
=25
℃
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
——
0.20
V
GS
T
a
=25
℃
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
脉冲
脉冲
(
Ω
)
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
R
DS （ ON）
80
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
0.16
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
I
D
=4.5A
40
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
R
DS （ ON）
Vo
最大直流阻断电压
60
最大正向平均整流电流
30
0.12
Vo
导通电阻
V
GS
=2.5V
导通电阻
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
40
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
GS
=4.5V
0.08
Am
典型热阻（注2 ）
20
典型结电容（注1 ）
0.04
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
0.00
120
-55到+150
6
8
10
℃
P
-
65
到+175
2
4
℃
℃
0
特征
漏电流I
D
(A)
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
0
5
10
15
20
25
30
0
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
电压V
GS
(V)
门源
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
V
F
I
R
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
Vo
0.5
10
@T A = 125 ℃
mA
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
外形绘图
SOT-23
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.006(0.15)MIN.
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
机械数据
.106(2.70)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
.080(2.04)
最大的经常峰值反向电压
.070(1.78)
最大RMS电压
标识代码
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.008(0.20)
10
100
70
100
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
.083(2.10)
115
150
105
150
120
200
140
200
.003(0.08)
.110(2.80)
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
伏
伏
80
伏
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
AMP
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储
.004(0.10)MAX.
温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
.055(1.40)
.035(0.89)
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
I
R
MAM
.020(0.50)
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
.012(0.30)
注意事项：
2-热阻结点到环境
尺寸以英寸（毫米）
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
REV.D
QQ：2880707522 复制
