SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅
特征
外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
TrenchFET功率MOSFET
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
应用
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
z
负载开关，用于便携式设备
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
z
DC / DC转换器
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
z
无铅封装可用
方法2026
极性：指示
填料
BAND
符合RoHS的产品
由阴极
代号后缀“G”
安装位置：任意
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
重量：的逼近0.011克
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
标记：
最大额定值和电气特性
S1
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
价值
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
VOL
VOL
最大正向平均整流电流
最大额定值（T
a
=25℃
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
除非
I
O
另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
V
F
I
R
S
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
单位
参数
Am
漏源电压
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
栅源电压
工作温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-20
±8
-55到+125
40
120
V
℃/W
PF
连续漏极
存储温度范围
当前
-2.3
65
到+175
-
-10
-55到+150
℃
漏电流脉冲
最大正向电压在1.0A DC
特征
符号
连续源极 - 漏极二极管电流
A
0.85
℃
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
I
-0.72
从结点到环境的热阻（T
≤
5s)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
最大功率耗散
结温
P
D
R
θ
JA
T
J
T
英镑
0.50
0.70
0.35
357
150
0.5
10
W
℃/W
℃
0.9
0.92
VOL
MAM
注意事项：
储存温度
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
-55 ~+150
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装应用程序
另有说明）
电气特性（T
a
= 25 ℃ ，除非
为了
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
参数
符号
测试条件
高电流能力，低正向电压降。
STATIC
高浪涌能力。
Guardring过电压
漏源
击穿电压
保护。
（ BR ）
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
超高速开关。
V
DS
栅极 - 源
阈值电压
芯片，金属硅交界处。
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS （ TH）
硅外延平面
无铅零件
栅极 - 源
泄漏
符合环保标准
DS
=0V, V
GS
=±8V
I
GSS
V
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
当前
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
零
栅极电压漏
包装代号后缀"G"
I
DSS
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
民
0.146(3.7)
0.130(3.3)
典型值
最大
0.012 （ 0.3 ）典型值。
单位
-20
-0.4
-1
±100
-1
0.090
0.110
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
nA
A
机械数据
漏源
导通状态电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
0.112
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
前锋
跨
a
SOD-123H
g
fs
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
案例：模压塑料，
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
动态
b
极性：由阴极频带指示
产量
电容
C
OSS
安装位置：任意
反向
传输电容
0.011克
C
RSS
重量：的逼近
输入
电容
方法2026
0.040(1.0)
0.142
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
6.5
S
C
国际空间站
405
尺寸以英寸（毫米）
V
DS
=-10V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
75
55
5.5
3.3
0.7
1.3
16
60
60
1.0
30
40
120
18
10
pF
V
DS
=-10V,V
GS
=-4.5V,I
D
=-3A
总
栅极电荷
最大额定值和
Q
g
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
栅极 - 源
收费
Q
负载。
V
DS
=-10V,V
GS
=-2.5V,I
D
=-3A
单相半波，60赫兹，电感电阻
gs
对于容性负载，减免电流20 ％
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
标识代码
10
6
nC
门
阻力
评级
符号
F = 1MHz的
FM130-MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
FM120-M
H
6.0
R
g
UN
开启
延迟时间
最大的经常峰值反向电压
上升
时间
最大RMS电压
最大直流阻断电压
打开-O FF
延迟时间
最大正向平均整流电流
t
D（上）
RRM
V
t
r
V
RMS
V
t
D（关闭）
DC
I
O
I
FSM
V
DD
=-10V,
14
20
12
20
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
11
80
35
56
80
30
20
100
60
70
100
50
115
150
105
150
120
200
140
VOL
R
L
=10,
I
D
=-1A,
30
42
VOL
ns
200
VOL
秋天
时间
V
根
=-4.5V,Rg=1
t
f
10
20
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms
特征
漏源
体
二极管
单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
Am
典型热阻（注2 ）
连续
源极 - 漏极二极管
典型结电容（注1 ）
a
工作温度范围
存储温度范围
当前
I
S
R
θJA
C
J
T
C
=25℃
-55到+125
-0.8
-1.3
℃/W
A
PF
脉冲
二极管的正向电流
体
二极管电压
I
SM
T
J
V
SD
-
65
到+175
-55
-10
+150
℃
TSTG
I
S
=-0.7A
0.50
0.70
-1.2
0.85
V
0.9
0.92
℃
注意事项：
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
最大正向电压在1.0A DC
V
F
a.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比
≤2%.
VOL
设计b.Guaranteed ，不受生产
I
R
测试。
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.5
10
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
输出特性
优化电路板空间。
-14
V
GS
= -4.0V,-3.5V,-3.0V,-2.5V
T
a
=25
℃
低功耗，高效率。
脉冲
能力，低正向电压降。
当前
高
-12
V
GS
=-2.0V
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
-10
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
-8
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
产品包装代号后缀"G"
RoHS指令
-6
无卤素产品的包装代号后缀"H"
V
GS
=-1.5V
(A)
I
D
漏电流
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
典型特征
-10
包装外形
SOD-123H
传输特性
T
a
=25
℃
脉冲
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
-8
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-6
漏电流
I
D
(A)
-4
机械数据
-4
环氧树脂
-2
： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
V =-1.0V
,
-0
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
-0
-1
-2
-3
-4
GS
-2
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-0
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-2.5
漏
方法2026
源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
R
DS （ ON）
—— I
D
150
重量：的逼近0.011克
120
尺寸以英寸（毫米）
R
DS （ ON）
250
——
V
GS
T
a
=25
℃
脉冲
T
a
=25
℃
脉冲
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
V
GS
=-2.5V
90
对于容性负载，减免电流20 ％
(m
Ω
)
R
DS （ ON）
导通电阻
200
R
DS （ ON）
导通电阻
(m
Ω
)
150
评级
60
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
GS
=-4.5V
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
30
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
-8
I
FSM
R
θJA
12
20
14
20
13
30
21
30
100
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
I = -3.6A
D
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
42
Vo
50
60
1.0
-4
30
Vo
最大正向平均整流电流
-0
-2
-6
峰值正向浪涌电流8.3 ms单
-4
正弦半波
0
Am
-6
-8
0
-10
-0
-2
漏电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Am
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
-1
存储
T
a
范围
温度
=25
℃
脉冲
-0.3
I
S
——
V
SD
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/
P
-
65
到+175
℃
℃
(A)
-0.1
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
最大正向电压在1.0A DC
I
S
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
Vo
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
源出电流
额定阻断电压DC
-0.03
I
R
mA
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
-0.01
2-热阻结点到环境
-3E-3
-1E-3
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
源极到漏极电压
V
SD
(V)
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
SOT- 23塑料封装
MOSFET的
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
FM120-M
SE2301
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
外形绘图
SOT-23
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOD-123H
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.063(1.60)
.047(1.20)
.122(3.10)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
.106(2.70)
案例：模压塑料， SOD- 123H
机械数据
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
,
.006(0.15)MIN.
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
.080(2.04)
最大RMS电压
.070(1.78)
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
115
.008(0.20)
100
150
70
105
.003(0.08)
100
150
.083(2.10)
120
200
140
200
.110(2.80)
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
.004(0.10)MAX.
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.85
0.5
10
0.9
0.92
伏
注意事项：
2-热阻结点到环境
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
.020(0.50)
.012(0.30)
尺寸以英寸（毫米）
2012-06
威伦电子股份有限公司。
.055(1.40)
.035(0.89)
I
R
MAMP
REV.D
2012-10
威伦电子股份有限公司。
QQ：2880707522 复制
