SE1020W
1.25 Gb / s的互阻放大器
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应用
千兆位以太网系统，测试设备
和模块
OC- 24光纤模块和线路
终止
光纤通道的光学系统
产品说明
SiGe半导体提供的光学组合
网络IC为高性能应用
光发送器和接收器的功能，从
155 Mb / s的高达12.5 Gb / s的。
SiGe半导体的SE1020W是一个完全
集成的硅双极型阻
放大器;提供宽带，低噪音
前置放大信号电流从一
光电探测器。它具有差分输出和
整合
an
自动
收益
控制
机制来增加动态范围，使
输入信号上升到2.6 mA峰值。去耦
电容的供应是唯一的外部
电路要求。的系统框图是
功能描述后所示，第3页。
特点
+ 3.3V单电源供电
功耗= 110毫瓦（典型值）
使用时，输入噪声电流= 180 nA的有效值
与0.7 pF的探测器
阻增益= 4.0千欧到50
负载（差分）
片上自动增益控制使输入
2.6毫安PK ，最大的电流过载
300 mV的峰峰值输出电压摆幅
差50
输出
带宽（-3 dB为单位） = 1.2 GHz的
宽数据速率范围为50 Mb / s到1.25 Gb / s的
恒定光电二极管的反向偏置电压=
1.5V（阳极到输入端，阴极接VCC ）
极少的外部元件，电源
只有去耦
工作结温范围=
-40°C至+ 125°C
订购信息
TYPE
SE1020W
包
裸模
备注
无
功能框图
SE1020
TzAmp
1.25 Gb / s的
自动增益控制
积分
整流器器
VCC或+已经供应
输入
当前
TZ_IN
Rf
50
TZ放大器
产量
司机
OUTP
OUTN
50
带隙
参考
42-DST-01
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焊垫图
VCC
1
10
VCC
顶部
意见
9
TZ_IN
2
8
OUTN
OUTP
3
VEE2
4
VEE1
5
VEE1
6
VEE1
7
VCC
焊垫描述
垫号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
VCC
TZ_IN
VEE2
VEE1
VEE1
VEE1
VCC
OUTN
OUTP
VCC
描述
正电源（ + 3.3V ） ，垫1 ， 7 & 10连接在芯片上。只有一个
垫需要粘接。
输入焊盘（连接到光电探测器阳极） 。
负电源（0V） - 注意，这是为输入级单独地，
它是交流耦合的芯片上。没有直流电流通过该垫。
负电源（0V） ，焊盘4,5 & 6连接在芯片上。只有一个垫
需要被接合。
负电源（0V） ，焊盘4,5 & 6连接在芯片上。只有一个垫
需要被接合。
负电源（0V） ，焊盘4,5 & 6连接在芯片上。只有一个垫
需要被接合。
正电源（ + 3.3V ） ，垫1 ， 7 & 10连接在芯片上。只有一个
垫需要粘接。
负的差分电压输出。
正差分电压输出。
正电源（ + 3.3V ） ，垫1 ， 7 & 10连接在芯片上。只有一个
垫需要粘接。
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电气规格
绝对最大额定值
这些压力额定值只。暴露于超出这些最大额定值的应力可能会导致永久性的
损坏，或影响器件的可靠性。避免操作该装置的外部的推荐
下面定义的操作条件。
符号
VCC
V
IO
I
IO
I
IO
V
ESD
V
ESD
TSTG
参数
电源电压
电压在任何输入或输出
目前采购的任何输入或输出，除了TZ_IN
电流源入针TZ_IN
静电放电除了TZ_IN （ 100 pF的， 1.5千欧）
静电放电（ 100 pF的， 1.5千欧）引脚TZ_IN
储存温度
民
–0.7
–0.5
–20
–5
–2
–0.25
–65
最大
6.0
VCC+0.5
+20
+5
2
0.25
150
单位
V
V
mA
mA
kV
kV
°C
推荐工作条件
符号
VCC
Tj
参数
电源电压
工作结温
民
3.1
–40
典型值
3.3
最大
3.5
125
单位
V
°C
DC电气特性
符号
ICC最大
ICC零
LAGC
VIN
VOUT
大败
参数
电源电流（最大输入电流）
电源电流（零输入电流）
AGC阈值
输入偏置电压
输出偏置电压
输出电阻
35
24
VCC–1.57
VCC–1.52
VCC–0.15
50
65
VCC–1.47
民
典型值
41
33
最大
65
52
单位
mA
mA
A
PK- PK
V
V
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AC电气特性
符号
BW （ 3分贝）
Tz
DRI
VOUTMAX
FLF
l
OL
POL
NRMS
参数
小信号带宽为-3dB点
差阻（ 50
on
每个输出中，f = 100MHz）的
输入数据速率
最大差分输出电压
低频截止点
载之前输入电流
（ 1.25 Gb / s的NRZ数据）
光学超载
输入噪声电流（在1千兆赫）
2600
+3.3
180
255
10
民
0.95
2.9
50
典型值
1.2
4.0
5.4
1250
300
20
最大
单位
GHz的
k
Mb / s的
毫伏峰峰值
千赫
A
PK- PK
DBM
nA的RMS
直流和交流电气特性在以下条件下指定的：
电源电压（ VCC ） ................................... 3.1 V至3.5 V
结温（Tj ） ............................. -40 ° C至125°C
负载电阻（R
L
) ......................................... 50
通过220 nF的AC耦合的，对于每一个输出
光电电容（ CD） ................... 0.7 pF的
输入焊线电感............................ 1 nH的
光电探测器响应度............................ 0.6 A / W
阻（ Tz的）测量4
A
意思是光
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