半导体
SDV703WK
变容二极管
说明
对于FM调谐器
单片芯片,共阴极两种二极管的完美套结
统一的“平方律”的特点
在低失真中使用时,备份到后端配置理想的高保真调谐器
特点
低串联电阻
:
r
s
= 0.3
(典型值)。
订购信息
型号
SDV703WK
记号
DV3
: C
T2V
等级(一级)
封装代码
SOT-23
外形尺寸
2.4±0.1
1.30±0.1
单位:
mm
1
1.90典型。
3
2
0.4 TYP 。
2.9±0.1
3
0.45~0.60
0.2 MIN 。
1
2
1.12最大。
0.38
-0.03
+0.05
引脚连接
1.阳极
2.阳极
3.阴极,阴极
0~0.1
KSD-2033-001
0.124
1
SDV703WK
绝对最大额定值
特征
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
T
j
T
英镑
评级
15
150
-55 ~ 150
单位
V
°C
°C
电气特性
特征
反向电压
反向电流
二极管电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
T2V*
C
T8V
C
T2V
/C
T8V
测试条件
I
R
=10
A
V
R
=15V
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 8V , F = 1MHz的
-
C
T
= 38pF , F = 100MHz的
分钟。典型值。马克斯。
15
-
42
24
1.65
-
-
-
-
-
1.71
0.3
-
50
47.5
28.8
1.8
0.4
单位
V
nA
pF
pF
-
r
s
*: C
T2V
/ A : 42 43.5pF , B: 43 44.5pF ,C : 44 45.5pF , D: 45 46.5pF , E: 46 47.5pF
KSD-2033-001
2
半导体
SDV703WK
变容二极管
说明
对于FM调谐器
单片芯片,共阴极两种二极管的完美套结
统一的“平方律”的特点
在低失真中使用时,备份到后端配置理想的高保真调谐器
特点
低串联电阻
:
r
s
= 0.3
(典型值)。
订购信息
型号
SDV703WK
记号
DV3
: C
T2V
等级(一级)
封装代码
SOT-23
外形尺寸
2.4±0.1
1.30±0.1
单位:
mm
1
1.90典型。
3
2
0.4 TYP 。
2.9±0.1
3
0.45~0.60
0.2 MIN 。
1
2
1.12最大。
0.38
-0.03
+0.05
引脚连接
1.阳极
2.阳极
3.阴极,阴极
0~0.1
KSD-2033-001
0.124
1
SDV703WK
绝对最大额定值
特征
反向电压
结温
储存温度
符号
V
R
T
j
T
英镑
评级
15
150
-55 ~ 150
单位
V
°C
°C
电气特性
特征
反向电压
反向电流
二极管电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
T2V*
C
T8V
C
T2V
/C
T8V
测试条件
I
R
=10
A
V
R
=15V
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 8V , F = 1MHz的
-
C
T
= 38pF , F = 100MHz的
分钟。典型值。马克斯。
15
-
42
24
1.65
-
-
-
-
-
1.71
0.3
-
50
47.5
28.8
1.8
0.4
单位
V
nA
pF
pF
-
r
s
*: C
T2V
/ A : 42 43.5pF , B: 43 44.5pF ,C : 44 45.5pF , D: 45 46.5pF , E: 46 47.5pF
KSD-2033-001
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