【半导体SDV251S变容二极管特点高电容比在低电压低串联电阻（rS= 0.6Ω最大）应用AFC ，压】,IC型号SDV251S_1,SDV251S_1 PDF资料,SDV251S_1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

SDV251S

变容二极管

特点

高电容比在低电压

低串联电阻（

r

S

= 0.6Ω最大）

应用

AFC ，压控振荡器的应用

订购信息

型号

SDV251S

记号

V7

封装代码

SOT-23

外形尺寸

2.4±0.1

1.30±0.1

单位：

mm

1

1.90典型。

3

2

0.4 TYP 。

0.45~0.60

2.9±0.1

3

1

0.2 MIN 。

2

1.12最大。

KSD-2094-001

0.124

引脚连接

1.阳极

2. NC

3.阴极

0.38

0~0.1

-0.03

+0.05

1

SDV251S

绝对最大额定值

特征

反向电压

结温

储存温度

Ta=25°C

符号

V

R

T

j

T

英镑

评级

12

150

-55 ~ 150

单位

V

°C

°C

电气特性

特征

反向电压

反向电流

二极管电容

电容比

串联电阻

Ta=25°C

符号

V

R

I

R

C

1.6V

C

5.0V

n

I

R

=10

V

R

=9V

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

12

-

23

11

1.7

-

-

-

-

-

2.0

-

-

200

38

19

2.2

0.6

单位

V

-

V

R

= 1.6V ， F = 1MHz的

V

R

= 5V ， F = 1MHz的

C

1.6V

/ C

5.0V

V

R

= 1V ， F = 50MHz的

r

S

KSD-2094-001

2

SDV251S

℃

℃

KSD-2094-001

3

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型号

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数量

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