【STD/SDT165晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块TYPEVRSMV帝斯曼VSTD/SDT1】,IC型号SDT165GK18,SDT165GK18 PDF资料,SDT165GK18经销商,ic,电子元器件-51电子网

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STD/SDT165

晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块

TYPE

V

RSM

V

帝斯曼

V

STD/SDT165GK08

900

STD/SDT165GK12

1300

STD/SDT165GK14

1500

STD/SDT165GK16

1700

STD/SDT165GK18

1900

STD/SDT165GK20

2100

STD/SDT165GK22

2300

V

RRM

V

DRM

V

800

1200

1400

1600

1800

2000

2200

尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）

符号

I

真有效值

, I

疲劳风险管理

T

VJ

=T

VJM

I

TAVM

, I

FAVM

T

C

=85

o

C; 180

o

正弦

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=45

o

C

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

V

R

=0

T

VJ

=T

VJM

F = 50Hz的，T

p

=200us

V

D

=2/3V

DRM

I

G

=0.5A

di

G

/dt=0.5A/us

测试条件

最大额定值

300

165

单位

A

I

TSM

, I

FSM

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

T = 10ms的（ 50赫兹），正弦

T = 8.3ms的（ 60赫兹），正弦

重复的，我

T

=500A

6000

6400

5250

5600

180000

170000

137000

128000

150

A

i

2

dt

A

2

s

（ di / dt的）

cr

A /美

非重复性的，我

T

=I

TAVM

500

1000

120

60

8

10

-40...+125

125

-40...+125

V /美

W

W

V

o

（ dv / dt的）

cr

P

GM

P

GAV

V

RGM

T

VJ

T

VJM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

T

VJ

=T

VJM

;

V

DR

=2/3V

DRM

R

GK

= ;方法1 （线性电压升高）

T

VJ

=T

VJM

I

T

=I

TAVM

t

p

=30us

t

p

=500us

C

50 / 60赫兹， RMS

_

I

ISOL

<1mA

t=1min

t=1s

3000

3600

2.25-2.75/20-25

4.5-5.5/40-48

125

V~

纳米/ lb.in 。

g

安装扭矩（ M6 ）

终端连接扭矩（ M6 ）

典型的包括螺钉

STD/SDT165

晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块

符号

测试条件

特征值

40

1.36

0.8

1.6

V

D

=6V;

V

D

=6V;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=T

VJM

;

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

T

VJ

=25

o

C

T

VJ

=-40

o

C

V

D

=2/3V

DRM

V

D

=2/3V

DRM

2

2.6

150

200

0.25

10

200

150

2

典型值。

150

550

235

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

每个晶闸管/二极管;直流电流

每个模块

匍匐于地面的距离

在空气中爬电距离

最大允许的加速度

0.155

0.0775

0.225

0.1125

12.7

9.6

50

单位

mA

V

V

m

V

mA

V

mA

mA

mA

us

us

uC

A

K / W

K / W

mm

mm

M / S

2

I

RRM

, I

DRM

T

VJ

=T

VJM

; V

R

=V

RRM

; V

D

=V

DRM

V

T

, V

F

V

TO

r

T

V

GT

I

GT

V

GD

I

GD

I

L

I

H

t

gd

t

q

Q

S

I

RM

R

thJC

R

thJK

d

S

d

A

a

I

T

, I

F

= 300A ;吨

VJ

=25

o

C

对于只功率损耗的计算（T

VJ

=T

VJM

)

T

VJ

=25

o

℃;吨

p

= 30US ; V

D

=6V

I

G

= 0.45A ;迪

G

/dt=0.45A/us

T

VJ

=25

o

℃; V

D

= 6V ;

GK

=

T

VJ

=25

o

℃; V

D

=1/2V

DRM

I

G

= 0.5A ;迪

G

/dt=0.5A/us

T

VJ

=T

VJM

; I

T

= 160A ;牛逼

p

= 200us的; -di / DT = 10A /美

V

R

= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V

D

=2/3V

DRM

T

VJ

=T

VJM

; I

T

, I

F

= 300A ; -di / DT = 50A /美

特点

*国际标准套餐

*铜底板

*平面钝化芯片

*隔离电压3600 V

应用

*电机控制

*电源转换器

*热和温度控制。

工业窑炉和化工

过程的

*照明控制

*非接触式开关

优势

*空间和减轻重量

*安装简单

*改进的温度和功率

循环

*降低保护电路

STD/SDT165

晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块

图。 1浪涌过载电流

I

TSM

, I

FSM

：峰值，T ：时间

图。 2我

2

吨随时间的变化（1-10毫秒）

图。图2a最大正向电流

在外壳温度

图。 3功耗与通态电流和环境温度

（每晶闸管或二极管）

图。 4门极触发特性

3× STD / SDT165

图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流

和环境温度

图。 6门极触发延迟时间

STD/SDT165

晶闸管，二极管模块，二极管，晶闸管模块

图。 7三相交流控制器：

功耗与RMS

输出电流和环境

温度

3× STD / SDT165

图。 8瞬态热阻抗

结到外壳（每晶闸管或

二极管）

R

thJC

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJC

（K / W）

0.155

0.167

0.175

0.197

0.226

常量Z的

thJC

计算方法：

i

1

2

3

R

THI

（K / W）

0.0072

0.0188

0.129

t

i

(s)

0.001

0.08

0.2

图。 9瞬态热阻抗

结到散热器（每晶闸管

或二极管）

R

thJK

各种导通角D：

d

DC

180

o

C

120

o

C

60

o

C

30

o

C

R

thJK

（K / W）

0.225

0.237

0.245

0.262

0.296

常量Z的

thJK

计算方法：

i

1

2

3

4

R

THI

（K / W）

0.0072

0.0188

0.129

0.07

t

i

(s)

0.001

0.08

0.2

1.0

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