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SDT08S60
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
无远期恢复
的thinQ ！ SiC肖特基二极管
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
600
24
8
PG-TO220-2-2.
V
nC
A
TYPE
SDT08S60
包
PG-TO220-2-2.
订购代码
Q67040S4647
记号
D08S60
销1
销2
C
A
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
符号
参数
连续正向电流，
T
C
=100°C
RMS正向电流，
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
价值
8
11.3
26
32
80
3.4
600
600
65
-55... +175
单位
A
I
F
I
疲劳风险管理
浪涌不重复正向电流，正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
∫i
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值，
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗，
T
C
=25°C
工作和存储温度
As
V
W
°C
2.2版
第1页
2008-06-02
SDT08S60
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
2.3
62
K / W
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=8A,
T
j
=25°C
I
F
=8A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
28
70
1.7
2.1
A
300
1500
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
2.2版
第2页
2008-06-02
SDT08S60
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=8A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
单位
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
典型值。
24
N.A
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=8A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
-
-
-
280
26
18
-
-
-
2.2版
第3页
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SDT08S60
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
70
SDT08S60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(
T
C
)
参数：
T
j
≤
175 °C
W
9
A
7
6
60
55
50
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
I
F
5
4
3
2
1
0
0
45
20
40
60
80
100 120 140
T
C
°C
180
T
C
3典型。正向特性
I
F
=
f
(
V
F
)
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F（ AV） =
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
36
参数：
T
J，T
p
= 350 s
16
A
12
P
F（ AV ）
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
W
28
24
20
d=1
d=0,5
d=0,2
d=0,1
I
F
10
8
16
6
12
4
8
4
0
0
2
0
0
0.25 0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
2
V
2.5
V
F
2
4
6
8
10
12
16
A
I
F（ AV ）
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SDT08S60
5典型。反向电流与反向电压
I
R
=
f
(
V
R
)
10
2
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数：
D
=
t
p
/
T
A
10
1
K / W
10
1
SDT08S60
10
0
10
0
150°C
125°C
100°C
25°C
Z
thJC
10
-1
I
R
10
-2
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
10
-2
10
-4
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
600
V
R
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C
=
f
(
V
R
)
8典型。
C
储能
E
C
=
f
(
V
R
)
5
参数：
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
pF
300
J
4
3.5
240
220
E
C
1
2
3
10
V
V
R
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
10
10
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
C
100
200
300
400
V
V
R
600
2.2版
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SDT08S60
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
无远期恢复
的thinQ ！ SiC肖特基二极管
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
600
24
8
P-TO220-2-2.
V
nC
A
TYPE
SDT08S60
包
P-TO220-2-2.
订购代码
Q67040S4647
记号
D08S60
销1
销2
C
A
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
符号
参数
连续正向电流，
T
C
=100°C
RMS正向电流，
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
价值
8
11.3
26
32
80
3.4
600
600
65
-55... +175
单位
A
I
F
I
疲劳风险管理
浪涌不重复正向电流，正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
∫i
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值，
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗，
T
C
=25°C
工作和存储温度
As
V
W
°C
修订版2.0
第1页
2004-03-18
SDT08S60
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
2.3
62
K / W
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=8A,
T
j
=25°C
I
F
=8A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
28
70
1.7
2.1
A
300
1500
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
修订版2.0
第2页
2004-03-18
SDT08S60
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=8A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
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单位
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
典型值。
24
N.A
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=8A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
-
-
-
280
26
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-
-
-
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SDT08S60
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
70
SDT08S60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(
T
C
)
参数：
T
j
≤
175 °C
W
9
A
7
6
60
55
50
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
I
F
5
4
3
2
1
0
0
45
20
40
60
80
100 120 140
T
C
°C
180
T
C
3典型。正向特性
I
F
=
f
(
V
F
)
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F（ AV） =
f
(
I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
36
参数：
T
J，T
p
= 350 s
16
A
12
P
F（ AV ）
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
W
28
24
20
d=1
d=0,5
d=0,2
d=0,1
I
F
10
8
16
6
12
4
8
4
0
0
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0
0
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1
1.25 1.5 1.75
2
V
2.5
V
F
2
4
6
8
10
12
16
A
I
F（ AV ）
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SDT08S60
5典型。反向电流与反向电压
I
R
=
f
(
V
R
)
10
2
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
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参数：
D
=
t
p
/
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A
10
1
K / W
10
1
SDT08S60
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0
10
0
150°C
125°C
100°C
25°C
Z
thJC
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-1
I
R
10
-2
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
10
-2
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10
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V
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10
0
t
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7典型。电容与反向电压
C
=
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V
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8典型。
C
储能
E
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f
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V
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5
参数：
T
C
= 25 °C,
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= 1兆赫
pF
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10
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2.5
2
1.5
1
0.5
0
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C
100
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V
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600
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SV01HA101JAA
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SMV1263-079
SST37VF020-90-3I-WH
STUS013
SDT1611
SN74LS55D
SNJ54ALS873B
SIHFP254N
SP7663EB
S-80880CNPF-B8BTFG
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    SDT08S60
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原装正品现货
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TO-220-2
【原装优势★★★绝对有货】
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联系人：吴小姐
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原厂一级代理，原装现货
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联系人：小邹
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SDT08S60
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4059
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联系人：周小姐，171-4729-9698，无线联通更快捷！
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