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> SDP8405-003
1997年9月17日
SDP8405
硅光电晶体管
特点
T-1塑料包装
20 (标称值)接收角
一致的光学性能
较宽的感光度范围
机械和光谱匹配
SEP8505和SEP8705红外发光二极管
INFRA-22.TIF
描述
该SDP8405是一个NPN硅光电晶体管转移
成型为T-1的透明塑料包。传递模塑
该器件的保证了卓越的光学中心线
性能相比其它成型工艺。
引线长度错开,以提供一种简单的方法
极性识别。
外形尺寸
以英寸(毫米)
公差
3 PLC小数
±0.005(0.12)
2 PLC小数
±0.020(0.51)
.200(5.08)
.180(4.57)
.03 (.76)
.05(1.27)
集热器
辐射源
.125 (3.18)
.115 (2.92)
DIA 。
.500
分钟。
(12.7)
.155
DIA 。
(3.94)
0.020 SQ.LEAD TYP 。
领导
(.51)
.050
(1.27)
.250
(6.35)
马克斯。
DIM_100.ds4
霍尼韦尔公司
h
霍尼韦尔保留做出正确的
的变化,以提高设计和
提供最好的产品成为可能。
1997年9月17日
SDP8405
硅光电晶体管
电气特性
参数
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
绝对最大额定值
( 25C自由空气温度,除非另有说明)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度( 5秒)
30 V
5V
70毫瓦[A]
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
240C
概要
笔记
1.线性降额从25C自由的空气温度的速度
0.18毫瓦/ 以下。
霍尼韦尔保留做出正确的
的变化,以提高设计和
提供最好的产品成为可能。
h
霍尼韦尔公司
1997年9月17日
SDP8405
硅光电晶体管
开关时间测试电路
cir_015.cdr
开关波形
cir_004.cdr
图。 1
响应VS
角位移
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-40
-30
-20
-10
0
图。 2
gra_047.ds4
集电极电流与
环境温度
2.0
gra_039.ds4
归一化的收藏家
当前
+10 +20 +30 +40
相对响应
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
角位移 - 学位
图。 3
暗电流与
温度
图。 4
gra_301.cdr
环境温度 - C
非饱和开关时间与
负载电阻
100
gra_041.ds4
响应时间 - 微秒
10
1
10
100
1000
10000
负载电阻 - 欧姆
霍尼韦尔公司
h
霍尼韦尔保留做出正确的
的变化,以提高设计和
提供最好的产品成为可能。
1997年9月17日
SDP8405
硅光电晶体管
图。五
光谱响应
gra_036.ds4
图。 6
耦合特性
与SEP8505
10
7
gra_029.ds4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
400
600
800 1000 1200
相对响应
光电流 - 毫安
4
2
1
0.7
0.4
0.2
0.1
0.01
0.02 0.04
V
CE
= 5 V
I
F
= 25毫安
T
A
= 25 °C
0.1
0.2
0.4 0.7 1
波长 - 纳米
所有性能曲线显示典型值
镜头到镜头分离 - 英寸
霍尼韦尔保留做出正确的
的变化,以提高设计和
提供最好的产品成为可能。
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SDP8405-003
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