S DM9926A
S amHop微电子 ORP 。
， 2002年11月
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
20V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）典型值
I
D
6A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
26 @ V
的s
= 4.0V
35 @ V
的s
= 2.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
（ 300US脉冲宽度）
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
8
6.0
35
1.7
2
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
1
S DM9926A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 8V,V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 6.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.0A
最小值典型值
C
最大单位
20
1
V
uA
100 nA的
0.6
26
35
20
17
720
320
90
30
40
V
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=8V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GE
= 4.5V,
R
L
= 10
欧姆
R
根
= 6
欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A,
V
GS
=4.5V
2
20
18
50
25
13.5
3
2
40
35
100
50
17
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
S DM9926A
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.72 1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
25
V
的s
=4.5,3.5,2.5V
20
20
25
-55 C
25 C
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J = 125℃
15
15
10
V
的s
=1.5V
5
0
10
5
0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance （欧姆）
3000
2500
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=4V
I
D
=6A
C，C apacitance （PF ）
2000
1500
1000
500
0
C为S
OS s
RS s
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T J （ C）
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S DM9926A
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
36
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
g
F小号
，T失败者电导（ S）
24
18
12
6
0
0
3
6
9
12
15
V
DS
=10V
是，S环境允许的漏电流（ A）
30
10
1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
5
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
4
3
2
1
0
0
V
DS
=10V
I
D
=6A
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10
10
0m
s
ms
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=4.5V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
20
50
2
4
6
8
10 12 14 16
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
S DM9926A
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
5
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2880707522 复制
