S DM4953
S amHop微电子 ORP 。
安格斯吨， 2002年
双P - C hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
-30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）典型值
I
D
-4.9A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
43 @ V
的s
= -10V
70 @ V
的s
= - 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S1
G1
S2
G2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
（ 300US脉冲宽度）
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
-30
20
4.9
30
1.7
2
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
1
S DM4953
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -15V ，我
D
= - 4.9A
最小值典型值
C
最大单位
-30
-1
V
uA
100 nA的
-1
-1.5
43
70
-20
9
860
470
180
-3
V
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
53
M-欧姆
95
M-欧姆
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
D
= -15V,
R
L
= 15欧姆
I
D
= -1A,
V
GE
= -10V,
R
根
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-4.9A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-4.9A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -15V ，我
D
= - 4.9A,
V
GS
=-10V
2
9
10
37
23
15
8.9
3
4
20
40
90
110
20
10.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S DM4953
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -1.7A
最小值典型值
C
最大单位
5
-0.8
-1.2
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
a.Surface安装在FR 4局， t< = 10秒。
b.Pulse测试：脉冲Width< = 300US ，职务Cycle< = 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
25
20
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
20
16
-55 C
25 C
T J = 125℃
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
-V
的s
=10,9,8,7,6,5V
15
4V
12
10
5
0
8
3V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
-V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance （欧姆）
（归一化）
3000
2500
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=-10V
I
D
=-4.9A
C，C apacitance （PF ）
2000
1500
1000
500
0
C为S
OS s
RS s
0
5
10
15
20
25
30
0.6
-50
0
50
100
150
-V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3
S DM4953
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
V
的s
=0V
g
F小号
，T失败者电导（ S）
9
6
3
V
DS
=-15V
0
0
5
10
15
20
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
12
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=-15V
I
D
=-4.9A
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10m
100
ms
s
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
50
2
4
6
8
10
12
14
16
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S DM4953
-V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
INVE TE
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2880707522 复制
