S DM4410
S amHop微电子 ORP 。
安格斯吨， 2002年
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）典型值
I
D
10A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
11 @ V
的s
= 10V
15 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
S 0 - 8
1
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
（ 300毫秒脉冲宽度）
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
10
30
2.3
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 16V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 20A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
100
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
uA
nA
V
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
1
1.5
11
15
40
18
1375
670
200
V
DD
= 15V,
I
D
= 1A,
V
GS
= 10V,
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=4.5V
Q
gs
Q
gd
2
3
13.5
兆欧
20
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
30
32
132
30
40
20
8.2
5.3
50
24
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A,
V
GS
=10V
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 2.3A
最小典型最大单位
5
0.76 1.1
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
25
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
20
20
25
I
D
，排水光凭目前 （A ）
15
I
D
，排水光凭目前 （A ）
25 C
15
10
10
T J = 125℃
5
V
的s
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
-55 C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance （欧姆）
3600
3000
0.030
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=10V
0.025
0.020
T J = 125℃
0.015
25 C
0.010
0.005
0
-55 C
C，C apacitance （PF ）
2400
1800
C为S
1200
600
0
0
5
10
15
20
25
30
OS s
RS s
0
5
10
15
20
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S DM4410
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
ID=-250uA
5
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
25
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
40.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
20
15
10
5
0
0
5
10
V
DS
=15V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
40
it
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=10V
I
D
=40A
10
R
D
S
(
)
ON
升IM
10m
100
ms
s
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
5
10 15
20
25
30
35 40
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S DM4410
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
θJ
A
（吨） = R （t）的R *
θJ
A
R
θJ
A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
θJ
A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
绿色
产品
S DM4410
Mar.01,2006 ver1.2
S amHop微电子 ORP 。
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
30V
F ê乌尔（E S）
( m
）最大
I
D
10A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
13.5 @ V
的s
= 10V
20 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
S 0 - 8
1
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
10
39
1.7
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 16V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
V
uA
100 nA的
1
1.5
9
11
20
24
1290
280
180
3
V
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
13.5
兆欧
20
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A ，V
GS
=4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 9A
V
GS
=10V
18
24
52
23
30.6
14.5
3
6.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
5
0.75 1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
20
V
的s
=3V
16
20
-55 C
I
D
，排水光凭目前 （A ）
12
V
的s
=10V
8
V
的s
=2.5V
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=6V
15
10
T J = 125℃
5
25 C
0
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
3000
F igure 2.跨FER haracteris抽动
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏-S环境允许，在-R es是tance
2500
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-55
V
的s
=10V
I
D
=9A
C，C apacitance （PF ）
2000
1500
1000
500
0
0
RS s
5
10
15
20
25
30
OS s
C为S
-25
0
25
50
75
100 125
T J （ C）
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S DM4410
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
1.15
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
5
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
40
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
32
24
16
8
V
DS
=10V
0
0
5
10
15
10.0
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
50
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
(O
8
6
4
2
0
0
R
D
S
V
DS
=10V
I
D
=9A
10
N)
升IM
it
10m
100
ms
s
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
5
10 15
20
25
30
35 40
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S DM4410
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
t
2
1.
2.
3.
4.
10
-2
R
J A
（吨） = R （t）的R *
J A
R
J A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
J A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
S DM4410
S amHop微电子 ORP 。
安格斯吨， 2002年
NC hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
30V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）典型值
I
D
10A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
11 @ V
的s
= 10V
15 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
S 0 - 8
1
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
（ 300毫秒脉冲宽度）
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
30
20
10
30
2.3
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
50
C / W
1
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 16V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 20A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
100
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
uA
nA
V
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
1
1.5
11
15
40
18
1375
670
200
V
DD
= 15V,
I
D
= 1A,
V
GS
= 10V,
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=4.5V
Q
gs
Q
gd
2
3
13.5
兆欧
20
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
30
32
132
30
40
20
8.2
5.3
50
24
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A,
V
GS
=10V
S DM4410
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 2.3A
最小典型最大单位
5
0.76 1.1
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
25
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
20
20
25
I
D
，排水光凭目前 （A ）
15
I
D
，排水光凭目前 （A ）
25 C
15
10
10
T J = 125℃
5
V
的s
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
-55 C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance （欧姆）
3600
3000
0.030
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=10V
0.025
0.020
T J = 125℃
0.015
25 C
0.010
0.005
0
-55 C
C，C apacitance （PF ）
2400
1800
C为S
1200
600
0
0
5
10
15
20
25
30
OS s
RS s
0
5
10
15
20
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S DM4410
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
ID=-250uA
5
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
25
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
40.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
20
15
10
5
0
0
5
10
V
DS
=15V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
40
it
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=10V
I
D
=40A
10
R
D
S
(
)
ON
升IM
10m
100
ms
s
11
DC
1s
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
5
10 15
20
25
30
35 40
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S DM4410
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
5
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
值班 ycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S英格尔P ULS ê
0.01
10
-4
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
10
-2
t
2
R
θJ
A
（吨） = R （t）的R *
θJ
A
R
θJ
A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
θJ
A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
10
100
10
-3
10
-1
1
S单方波P ULS 时间（S EC）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
WT4410M
表面安装N沟道
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
10
安培
漏源
电压
30
电压
D
1
3
S
S
8
7
D
2
D
6
S
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<11米
@V
GS
=10V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 15米
@V
GS
=4.5V
*坚固可靠
* SO- 8封装
D
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 125℃ ）
(1)
漏电流脉冲
(2)
漏源二极管的正向电流
(1)
功耗
(1)
最大最大结点到环境
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
R
θ
JA
T
J
， TSTG
价值
30
团结
V
V
A
A
A
W
C / W
C
G
4
5
1
SO-8
+
-20
10
30
2.3
2.5
50
-55到150
器件标识
WT4410M=SDM4410
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01-Jul-05
WT4410M
电气特性
STATIC
(2)
特征
（ TA = 25℃除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
民
典型值
-
1.5
-
-
最大
-
3
+
-100
1
13.5
20
单位
V
V
nA
uA
m
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250微安
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250微安
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-16V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=24V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
通态漏电流
V
DS
=10V, V
GS
=10A
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
30
1
-
-
-
-
40
r
DS （
on
)
11
15
I
D（上）
g
fs
-
18
-
-
A
S
-
动态
(3)
输入电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
1375
670
200
-
-
-
PF
开关
(3)
导通延迟时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
上升时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
打开-O FF时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
下降时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
总栅极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=4.5V
栅极 - 源电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
S
=2.3A
t
d
(
on
)
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
32
132
30
-
nS
nS
nS
nS
nc
-
-
-
50
24
40
20
8.2
5.3
0.76
QGS
QGD
-
-
1.1
nc
nc
V
V
SD
注： 1.表面安装在FR4板吨< 10秒。
_
_
_
2.脉冲测试： PW < 300US ，占空比< 2 ％ 。
3.设计保证，不受生产测试。
WEITRON
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2/6
01-Jul-05
WT4410M
25
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
我们将其R ON
25
20
15
10
5
-55 C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
T
j
=125 C
20
15
10
5
0
25 C
V
GS
=3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1 。输出特性
1500
1200
900
600
300
0
0
5
10
15
20
西塞
科斯
CRSS
25
30
R
DS （ ON）
，导通电阻（ Ω ）
C，电容（
P
F)
图2传输特性
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
0
5
10
15
-55 C
T
j
=125 C
25 C
V
GS
=10V
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3电容
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
BV
DSS
，归一化
漏源击穿电压（ V）
栅源阈值电压（ V）
图4导通电阻变化与
漏电流和温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25 0
25 50 75 100 125 150
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
I
D
=-250uA
V
th
，归一化
T
j
，结温（ C）
T
j
，结温（ C）
图5门阈值变化
随温度
图6击穿电压的变化
随温度
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WEITRON
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WT4410M
20
15
10
5
V
DS
=15V
0
0
5
10
15
20
I
S
，源极 - 漏极电流（A）
我们将其R ON
40.0
25
g
FS
，跨导（ S）
10.0
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7跨导变化
与漏极电流
V
GS
，门源电压（ V）
图8体二极管的正向电压
变化与源电流
40
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=10V
I
D
=40A
10
R
(
DS
ON
im
)L
it
10m
100
ms
s
1
1
DC
1s
0.1
0.03
0.1
V
DS
=10V
单脉冲
T
C
=25 C
1
10
30 50
0
5
10 15
20 25
30
35 40
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电流（ V）
图9栅极电荷
V
DD
图10最大安全工作区
t
on
t
关闭
t
r
90%
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
PULS WIDTH ê
图11开关测试电路
图12开关波形
http://www.weitron.com.tw
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01-Jul-05
WT4410M
我们将其R ON
10
R（T ） ，归一化暂态
热阻
占空比= 0.5
1
0.2
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1. R
θ
j
A
（吨） = R （t）的R *
θ
j
A
2. R
θ
j
A
=请查阅技术资料
3. TJ
M
-TA = P
DM
* R
θ
j
A
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
图13归一化瞬态热阻抗CUREVE
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
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QQ：2880707522 复制
