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SDM02U30LP3
超小型表面贴装肖特基二极管
产品概述
V
RRM
(V)
30
I
O
（MA ）
100
V
F最大
(V)
0.37
I
R最大
(μA)
7
特点
0.18毫米足迹 - 比DFN1006 / SOD923小70 ％
断为0.35mm板的轮廓 - 30 ％，比DFN1006更薄
0.37V （最大值）的低正向电压 - 降低功耗
散热损失
低漏 - 最大限度地提高电池电量
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
2
超前信息
描述
该SDM02U30LP3是超低端肖特基势垒二极管的优化
正向压降和低反向漏电流。封装
2
超小型DFN- 0603与足迹0.18毫米和超低包
配置文件，该设备是专为节省PCB空间的便携式
电子设备。
机械数据
案例： X3- DFN0603-2
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：阴极酒吧
码头：完成
雾锡完成了铜引线框架
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.2mg的（近似）
应用
反向电压和电流保护
阻塞二极管
钳位保护
液晶显示器和小键盘背光
续流二极管。
X3-DFN0603-2
顶视图
底部视图
订购信息
（注4 ）
产品型号
SDM02U30LP3-7B
注意事项：
例
X3-DFN0603-2
包装
万/磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于Diodes公司的免费锑， "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
4.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
L2 =产品型号标识代码
律师表示阴极侧
SDM02U30LP3
文件编号： DS35774修订版3 - 2
1 4
www.diodes.com
2012年10月
Diodes公司
SDM02U30LP3
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
（ 8.33ms半正弦波）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
价值
30
21
100
500
单位
V
V
mA
mA
超前信息
热特性
特征
功率耗散（注5 ）
热阻结到环境空气（注5 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
250
500
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
正向电压
泄漏电流（注5 ）
注意事项：
符号
V
F
I
R
民
典型值
0.20
4
最大
0.37
7
单位
V
A
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安;牛逼
A
= +125°C
V
R
= 10V
V
R
= 30V
安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到5部分。
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
注5
I
F
，正向电流（mA）
0.3
100
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
P
D
，功耗（ W）
10
0.2
T
A
= 85°C
1
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.1
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
I
F（ AV ）
平均正向电流（ A）
图1前向功率耗散
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6 0.7
V
F
，正向电压（ V）
图2典型的正向特性
SDM02U30LP3
文件编号： DS35774修订版3 - 2
2 4
www.diodes.com
2012年10月
Diodes公司
SDM02U30LP3
10,000
1,000
T
A
= 125°C
I
R
，瞬时反向电流（ μA ）
0.30
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
0.25
100
T
A
= 85°C
0.20
10
1
0.1
0.01
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
超前信息
0.15
注5
0.10
0.05
0.001
0.0001
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图3典型的反向特性
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图4正向电流降额曲线
10
F = 1MHz的
C
T
，总电容（PF ）
1
0
10
15
20
25
30
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图5总电容与反向电压
5
包装外形尺寸
请参阅AP02002在http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf的最新版本。
A
A 1 （2×）
D
e
E
B（ 2X ）
X3-DFN0603-2
暗淡
民
最大
典型值
A
0.27
0.35
0.30
A1
0.00
0.03
0.02
b
0.19
0.29
0.24
D
0.595 0.645
0.62
E
0.295 0.345
0.32
e
-
-
0.355
L
0.14
0.24
0.19
尺寸：mm
L（ 2×）
SDM02U30LP3
文件编号： DS35774修订版3 - 2
3 4
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2012年10月
Diodes公司
SDM02U30LP3
拟议的焊盘布局
请参阅AP02001在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf最新的版本。
X 1
X
超前信息
Y
尺寸
C
G
X
X1
Y
值（单位：mm）
0.355
0.150
0.230
0.610
0.300
G
C
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
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本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2012年， Diodes公司
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SDM02U30LP3
文件编号： DS35774修订版3 - 2
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推荐型号
SN74LVC1G17
SL74HC164
SK82L
SMF12CA
ST2L05R2515K5
SPX431L
S71WS256ND0BFWTJ0
SZ4533
SN54AC563
SN74HC573AQDWRQ1
SN74LS04NE4
ST16C552CJ68
SDA40CHF
SMTC1-600-6
SI-71011-F
SN74HCT652NT
SN74LS19
S-1000N38-N4T1G
SN74HC257DE4
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