产品说明
Sirenza的微器件“
SDM-09120
130W电源模块是一个强大
阻抗相匹配,单级,推挽AB类放大器MOD-
乌莱适合用作功率放大器驱动器或输出级。该
功率晶体管使用Sirenza的最新的,高perfor-制造
曼斯LDMOS工艺。它是一种插入式,不调溶液为高功率
需要高效率,出色的线性度和单位用于─应用
单位可重复性。据内部匹配到50欧姆。
SDM-09120
SDM-09120Y
Pb
符合RoHS
&放大器;
绿色
包
925-960 MHz的AB类
130W功率放大器模块
功能框图
VGS
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
1
VDS
1
180
GND
平衡不平衡转换器
RF
in
平衡不平衡转换器
RF
OUT
o
0
o
GND
产品特点
GND
0
o
GND
180
o
VGS
2
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
VDS
2
提供符合RoHS标准包装
50
W
RF阻抗
130W输出P
1dB
单电源供电:标称28V
高增益:15分贝942兆赫
高效率:在942 MHz的42 %
案例法兰=接地
应用
基站PA驱动器
中继器
CDMA
GSM / EDGE
单位
兆赫
W
dB
dB
dB
dBc的
dB
%
%
nS
度
摄氏度/ W
分钟。
925
120
14
-
-
-
-
32
-
-
-
典型值。
-
130
15
0.3
-14
-28
1.0
33
42
4.0
0.7
0.7
马克斯。
960
-
-
0.5
-12
-26
-
-
-
-
-
关键的特定连接的阳离子
符号
频率
P
1dB
收益
增益平坦度
IRL
IMD
IMD变化
效率
延迟
相位线性度
R
TH
参数
操作的频率
在1dB压缩输出功率, 943兆赫
PEP 120W输出功率, 942MHz和943MHz
峰 - 峰值增益变化, 120W PEP , 925 - 960MHz的
输入回波损耗, PEP 120W的输出功率, 925 - 960MHz的
三阶产品。 120W PEP输出, 942MHz和943MHz
120W PEP输出,变化间隔为100KHz - 25MHz的
漏极效率, 120W PEP输出, 942MHz和943MHz
漏极效率, 120W的CW输出, 943MHz
信号延迟,从3针到8针
从线性相位偏差(峰 - 峰)
热阻(结到外壳)
T
测试条件
in
= Z
OUT
= 50, V
DD
= 28.0V ,我
DQ1
= I
DQ2
= 500毫安牛逼
轮缘
= 25C
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
2000
1.2 X 10
6
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2007 Sirenza的Microdevices公司,公司全球版权所有。
303 S.科技法庭,
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 103478版本G
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
引脚说明
针#
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
描述
LDMOS FET Q1和Q2的栅极偏压。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 , 3和4
模块顶边地上。
内部DC封锁
LDMOS FET Q3和Q4的栅极偏压。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 , 3和4
LDMOS FET Q3和Q4漏极偏置。见注1 。
内部DC封锁
LDMOS FET Q1和Q2的漏极偏压。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
简化的设备示意图
Q1
1
2
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
10
9
Q2
180
o
注1 :
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的,但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 :
栅极电压必须施加到V
GS
同时与领导
或应用漏极电压后,以防止潜在的
破坏性的振荡。偏置电压不应该被应用
到一个模块,除非它被适当地端接在输入和
输出。
注3 :
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压LDMOS晶体管的变化。
单位
V
DBM
VSWR
V
C
C
C
注4 :
阈值电压(V
gsth
)的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
注5 :
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ° F,且所述钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 ( www.sirenza.com )的
进一步的安装说明。
0
o
3
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
8
Q3
0
o
180
o
4
Q4
+ 28V DC
7
+ 3V直流到+6 V DC
5
6
绝对最大额定值
参数
漏极电压(V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
控制(门)电压, VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+43
5:1
15
+200
-20
+90
-40
+100
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意: ESD敏感
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
2
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EDS- 103478版本G
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
典型性能曲线
2音频增益,效率,线性度和IRL与频率
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,噘= 120W PEP ,台达F = 1兆赫
55
50
增益(dB ) ,效率(% )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
900
920
940
频率(MHz)
960
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
-5
-10
IMD ( DBC) , IRL (分贝)
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
980
增益(dB ) ,效率(% )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
2音频增益,效率,线性度VS噘
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
IMD ( DBC)
收益
IM3
IM7
75
噘嘴(W PEP )
效率
IM5
100
125
-65
-70
150
CW增益,效率, IRL与频率
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,噘= 120W
60
0
20
19
CW增益,效率与噘
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,频率= 942 MHz的
60
55
50
45
40
35
30
25
效率(%)
50
增益(dB ) ,效率(% )
-5
输入回波损耗(dB )
18
17
40
收益
效率
IRL
-10
16
增益(dB )
15
14
13
12
11
30
-15
20
-20
收益
效率
20
15
10
5
0
150
10
-25
10
9
0
900
920
940
960
980
-30
1000
8
0
25
50
75
的Pout (W)的
100
125
频率(MHz)
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德,CO 80021
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3
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EDS- 103478版本G
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
典型性能曲线(续)
CW增益,效率, IRL与电源电压
噘嘴= 120W , IDQ = 1.2A ,频率= 942 MHz的
双色增益,效率, IRL , IMD与电源电压
噘嘴= 120W PEP , IDQ = 1.2A ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
60
-24
60
0
输入回波损耗(dB )
-15
-20
-25
40
-26
40
30
收益
效率
-27
30
-30
-35
20
IRL
-28
20
-40
-45
10
-29
10
-50
-55
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS (伏特)
-30
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS (伏特)
-60
CW增益VS噘各种IDQ
VDS = 28V ,频率= 942 MHz的
16.5
Idq=1.6A
16
Idq=1.4A
增益(dB )
增益(dB )
-30
-25
IM3 VS噘各种IDQ
VDS = 28V ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
Idq=0.8A
Idq=1.0A
Idq=1.2A
15.5
Idq=1.2A
15
Idq=1.0A
Idq=0.8A
14.5
-35
IDQ = 1.4A
Idq=1.6A
-40
-45
14
0
20
40
60
80
100
120
140
的Pout (W)的
-50
0
20
40
60
80
100
120
140
噘嘴(W PEP )
注意:
可以用Sirenza的网站评价测试夹具的信息,被称为SDM -EVAL
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EDS- 103478版本G
输入回波损耗(分贝) , IMD ( DBC) 。
50
增益(dB ) ,效率(% )
-25
增益(dB ) ,效率(% )
50
收益
IRL
IM5
效率
IM3
IM7
-5
-10
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
封装外形图
2.00
[50.8]
.140
.125
3.56
[
3.18
]
(5X)
1.297
[32.94]
.140
.125
3.18
[
3.56
]
(5X)
5
LABEL
位置
(2X)
.055
[1.40]
(6X)
2.00
[50.8]
.100
[2.54]
1
10
标志
模块编号
BAR CODE
批号
.044
[1.12]
(2X)
1.800
[45.72]
2
1.274
[32.36]
1.52
1.49
37.85
[
38.61
]
.907
[23.04]
9
8
7
6
.270
[6.86]
.540
[13.72]
.810
[20.57]
1.080
[27.43]
3
.637
[16.18]
4
.367
[9.32]
5
领导
鉴定
铅号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
BASE PLATE
.11
[2.9]
.703
[17.86]
.125
[3.18]
(2X)
.21
[5.3]
功能
V
GS1
地
输入
地
V
GS2
V
D2
地
产量
地
V
D1
地
.005
[.13]
.36
[9.1]
最大
.089
.076
[
2
2.26
1.93
]
.062
[1.57]
1.解释DRAWING按照ANSI Y14.5 。
2.测量从引线的底部。
3.尺寸为英寸[ MM ] 。
4.铅识别仅供参考。
5,方向标志,就是为了如图所示。
模块重量= 41gm名义
注意:
请参考应用笔记AN054 , “详细的安装说明电源模块”的详细安装信息。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
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EDS- 103478版本G
产品说明
Sirenza的微器件“
SDM-09120
130W电源模块是一个强大
阻抗相匹配,单级,推挽AB类放大器MOD-
乌莱适合用作功率放大器驱动器或输出级。该
功率晶体管使用Sirenza的最新的,高perfor-制造
曼斯LDMOS工艺。它是一种插入式,不调溶液为高功率
需要高效率,出色的线性度和单位用于─应用
单位可重复性。据内部匹配到50欧姆。
SDM-09120
SDM-09120Y
Pb
&放大器;
绿色
包
符合RoHS
925-960 MHz的AB类
130W功率放大器模块
功能框图
VGS
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
1
VDS
1
180
o
0
o
GND
平衡不平衡转换器
RF
in
平衡不平衡转换器
GND
产品特点
RF
OUT
GND
0
+ 3V直流到+6 V DC
o
GND
180
o
VGS
2
+ 28V DC
VDS
2
提供符合RoHS标准包装
50
W
RF阻抗
130W输出P
1dB
单电源供电:标称28V
高增益:15分贝942兆赫
高效率:在942 MHz的42 %
案例法兰=接地
应用
关键的特定连接的阳离子
符号
频率
P
1dB
收益
增益平坦度
IRL
IMD
IMD变化
效率
延迟
参数
操作的频率
在1dB压缩输出功率, 943兆赫
PEP 120W输出功率, 942MHz和943MHz
基站PA驱动器
中继器
CDMA
GSM / EDGE
单位
兆赫
W
dB
dB
dB
dBc的
dB
%
%
nS
度
分钟。
925
120
14
-
-
-
-
32
-
-
-
典型值。
-
130
15
0.3
-14
-28
1.0
33
42
4.0
0.7
马克斯。
960
-
-
0.5
-12
-26
-
-
-
-
-
峰 - 峰值增益变化, 120W PEP , 925 - 960MHz的
输入回波损耗, PEP 120W的输出功率, 925 - 960MHz的
三阶产品。 120W PEP输出, 942MHz和943MHz
120W PEP输出,变化间隔为100KHz - 25MHz的
漏极效率, 120W PEP输出, 942MHz和943MHz
漏极效率, 120W的CW输出, 943MHz
信号延迟,从3针到8针
相位线性度
从线性相位偏差(峰 - 峰)
T
测试条件
in
= Z
OUT
= 50, V
DD
= 28.0V ,我
DQ1
= I
DQ2
= 500毫安牛逼
轮缘
= 25C
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
2000
1.2 X 10
6
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭,
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
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EDS - 103478冯é
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
引脚说明
针#
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
模块顶边地上。
内部DC封锁
LDMOS FET Q3和Q4的栅极偏压。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 , 3和4
LDMOS FET Q3和Q4漏极偏置。见注1 。
内部DC封锁
LDMOS FET Q1和Q2的漏极偏压。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
描述
LDMOS FET Q1和Q2的栅极偏压。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 , 3和4
简化的设备示意图
Q1
1
2
3
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
10
9
Q2
180
o
注1 :
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的,但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 :
栅极电压必须施加到V
GS
同时与领导
或应用漏极电压后,以防止潜在的
破坏性的振荡。偏置电压不应该被应用
到一个模块,除非它被适当地端接在输入和
输出。
注3 :
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压LDMOS晶体管的变化。
单位
V
DBM
VSWR
V
C
C
C
0
o
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
8
Q3
0
o
180
o
4
Q4
7
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
5
6
绝对最大额定值
参数
漏极电压(V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
控制(门)电压, VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+43
5:1
15
+200
-20
+90
-40
+100
注4 :
阈值电压(V
gsth
)的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
注5 :
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ℃,钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 ( www.sirenza.com )的
进一步的安装说明。
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意: ESD敏感
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103478冯é
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
典型性能曲线
2音频增益,效率,线性度和IRL与频率
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,噘= 120W PEP ,台达F = 1兆赫
55
50
增益(dB ) ,效率(% )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
900
920
940
频率(MHz)
960
0
-5
-10
IMD ( DBC) , IRL (分贝)
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
980
增益(dB ) ,效率(% )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
2音频增益,效率,线性度VS噘
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
IMD ( DBC)
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
收益
IM3
IM7
75
噘嘴(W PEP )
效率
IM5
100
125
-65
-70
150
60
CW增益,效率, IRL与频率
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,噘= 120W
0
20
19
CW增益,效率与噘
VDD = 28V , IDQ = 1.2A ,频率= 942 MHz的
60
55
50
45
40
35
30
25
效率(%)
50
增益(dB ) ,效率(% )
-5
18
17
40
收益
效率
IRL
-10
输入回波损耗(dB )
16
增益(dB )
15
14
13
12
11
30
-15
20
-20
收益
效率
20
15
10
5
10
-25
10
9
0
900
920
940
960
980
-30
1000
8
0
25
50
75
的Pout (W)的
100
125
0
150
频率(MHz)
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 103478冯é
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
典型性能曲线(续)
60
CW增益,效率, IRL与电源电压
噘嘴= 120W , IDQ = 1.2A ,频率= 942 MHz的
-24
双色增益,效率, IRL , IMD与电源电压
噘嘴= 120W PEP , IDQ = 1.2A ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
60
0
增益(dB ) ,效率(% )
输入回波损耗(dB )
-15
-20
-25
40
-26
40
30
20
收益
效率
IRL
-27
-28
30
-30
-35
20
-40
-45
10
-29
10
-50
-55
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS (伏特)
-30
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS (伏特)
-60
16.5
CW增益VS噘各种IDQ
VDS = 28V ,频率= 942 MHz的
-25
IM3 VS噘各种IDQ
VDS = 28V ,频率= 942兆赫,台达F = 1兆赫
Idq=0.8A
Idq=1.0A
-30
Idq=1.6A
16
Idq=1.4A
增益(dB )
增益(dB )
Idq=1.2A
15.5
Idq=1.2A
15
Idq=1.0A
Idq=0.8A
14.5
-35
IDQ = 1.4A
Idq=1.6A
-40
-45
14
0
20
40
60
80
100
120
140
的Pout (W)的
-50
0
20
40
60
80
100
120
140
噘嘴(W PEP )
注意:
可以用Sirenza的网站评价测试夹具的信息,被称为SDM -EVAL
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
4
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EDS - 103478冯é
输入回波损耗(分贝) , IMD ( DBC) 。
50
-25
增益(dB ) ,效率(% )
50
收益
IRL
IM5
效率
IM3
IM7
-5
-10
SDM- 09120 925-960 MHz的130W功率放大器模块
封装外形图
2.00
[50.8]
1.297
[32.94]
.140
.125
3.56
[
3.18
]
(5X)
.140
.125
3.18
[
3.56
]
(5X)
5
LABEL
位置
(2X)
.055
[1.40]
(6X)
2.00
[50.8]
.100
[2.54]
1
标志
模块编号
BAR CODE
批号
10
9
8
7
6
1.274
[32.36]
1.52
1.49
37.85
[
38.61
]
.907
[23.04]
.637
[16.18]
2
3
4
.367
[9.32]
.044
[1.12]
(2X)
1.800
[45.72]
.270
[6.86]
.540
[13.72]
.810
[20.57]
1.080
[27.43]
5
领导
鉴定
铅号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
BASE PLATE
.11
[2.9]
.703
[17.86]
.125
[3.18]
(2X)
.21
[5.3]
功能
V
GS1
地
输入
地
V
GS2
V
D2
地
产量
地
V
D1
地
.005
[.13]
.36
[9.1]
最大
.089
.076
[
2
2.26
1.93
]
.062
[1.57]
1.解释DRAWING按照ANSI Y14.5 。
2.测量从引线的底部。
3.尺寸为英寸[ MM ] 。
4.铅识别仅供参考。
5,方向标志,就是为了如图所示。
模块重量= 41gm名义
注意:
请参考应用笔记AN054 , “详细的安装说明电源模块”的详细安装信息。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
5
http://www.sirenza.com
EDS - 103478冯é